- •Федеральное агентство по образованию
- •Оглавление
- •Введение
- •Механизм взаимодействия металла с металлоидом и условия, необходимые для протекания процесса
- •Механизм процесса
- •Перемещение ионов под действием электрического поля
- •Характер перемещения ионов в идеальной кристаллической решетке
- •Перемещение ионов в неидеальной кристаллической решетке
- •Перемещение катионов при наличии вакансий в катионной подрешетке
- •Перемещение катионов при возможности их нахождения в междоузлиях
- •Образование тепловых дефектов кристаллической решетки
- •Общие положения
- •Возникновение точечных структурных дефектов кристаллической решетки в результате теплового движения
- •Возникновение точечных структурных дефектов при переходе ионов в междоузлие
- •Переход катиона из узла в междоузлие
- •Переход аниона из узла в междоузлие
- •Возникновение дефектов в результате перехода ионов из объема на поверхность или с поверхности в объем
- •Переход ионов из узлов в объеме кристалла в узлы над его поверхностью
- •Переход ионов из узлов на поверхности кристалла в его объем (в междоузлия)
- •Возникновение тепловых электронных дефектов
- •Константы равновесия процессов образования тепловых дефектов
- •Константа равновесия образования дефектов по Френкелю в катионной подрешетке
- •Константы равновесия образования других тепловых дефектов
- •Расчет равновесной концентрации тепловых дефектов
- •Типы структурной разупорядоченности кристаллов
- •Распространенность различных типов разупорядоченности
- •Образование дефектов нестехиометрии
- •Точечные структурные дефекты, обусловленные отклонением состава от стехиометрического
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Условия и механизм образования нестехиометрической фазы
- •Связь между давлением газообразного металлоида и составом равновесной твердой фазы
- •Механизм и равновесие возникновения недостатка металлоида (избытка металла)
- •Тип «Френкель»
- •Тип «Шоттки»
- •Механизм и равновесие возникновения избытка металлоида (недостатка металла)
- •Зависимости концентраций дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Общие положения
- •Соотношение между константами равновесия процессов возникновения недостатка и избытка металлоида
- •Расчет равновесных концентраций дефектов при заданном давлении металлоида
- •Составление и решение системы уравнений
- •Приближенный метод построения зависимостей концентраций дефектов от давления металлоида Выбор системы координат для построения зависимостей
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Френкель»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Построение приближенных зависимостей для кристалла с типом разупорядоченности «Шоттки»
- •Расчет концентраций тепловых дефектов и значения
- •Определение концентраций дефектов при ≠
- •Построение диаграммы
- •Анализ характера зависимостей концентрации дефектов от давления металлоида в газовой фазе
- •Влияние примесей на равновесие дефектов в кристалле
- •Примеси, оказывающие наибольшее влияние на равновесие дефектов
- •Примеси замещения с зарядом катионов, превышающим заряд катионов матрицы
- •Примеси замещения с зарядом катионов меньшим, чем заряд катионов матрицы
- •Механизм и закономерности процесса образования твердого продукта (теория Карла Вагнера)
- •Механизм и условия протекания процесса
- •Электрическая схема процесса
- •Соотношения, определяющие силу тока
- •Уравнения скорости образования твердого продукта
- •Зависимость константы скорости от давления металлоида
- •Возможные лимитирующие стадии процесса
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда ионами Решение в общем виде
- •Константа скорости реакции при лимитирующем переносе заряда электронами
- •Анализ ожидаемых закономерностей процесса с помощью теории Вагнера
- •Характеристика образующегося продукта
- •Направление роста ZnO
- •Влияние давления кислорода на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Влияние примесей на скорость реакции (на величину константы скорости)
- •Закономерности протекания реакций с участием металла, имеющего несколько устойчивых степеней окисления
- •Характер образующейся оболочки
- •Закономерности образования многослойной оболочки
- •Соотношения между толщиной слоев
Переход ионов из узлов на поверхности кристалла в его объем (в междоузлия)
Начнем опять с перехода катионов. При переходе катиона из катионного узла в плоскости, расположенной над поверхностью кристалла, в междоузлие в объеме кристалла, в этой плоскости появляется некомпенсированный отрицательный заряд, а в объеме – положительный (рис. 10).
Рис. 10. Расположение ионов и распределение зарядов после перехода катиона с поверхности в объем кристалла
Возникшее электростатическое поле стремится вернуть катион из объема на поверхность, а анионы переместить с поверхности в объем. Если реализуется первая тенденция и катион вернется с поверхности в объем, восстановится исходное равновесное состояние, при котором возникшая вакансия исчезнет. Но если реализуется вторая тенденция, то электростатическое поле исчезнет и установится равновесное состояние при уходе с поверхности в объем такого количества анионов, что их заряд точно уравновесит заряд перешедших в объем катионов. Очевидно, что при этом соотношение чисел катионов и анионов, перешедших в объем, будет точно таким же, как соотношение чисел катионных и анионных узлов в данной кристаллической решетке (иначе говоря, будет соответствовать формуле кристаллической решетки).
В результате исчезнет часть поверхностной плоскости кристалла, а в его объеме в междоузлиях будут присутствовать одновременно и катионы, и анионы, причем соотношение между ними будет точно соответствовать соотношению чисел катионных и анионных узлов (т.е. формульному соотношению катионов и анионов). Состояние кристалла, состоящего из катионов Ме2+ и анионов Х2-, после перехода с поверхности в объем эквивалентных количеств ионов показано на рис. 11.
Рис. 11. Состояние кристалла после перехода эквивалентных количеств ионов с поверхности в объем (в междоузлия)
Катионы и анионы могут одновременно вернуться из междоузлий в объеме кристалла на поверхность, а следовательно, описанный процесс обратим. Его можно описать уравнением
+ (9)
или, в соответствии с правилами записи уравнений в теории разупорядоченности,
0 +. (10)
Так же, как при выходе ионов из объема на поверхность, при различающихся по величине зарядах катионов и анионов в уравнениях появятся коэффициенты; для соединения Ме2Х3, образованного трехзарядными катионами и двухзарядными анионами, получим:
2+3 (11)
или
0 2+3. (12)
Анализ всех рассмотренных механизмов образования точечных структурных дефектов показывает, что тепловое движение ионов в кристаллической решетке приводит к образованию только парных дефектов. При переходе ионов из узлов в междоузлия это разные дефекты, относящиеся к одной подрешетке (названия дефектов включают название одного и того же иона):
– катион в междоузлии и вакансия катиона (эту пару называют дефектом по Френкелю, а механизм ее образования – «Френкель»);
– анион в междоузлии и вакансия аниона (эту пару называют антидефектом по Френкелю, а механизм ее образования – «анти-Френкель»).
При переходе ионов из объема на поверхность или с поверхности в объем дефекты имеют одинаковое название, но относятся к разным подрешеткам (т.е. включают названия обоих ионов):
– эквивалентные количества вакансий катионов и анионов (эти дефекты называют дефектами по Шоттки, а механизм их образования – «Шоттки»);
– эквивалентные количества катионов и анионов в междоузлиях (эти дефекты называют антидефектами по Шоттки, а механизм их образования – «анти-Шоттки»).