Содержание

Y

ВВЕДЕНИЕ 5

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ. 6

2. ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 6

2.1. Параметры модели Гуммеля-Пуна, сведённые в таблицу 8

3. РАСЧЕТ ПОЛОЖЕНИЯ РАБОЧЕЙ ТОЧКИ 13

3.1. Расчет сопротивлений усилителя ,, , с учетом таблицы номиналов (Приложение В) и положения рабочей точки , . 13

3.2. Графоаналитический расчет рабочей точки и малосигнальных параметров транзистора 13

4. РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ УСИЛИТЕЛЯ ПО МАЛОСИГНАЛЬНОЙ СХЕМЕ 15

4.1 Параметры усилителя без отрицательной обратной связи по току 15

4.2 Параметры усилителя с отрицательной обратной связью по току 15

4.3. Расчет значений емкостей , , 16

5. МОДЕЛИРОВАНИЕ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЯ В РЕЖИМЕ БОЛЬШОГО СИГНАЛА 17

5.2 Расчет амплитудно-частотных характеристик усилителей 22

6. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЯ 24

6.1 Определение положения рабочей точки 24

6.2 Измерение амплитудных характеристик усилителей 24

6.3 Измерение амплитудно-частотных характеристик усилителей 25

7. ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ 28

8. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 29

Введение

Целью курсовой работы является практическое освоение методов количественного и качественного анализа линейного усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе.

В ходе выполнения работы параметры транзистора задаются по модели Гуммеля – Пуна, и буду рассчитаны его входные и выходные характеристики при использовании программного обеспечения B2 Spice, а также при помощи выполнения графоаналитического расчета для двух схем с ООС и без ООС.

Для проверки теоретически полученных параметров усилителя будет производится эксперимент на лабораторном стенде.

1. Цель работы.

Цель работы: изучить устройство и исследовать основные параметры биполярного транзистора, определяющих работу линейного усилителя низкой частоты.

Объект работы: биполярный транзистор П306 по модели Гуммеля-Пуна. Полупроводниковый элемент с тремя электродами, который служит для усиления или переключения сигнала.

, В	, мА	А
14	10	11

2. Параметры биполярного транзистора

Рис.1. Модель Гуммеля-Пуна p-n-pбиполярного транзистора

По данным, полученным в ходе эксперимента, построим входные и выходные характеристики транзистора:

1. Выходные характеристики

Таблица 1. Вольтамперная характеристика транзистора при токе базы

	0	1,2	1,6	2	4	10	16	20
	0	0,6	0,8	0,9	0,7	0,6	0,5	0,4

Таблица 2. Вольтамперная характеристика транзистора при токе базы

	0	0,3	0,4	0,6	1	5	10	18	20
	0	6	8,8	9,6	10	10,4	10,7	11,2	11,3

Таблица 3. Вольтамперная характеристика транзистора при токе базы

	0	0,4	0,45	0,5	0,6	1	8	12	20
	0	10	15,6	16	16,4	16,8	17,6	18	19

Рис.2. Заданные выходные характеристики