Министерство высшего образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ

УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ» (ТУСУР)

Кафедра телевидения и управления (ТУ)

ОТЧЕТ

по лабораторной работе: «Исследование вольтамперных характеристик полевых транзисторов»

по дисциплине: «Метрология, стандартизация и технические измерения»

Преподаватель кафедры ТУ ________ В.А.Шалимов ________

Студент гр.739-1 __________ Климанов М.Д. 10.12.2021г

1 Введение

Цель работы – изучение принципа работы полевых транзисторов, исследование статических вольт-амперных характеристик, оценка статических параметров транзисторов.

2 Ход работы

Для исследования статических вольтамперных характеристик полевых транзисторов в схеме общим истоком используется схема, изображенная в правой части лабораторного макета (рис. 2.1.).

С помощью переключателя П7 выбирается тип исследуемого транзистора.

Управляющее напряжение на затворе транзистора задается делителем , , . Напряжение на стоке транзистора измеряется осциллографом, а ток, протекающий через транзистор, стрелочным миллиамперметром, включаемым в цепь стока транзистора переключателем П5. Чувствительность прибора устанавливается переключателем П4.

Рисунок 2.1 – Лицевая часть макета для исследования полевых транзисторов

2.1 Исследование передаточной и выходной вольтамперной характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа

Для начала была снята передаточная (сток-затворная) характеристика транзистора I_с = f(U_зи), изменялось напряжение на затворе с интервалом 0,5В и измерялся ток стока I_с до тех пор, пока транзистор не закрылся. Результаты измерений представлены в таблице 2.1.

Таблица 2.1 – Результаты измерений

Uзи, В	0	-0,5	-1	-1,5	-2	-2,5
Iс, мА	7	4,6	2.9	1,6	0,45	0

Затем была построена передаточная вольтамперная характеристика полевого транзистора Т1 (рисунок 2.2).

Рисунок 2.2 – Передаточная характеристика полевого транзистора

Далее были сняты выходные характеристики транзистора I_с = f(U_зи) при напряжениях на затворе равных U_зи = 0В, U_зи1 = -0,5В, U_зи2 = -1,5В. Результаты измерений представлены в таблице 2.2.

Таблица 2.2 – Результаты измерений

Положения переклю-чателя П6	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	Примечание
IС, мА	0,4	1	1	2,4	4,5	6	6,25	6,25	6,25	6,25	Uзи = 0В
UСИ, В	0	0	0	0,4	1	2,3	4,5	7	8,2	9,2
IС, мА	0,2	0,4	1	2	3,5	4,25	4,5	4,75	4,75	4,75	Uзи1 = -0,5В
UСИ, В	0	0	0	0,4	1,2	2,4	4,8	7,2	8,4	9,6
IС, мА	0,1	0,2	0,3	0,9	1,1	1,25	1,3	1,3	1,3	1,3	Uзи2 = -1,5В
UСИ, В	0	0	0	0,4	1,2	2,5	4,8	7,6	8,5	9,8

На рисунке 2.3 представлены графики зависимости I_с = f(U_зи).

Рисунок 2.3 – Выходные характеристики транзистора

Далее необходимо было определить крутизну характеристики и дифференциальное сопротивление транзистора.

Крутизна характеристики:

мА/В

Дифференциальное сопротивление:

В