3. Сделаем критическую оценку и рассчитаем по температурную зависимости энергию активации образования носителей заряда в полупроводнике с помощью соотношения:

Проведём экспериментальный расчёт:

Ширина запрещённой зоны исследуемого Ga_xIn_1-xAs арсенид галлия-индия ∆E при 300 К плавно изменяется в зависимости от х от 0,354 эВ у InAs до 1,42 эВ у GaAs в соответствие с эмпирической формулой:

∆E = 0,354 + 0,63 х + 0,43 х² (эВ)

В нашем случае 1-x=0,37

Соответственно, по формуле выше мы получаем ∆E = 0,92эВ

ВЫВОД: