2.2 Исследование передаточной и выходной вольтамперной характеристики полевого мдп-транзистора со встроенным каналом n-типа
Для начала была снята передаточная характеристика транзистора Iс = f(Uзи), изменялось напряжение на затворе и измерялся ток стока Iс до тех пор, пока ток стока транзистора не достиг значения 15-18мА. Результаты измерений представлены в таблице 2.3.
Таблица 2.3 – Результаты измерений
Uзи, В |
0 |
0,5 |
1 |
1,5 |
2 |
Iс, мА |
1,25 |
2,4 |
5,5 |
9 |
15 |
Затем была построена передаточная вольтамперная характеристика полевого транзистора Т2 (рисунок 2.4).
Рисунок 2.4 – Передаточная характеристика МДП-транзистора
Далее были сняты выходные характеристики транзистора Iс = f(Uзи) при напряжениях на затворе равных Uзи = 0В, Uзи1 = 0,5В, Uзи2 = 1В. Результаты измерений представлены в таблице 2.4.
Таблица 2.4 – Результаты измерений
Положения переклю-чателя П6 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
Примечание |
IС, мА |
0 |
0 |
0 |
0,8 |
0,9 |
1 |
1 |
1 |
1,25 |
1,25 |
Uзи = 0В |
UСИ, В |
0 |
0 |
0 |
0,2 |
1 |
2,4 |
4,8 |
7,2 |
8,4 |
9,2 |
|
IС, мА |
0,2 |
0,5 |
1 |
1,25 |
1,5 |
2 |
2 |
2,5 |
2,5 |
2,5 |
Uзи1 = 0,5В |
UСИ, В |
0 |
0 |
0,1 |
0,6 |
1,2 |
2,4 |
4,8 |
7,2 |
8,4 |
9,6 |
|
IС, мА |
0 |
0 |
0 |
2,5 |
3,5 |
4 |
4,75 |
5 |
5,3 |
5,5 |
Uзи2 = 1В |
UСИ, В |
0 |
0 |
0,4 |
0,4 |
1 |
2,4 |
4,6 |
7,2 |
8,3 |
9,2 |
На рисунке 2.5 представлены графики зависимости Iс = f(Uзи).
Рисунок 2.5 – Выходные характеристики транзистора
Далее необходимо было определить крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление транзистора.
Крутизна характеристики:
мА/В
Дифференциальное сопротивление:
В
2.3 Исследование передаточной и выходной вольтамперной характеристики полевого мдп-транзистора с индуцированным каналом n – типа
Для начала была снята передаточная характеристика транзистора Iс = f(Uзи), изменялось напряжение на затворе и измерялся ток стока Iс до тех пор, пока ток стока транзистора не достиг значения 15-18мА. Результаты измерений представлены в таблице 2.5.
Таблица 2.5 – Результаты измерений
Uзи, В |
2 |
2,2 |
2,5 |
Iс, мА |
0 |
2,5 |
15 |
Затем была построена передаточная вольтамперная характеристика полевого транзистора Т3 (рисунок 2.6).
Рисунок 2.6 – Передаточная характеристика МДП-транзистора
Далее были сняты выходные характеристики транзистора Iс = f(Uзи) при напряжениях на затворе равных Uзи1 = 2В, Uзи2 = 2,2В, Uзи3 = 2,4В. Результаты измерений представлены в таблице 2.6.
Таблица 2.6 – Результаты измерений
П6 |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
Примечание |
Ic, мА |
0 |
0 |
0 |
0 |
1,9 |
3,8 |
4,5 |
5 |
5,3 |
5,5 |
Uзи=2 |
Ucи, В |
0 |
0,2 |
0,3 |
0,7 |
1,5 |
2,8 |
5 |
8 |
9 |
10 |
|
Ic, мА |
0 |
0 |
0 |
0 |
2,8 |
5,5 |
7,25 |
7,5 |
7,8 |
8 |
Uзи=2,2 |
Ucи, В |
0 |
0,2 |
0,3 |
0,6 |
1,4 |
2,8 |
5 |
8 |
9 |
10 |
|
Ic, мА |
0 |
1 |
2,5 |
3,5 |
6 |
10 |
13 |
15 |
15,5 |
16 |
Uзи=2,4 |
Ucи, В |
0 |
0 |
0,1 |
0,35 |
1 |
2,5 |
5 |
7 |
8 |
9 |
На рисунке 2.5 представлены графики зависимости Iс = f(Uзи).
Рисунок 2.5 – Выходные характеристики транзистора
Далее необходимо было определить крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление транзистора.
Крутизна характеристики:
Дифференциальное сопротивление:
