Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Чувствительность радиоприёмных устройств

..pdf
Скачиваний:
12
Добавлен:
05.02.2023
Размер:
1.25 Mб
Скачать

81

д действующая магнитная проницаемость сердечника (для

ферритовой антенны).

Обычно параллельно катушке магнитной антенны подключается конденсатор (с постоянной или с переменной ѐмкостью) или его эквивалент, например – варикап, и полученный таким образом параллельный колебательный контур является одноконтурной входной цепью приѐмника (рис. 6.1 а). При этом действующая высота

магнитной антенны возрастает в Qэ (1/ dэ ) раз:

 

hд 2 w Sв д Qэ .

(6.2)

Рисунок 6.1 – Эквивалентные схемы ВЦ с магнитной антенной

Возможно усложнение входной цепи для получения большей селективности путѐм включения второго контура, связанного с первым.

Подробный расчѐт параметров магнитных антенн изложен в [3,6].

82

6.2Расчетные формулы для чувствительности приѐмника

смагнитной антенной

Получим формулу для оценки чувствительности приѐмника с магнитной антенной. Для этого представим эквивалентную схему ВЦ преселектора в виде резонансного контура с индуктивностью LA ,

ѐмкостью Cэ и собственным сопротивлением потерь rк (рис. 6.1,а).

В этой схеме связь ЭДС Ес , Еш внеш с напряженностями электромагнитного поля сигнала с и шумов ш внеш в точке приѐма

определяется формулой (5.4), а квадрат эффективного значения

шумовой ЭДС в контуре от сопротивления rк

 

Е2

4kT П

r .

(6.3)

ш к

0

 

ш к

 

Предположим, что известны

эффективная полоса

шумов

приѐмника Пш , действующая высота магнитной антенны hд ,

резонансная

конструктивная

проводимость

контура

ВЦ

g

к

d

С

э

d2

r , характеристическое сопротивление контура

 

 

 

 

к с

к

к

 

 

 

 

 

 

 

 

LA Cэ , коэффициент шума УС приемника NУС , коэффициент

включения первого каскада к контуру ВЦ m .

 

 

 

 

 

Поскольку (см. рис. 6.1)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Uвх m Uк ,

Uк Е dэ ,

 

(6.4)

то с учѐтом (5.6) напряжения сигнала и внешних шумов на входе первого каскада:

 

Uвх с с реал hд m dэ ;

 

 

 

(6.5)

U

вх ш вн

 

ш внеш

h

д

m

П'

d

э

.

(6.6)

 

 

 

 

ш

 

 

 

Выразив ток Iш к через ЭДС Еш к (см. рис. 6.1,б) в виде

Iш к Еш к gк dк

83

с учѐтом (6.2) определим квадрат эффективного значения шумового напряжения, обусловленного контуром ВЦ на входе УП:

 

 

 

mI

 

 

 

 

2

m E

 

 

 

g

 

 

2

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ш к

 

 

ш к

к

 

 

4kT0 Пш m dк

 

 

Uвх2 ш к

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

(6.7)

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

g11

 

 

 

 

dк gэ

 

 

 

 

d

2

 

 

 

gк m

 

 

 

 

 

 

 

э

 

Учитывая, что квадрат эффективного значения шумового

напряжения на входе УП U2

N

УС

U2

 

 

, а также необходимость

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вх ш

 

 

 

 

 

вх ш к

 

 

 

 

 

обеспечения отношения вых РТ Рс

Рш

 

на выходе РТ приѐмника,

запишем с учѐтом (6.4) – (6.6) следующее неравенство:

 

 

 

 

U2

 

2

 

 

h2 m2

U2

 

 

U2

 

 

 

 

 

вх с

 

с реал

д

 

 

 

 

 

 

вых РТ

 

 

 

вых РТ d2э

 

 

 

 

 

вх ш к

 

 

ш вх внеш

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4kT0Пш m2 dк NУС

 

ш внеш h2д m2 П 'ш

.

(6.8)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d2э

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d2э

 

 

 

Из (6.8) следует, что реальная чувствительность по полю приѐмника с магнитной антенной с учѐтом внутреннего шума, шума антенны, внешних помех может быть оценена по формуле

 

 

 

 

 

4kT П

ш

d

к

N

УС

2

 

 

 

с реал

 

 

 

0

 

 

П ' .

(6.9)

 

 

2

 

 

 

 

 

 

вых РТ

 

 

 

 

 

ш внеш

ш

 

 

 

 

 

 

 

hд

 

 

 

 

 

 

Из (6.9) следует, что для повышения чувствительности необходимо стремиться к уменьшению:

эффективной полосы шумов Пш ;

конструктивного затухания контура ВЦ dк ;

коэффициента шума УС NУС ;

к увеличению:

действующей высоты антенны hд ;

характеристического сопротивления контура ВЦ .

84

Последнее следует из того, что для частоты const

пропорционально квадрату числа витков w катушки ВЦ, dк обратно пропорционально w , а hд пропорциональна w .

6.3Расчѐт чувствительности приемника

взависимости от требований технического задания

6.3.1 Оценка реальной чувствительности

Если ТЗ требует оценить реальную чувствительность приѐмника, то необходимо учесть следующее.

Первое слагаемое в скобках формулы (6.8) характеризует квадрат чувствительности приѐмника по полю, определяемой тепловыми шумами антенного контура и внутренними шумами усилительного тракта:

2

 

4kT0 Пш dк NРТ

.

 

ш соб

 

h2д

 

 

Второе слагаемое характеризует квадрат напряженности поля внешних помех в точке приѐма, приведенной к эффективной полосе шумов приѐмника:

2ш внеш ш2 внешП 'ш .

