- •Конспект лекций (Основы электроники)
- •2014Г. Оглавление
- •1 Полупроводниковые диоды
- •Обозначение:
- •1.1 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •1.2 Стабилитрон
- •2 Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •2.1 Назначение областей транзистора
- •2.2 Принцип работы транзистора
- •Iэ б iк
- •2.3 Схемы включения транзисторов
- •Как расставляются знаки у источников питания?
- •2.4 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •3 Усилительные устройства
- •3.1 Структурная схема усилителя
- •3.2 Амплитудно-частотная характеристика. Полоса пропускания усилителя
- •3.3 Эмиттерная стабилизация режима работы усилителя
- •Принцип работы:
- •3.4 Анализ ачх широкополосного усилителя (шпу)
- •Рассмотрим область верхних частот
- •Рассмотрим область нижних частот
- •Литература
2.3 Схемы включения транзисторов
В зависимости от того, какой из электродов транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают три схемы включения транзисторов:
а) Общий эмиттер ( n-p-n)
Как расставляются знаки у источников питания?
n – p – n
Э Б К
ЭП (UПР)
КП (UОБР)
ЭП должен находиться под прямым напряжением. При прямом напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны совпадать. Эмиттер – это n-область, основными носителями заряда являются электроны, поэтому на эмиттер должен быть подан «минус» источника питания Есм, а на базу, соответственно, - «плюс».
КП должен находиться под обратным напряжением. При обратном напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны быть противоположны. Коллектор – это n-область, основными носителями заряда являются электроны, поэтому на коллектор должен быть подан «плюс» источника питания Еп.
б) Общая база (n-p-n) в) Общий коллектор (n-p-n)
2.4 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об
Входные характеристики транзистора ОБ - это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е. при , гдеf - это функция.
IЭ, mA
UКБ=5В UКБ=0
0 1 UЭБ,В
Если использовать выходное напряжение UКБ>5В, то входные характеристики незначительно сместятся влево, (пойдут кучно), поэтому чтобы не загромождать рисунок, ограничиваются двумя характеристиками: при UКБ=0 и при UКБ=5В. При этом погрешность будет незначительной, ею можно пренебречь.
Выходные характеристики транзистора ОБ - это зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е. при
насыщение
0
Статические вах транзистора оэ
Входные характеристики транзистора ОЭ - это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е. при
IБ,m UКЭ =0 UКЭ=5В
0 1 UБЭ, В
Если использовать выходное напряжение >5В, то входные характеристики незначительно сместятся вправо, (пойдут кучно), поэтому чтобы не загромождать рисунок, ограничиваются двумя характеристиками: при и при. При этом погрешность будет незначительной, ею можно пренебречь.
Выходные характеристики транзистора ОЭ - зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е. при
IК, mA
IБ3
насыщение IБ2
IБ1 IБ3 > IБ2 > IБ1
IКЭОIБ=0
отсечка UКЭ, В