- •Оборудование
- •Правила техники безопасности
- •Теоретическая часть Общие сведения
- •Теория эффекта Холла
- •Метод изучения эффекта Холла
- •Экспериментальная часть Описание экспериментальной установки
- •Выполнение измерений
- •Обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы для самостоятельной подготовки к выполнению лабораторной работы
- •Библиографический список
- •Изучение эффекта Холла в полупроводниках
Выполнение измерений
1. Запишите в таблицу число витков в обмотке электромагнита N, ширину зазора в сердечнике электромагнита h и толщину пластинки полупроводника d (указаны на миниблоке «Эффект Холла»).
2. Соберите электрическую цепь по монтажной схеме, приведенной на рис.6.
3. Включите кнопками «Сеть» питание блока генераторов напряжений и блока мультиметров. Нажмите кнопку «Исходная установка».
4. Кнопками установки напряжения «0…15 В» установите ток в цепи электромагнита ≈ 1 мА.
5. Измерьте с помощью мультиметра 5 напряжение (при первом измерении с током в обмотке электромагнита индекс уусловен).
6. Переключателем 8 измените направление тока и измерьте напряжение(при первом измерении с токоминдекс уусловен).
7. Выберите окончательные индексы у напряжений, руководствуясь критерием . Запомните положения ключа на миниблоке «Эффект Холла», которые соответствуют напряжениям.
8. Увеличивая с помощью кнопок установки напряжения «0…15 В» ток в обмотке электромагнита , через каждый ≈1 мА измерьте напряженияпо пп. 5, 6. Результаты измерений запишите в таблицу.
9. Выключите кнопками «Сеть» питание блока генераторов напряжения и блока мультиметров.
Измеренные значения ,,и рассчитанные по ним значения напряжения Холлаи соответствующей ему индукции магнитного поля
Параметры установки: | |||||
Величина | |||||
№ | |||||
1 |
1 |
|
|
|
|
2 |
… |
|
|
|
|
3 |
… |
|
|
|
|
4 |
… |
|
|
|
|
5 |
… |
|
|
|
|
6 |
… |
|
|
|
|
7 |
… |
|
|
|
|
8 |
… |
|
|
|
|
9 |
… |
|
|
|
|
10 |
10 |
|
|
|
|
Обработка результатов измерений
1. Рассчитайте значения магнитной индукции B для каждого значения , используя формулу (13). Результаты расчетов запишите в таблицу.
2. Для каждого значения магнитной индукции B по формуле (15) вычислите напряжение Холла U. Результаты расчетов запишите в таблицу.
3. По полученным данным постройте график линейной экспериментальной зависимости .
4. Определите угловой коэффициент K экспериментальной прямой.
5. Используя формулу (12), найдите значение постоянной Холла для исследуемого полупроводника:
.
6. На основании выражения (11) вычислите концентрацию дырок n в исследуемом полупроводнике:
.
7. В выводе отметьте, какие закономерности эффекта Холла исследованы в работе и укажите возможные применения этого эффекта.
Контрольные вопросы для самостоятельной подготовки к выполнению лабораторной работы
В чем заключается эффект Холла?
Какие условия необходимы для наблюдения явления Холла?
Запишите в векторном виде формулу для силы Лоренца, действующей на заряженную частицу, движущуюся в магнитном поле.
Запишите формулу для модуля силы Лоренца.
Сформулируйте правило левой руки для определения направления силы Лоренца.
На рис. 3 с помощью правила левой руки обоснуйте направление силы Лоренца, действующей на движущийся электрон.
Запишите в векторном виде формулу для электрической силы , действующей на заряженную частицу в электрическом поле.
Покажите на рис. 4 направление векторов (напряженность поля Холла) идля электрических и магнитного полей в пластинке полупроводника при наблюдении эффекта Холла.
Как направлена сила, действующая на электрон в поле Холла с напряженностью ?
Между какими гранями пластинки появляется напряжение Холла? Укажите положение граней по отношению к току I и магнитному полю B.
Для измерения каких величин используют в данной работе: а) миллиамперметр, б) цифровой вольтметр?
К каким граням пластинки полупроводника подключают приборы: а) миллиамперметр, б) цифровой вольтметр?
Какие величины и параметры явления Холла изменятся, если изменить: а) величину и направление рабочего тока в пластинке, б) величину и направление тока в обмотке электромагнита?
Каким прибором измеряют напряжение Холла?
Запишите формулы, которые используются в данной работе для расчета концентрации дырок в полупроводнике.