рубежка_частичные ответы
.pdfКакие диоды используются только в СВЧдиапазоне? Диод Ганна и Лавинно-пролётный диод (ЛПД)
Электромагнитное поле в связанной микрополосковой линии определяется: Чётными нечётным видом возбуждения
Особенностью гетеропереходаявляется: Образование 2D газа
Низшим типом волны в коаксиальной линии является: ТЕМ волна
Параллельный колебательный контур можно реализовать: Четвертьволновой кз, разомкнутый полуволновой
В квазилинейном режиме угол отсечки равен: Менее 180 иболее 90
Укажите формулу для определения эффективной ширины затвора транзистора L:
L=l1+l2+l3 = 1,2L3
Укажите форму для определения времени задержки носителей Tк вобеднённом слое коллектора:
Tк= lк/2v
Низшим типомволны в микрополосковой линии является: Квази ТЕМ волна
Подвижная система радиосвязи включает: МШУ, Синтезатор частоты
Усилитель мощности можно реализовать: На лампе бегущей волны, на транзисторе
К оптическому диапазону относят диапазончастот: Свыше 300 ГГц
В физической эквивалентной схеме полевого транзистора нелинейным элементом является: Емкость обеднённой области со стороны истокаили сопротивление управляемой части канала
Индуцированный шумв полевомтранзисторе восновномзависит от: Сопротивления затвора или истока, либо от граничной частоты
S-параметры используются при описании транзистора в виде: Четырёхполюсника
S-параметрытранзистора позволяют определить: КСВН
Сверхинжекцией называют:
Рост концентрации неравносильных носителей заряда
Укажите формулу для определения времени заряда ёмкости коллекторного перехода Tбк:
T=Cк(rэ+rк)
Противоречивостьтребований, предъявляемых к биполярным СВЧ транзисторам с целью повышения частоты состоит:
Уменьшение ширины коллекторного перехода lк приводит к росту Cк.Требования: Уменьшение lк; уменьшение lб; уменьшение Cэ и Cк; уменьшение rк.
Энергия в осветлителе насвязанных линиях:
Ответвляется во вторичную линию в противоположном направлении
Индуктивностьпорядка100 нГн можно реализовать: Спиральная катушкаиндуктивности, возможно меандр илиМПЛ
Барьер Шоттки вполевомтранзисторе образуется: Между контактом-затвором и обеднённой областью
Структуру мощного биполярного транзистораот маломощного отличает: Использование до 150 единичных структур
Разомкнутый микрополосковый резонаторпо сравнению скороткозамкнутым обладает: Меньшей добротностью, большим концевым излучением
На короткозамкнутомотрезке линии передачи можно реализовать: Резисторы, катушки индуктивности, конденсаторы
К планарнымлиниямпередачи относят: Микрополосковую линию
По характеру энергообмена электровакуумные приборы СВЧ делят: типыО и М
Выводы корпусов свч транзисторов делают в виде коротких полосок:
Удобство сочленения с МПЛ, уменьшение паразитных ёмкостей и индуктивностей
Микрополосковойсвязной линией передачи называют: Линию передачи, связанную с землёй
К шумамактивнойобласти полевого транзистораотносят: Тепловой и индуцированный
Укажите формулу для определения S11:
S11=U1отр/U1пад
Повышение обратного смещения на электроде затвора приводит: К сужению канала
Тепловой шум вбиполярном транзисторе зависит от: Сопротивления базы
HEMT транзистор представляет собой:
Тр-ор с повышеннойподвижностью электронов,транзистор с 2D газом
К эксплуатационным параметрам транзисторов относят: ВАХ
Гребенчатая ёмкость может иметь добротность, равную: Скорее всего 50 и 100
Укажите правильную формулу для определения единицыизмерения мощности – dBm:
10lg(P(Вт)/1мВт)
Повысить эффективность эмиттера в биполярном тр-ре позволяет использование: Гетеропереходы, широкозонный эмиттер
Затвор вполевом тр-ре используется: Для управления током тр-ра