- •Министерство образования рф
- •Лабораторная работа №1 Исследование полупроводниковых диодов
- •Введение
- •Выпрямительные диоды
- •Общие параметры диодов
- •Порядок выполнения работы
- •Основные характеристики транзистора
- •Схемы включения транзисторов
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №3 Исследование работы полевого транзистора
- •Введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №4
- •1. Снятие статических и нагрузочной характеристик триода
- •2. Снятие статических и нагрузочных характеристик пентода
- •Исследование выпрямителя для питания радиоэлектронной аппаратуры
- •I. Вентили
- •II. Однополупериодное выпрямление
- •III. Двухполупериодное выпрямление с отводом от средней точки
- •IV. Двухпериодный мостиковый выпрямитель
- •V. Фильтры
- •VI. Особенности режима работы вентилей выпрямителя. Угол отсечки
- •VII. Переменная составляющая напряжения Коэффициент пульсаций
- •VIII. Внешняя характеристика выпрямителя
- •IX. Коэффициент сглаживания фильтра
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №6
- •Введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа №7 Изучение работы стабилизаторов напряжения
- •Введение
- •Параметрические стабилизаторы
- •Компенсационные стабилизаторы
- •Порядок выполнения работы
- •Литература
- •Лабораторная работа №8 Исследование характеристик усилителя нч
- •Введение
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •2. Ждущий мультивибратор с катодной связью
- •3. Схема мультивибратора на полупроводниковых приборах
- •Описание принципиальной схемы стенда эс-8
- •Порядок выполнения работы
- •Ждущий мультивибратор с катодной связью и регулируемым смещением
- •Мультивибратор на транзисторах
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Лабораторная работа № 10 Изучение работы триггеров
- •Введение
- •Симметричные триггеры на транзисторах.
- •Описание экспериментального стенда.
- •Порядок выполнения работы.
- •Контрольные вопросы
- •Литература:
Порядок выполнения работы
В работе исследуются транзисторы с каналом р-типа.
1. Подключить к установке измерительные приборы (вольтметры V1 и V2, рис. 5).
2. Снять выходные характеристики IСТ= f(UСИ) при нескольких заданных напряжениях на затворе UЗИ, в том числе при UЗИ=0. Для снятия выходных характеристик использовать таблицу 1.
3. Снять переходные характеристики IСТ= f(UЗИ) при нескольких заданных напряжениях на стоке UЗИ, для чего установить напряжение сток-исток, равное N2V и, изменяя напряжение затвор-исток с интервалом в ** от 0 В до напряжения отсечки (когда ток стока уменьшится до 0,5-1,0 А), измерить значение тока стока и записать их в таблицу 2. Выполнить подобные операции для напряжения сток-исток, равного M*V и L*V
4. По выходной характеристике IСТ= f(UСИ) определить:
а) напряжение насыщения на стоке UСИ НАС.;
б) ток насыщения IСТ НАС. при UЗИ=0 и UСИ=UСИ НАС.;
в) выходное сопротивление при UЗИ=0 и UСИ>UСИ НАС. по формуле:
5.По переходной характеристике IСТ= f(UЗИ) определить:
а) напряжение отсечки UЗИ ОТС.
б) крутизну в режиме насыщения:
в) остаточный ток стока IСТ ОСТ. при UЗИ=UЗИ ОТС.
6) рассчитать крутизну по формуле (3) и сравнить со значением, полученным в пункте 5б.
Выходные характеристики: IСТ= f(UСИ) / UЗИ=const.
UЗИ1=0 |
|
Входной источник питания ИП1 НЕ ВКЛЮЧЕН. Если перед измерениями он был включен, то после его выключения необходимо дождаться полной разрядки емкостей фильтра источника питания ИП1. |
UЗИ2=k3mV; UЗИ3=2k*mV; UЗИ4=3k*mV; UЗИ5=4k*mV; UЗИ6=1,W*V;
Рис. 5.
Переходные характеристики: IС= f(UЗИ) / UСИ=const.
UСИ1=-L*V; UСИ2=-M*V; UСИ3=-N*V;
Таблица 1.
UЗИ=0 |
UЗИ=K*mV |
… |
UЗИ=4K*mV |
UЗИ=1,W*V |
UЗИ ОТС. | ||||
UСИ,V |
IСТ,A |
UСИ,V |
IСТ,A |
UСИ,V |
IСТ,A |
UСИ,V |
IСТ,A |
IСТ(1...0,5A) | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 2.
UСИ1=-L4V; |
UСИ2=-M*V; |
UСИ3=-N*V; | |||
UЗИ, V |
IС, A |
UЗИ, V |
IС, A |
UЗИ,V |
IС, A |
|
|
|
|
|
|
Контрольные вопросы
1. Нарисуйте простейшие конструкции полевых транзисторов с р-п-переходом, со встроенным каналом и с индуцированным каналом, и расскажите о принципах их работы.
2. Как обозначаются на схемах полевые транзисторы?
3. Что такое напряжение насыщения?
4. Как зависит напряжение насыщения от напряжения на затворе?
5. Нарисуйте распределение объемного заряда в канале транзистора при различных напряжениях UСИ и UЗИ.
6. Что такое напряжение отсечки?
7. Каким параметром характеризуются свойства транзистора и почему? Как определить этот параметр по характеристикам транзистора?
8. Расскажите о преимуществах и недостатках полевых транзисторов по сравнению с обычными биполярными транзисторами и лампами.