При расчѐте максимальной чувствительности необходимо оценить величины 2ш соб и 2ш внеш , сравнить их между собой и

сделать выводы, аналогичные описанным в подразделе 5.3.1. Коэффициент шума первого усилительного каскада приѐмника с

магнитной антенной может быть рассчитан по формуле (5.19) или задан по рекомендациям подраздела 3.3.

85

6.3.2 Оценка допустимого коэффициента шума

Если в ТЗ задана величина требуемой реальной

чувствительности по полю

с реал ТЗ , то из (6.8)

необходимо найти

допустимую величину коэффициента шума УС приѐмника

 

Nдоп УС

с2реал ТЗ

вых РТ ш2

внешП 'ш

h2д

(6.10)

 

4kT0Пш dк

 

 

 

 

 

 

 

и сделать выводы, аналогичные описанным в подразделе 5.3.2.

86

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1.

Расчет

радиоприѐмников / Н.В. Бобров,

Г.В. Максимов,

 

В.И. Мичурин, Д.П. Николаев. – М.: Воениздат, 1971. – 496 с.

2.

Горшелев В.Д.

и

др.

Основные

проектирования

 

радиоприѐмников. – Л.: Энергия, 1977. – 384 с.

 

3.Проектирование радиоприѐмных устройств / Под общ. ред. А.П. Сиверса. – М.: Советское радио, 1976. – 488 с.

4.Белкин М.К. и др. Справочник по учебному проектированию приѐмно-усилительных устройств. – К.: Выща школа, 1988. – 472 с.

5.Музыка З.Н. Чувствительность радиоприѐмных устройств на полупроводниковых приборах. – М.: Радио и связь. 1981. –

168 с.

6.

Калихман С.Г.,

Левин Я.М.

Радиоприѐмники

на

 

полупроводниковых приборах. Теория и расчѐт. – М.: Связь,

 

1979. – 352 с.

 

 

 

7.

Васин В.В.,

Степанов Б.М.

Справочник-задачник

по

радиолокации. – М.: Советское радио, 1977. – 320 с.

8.Ред Э.Т. Схемотехника радиоприѐмников. – М.: Мир, 1989. – 152 с.

9. Ред Э.Т.

Справочное

пособие

по

высокочастотной

схемотехнике. – М.: Мир, 1990. – 256 с.

10.Электромагнитная совместимость и непреднамеренные помехи / Сост. Дональд Р.Ж. Увайт. – Вып. 1: Общие вопросы электромагнитной совместимости. Межсистемные помехи. – М.: Советское радио, 1977. – 392 с.

11.Гальперович Д.Я. и др. Радиочастотные кабели. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 256 с.

12.Чернышов В.П. Антенно-фидерные устройства радиосвязи и радиовещания. – М.: Связь, 1978. – 288 с.

87

13.Поляков В.Т. Рамочная средневолновая антенна//Радио. –

1994. - №1. – С.19-20.

14.Полупроводниковые приборы: транзисторы: Справочник / Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 904 с.

15.Полупроводниковые приборы: транзисторы малой мощности: Справочник / Под ред. А.В. Голомедова. – М.: Радио и связь, 1989. – 640 с.

16.Аксѐнов А.И. и др. Элементы схем бытовой радиоаппаратуры. Диоды. Транзисторы: Справочник. – М.: Радио и связь, 1993. – 224 с.

17. Аксѐнов А.И.,

Нефедов А.В.

Отечественные

полупроводниковые

приборы / 5-е изд.,

доп. и испр. – М.:

СОЛОН – Пресс, 2005. – 584 с.

18.Полевые транзисторы. Физика, технология, применения / Пер.

санг. под ред. С.А. Майорова. – М.: Советское радио, 1971. – 376 с.

f 0,3fгр , где
t11,

88

ПРИЛОЖЕНИЕ

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ Y-ПАРАМЕТРЫ И СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ МАЛОШУМЯЩИХ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Для оценки усилительных способностей каскадов радиоприѐмника и устойчивости формы их резонансных

характеристик, оценки шумовых параметров Rш необходимо провести расчѐт высокочастотных Y-параметров используемых транзисторов по данным, приводимым в справочной литературе.

П.1 Биполярные транзисторы

На частотах fгр (или fТ ) – частота, на которой

модуль коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером ( ОЭ) h21ý 1 , Y-параметры биполярного транзистора

могут быть рассчитаны по формулам табл. П.1 при включении с ОЭ и по формулам табл. П.2 при включении с ОБ [3]. Для упрощения в обозначениях Y-параметров схемы с ОЭ индекс «Э» опущен.

 

 

 

 

89

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица П.1

Формулы для расчѐта Y-параметров биполярного транзистора с ОЭ

 

Y-параметры

 

Расчѐтные формулы

 

 

 

g21

0 1 0 h11б 1 S2

.

g21

jb21

b21

0 s

1 0 h11б 1 S2

Y21

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0 1 0 h11б

1 S2

 

 

 

Y21

 

 

 

g12

к 0 Т S

0h11б 1 S2

.

 

 

b12

Cк к 1 0 Т S

0h11б 1 S2

g12 jb12

 

 

С12

 

 

 

Y12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

~ Cк

 

 

 

 

 

 

Y12

 

 

 

 

 

 

 

 

g22

к S h11б 1 S2

.

g22

jb22

b22

Ск к

h11б 1 S2 С22

Y22

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

Y22

 

к

h

 

1

 

 

 

 

 

11б

 

 

 

S

 

 

 

g11

1 0 Т S

0h11б 1 S2

.

g11

jb11

b11

0 Т S

0h11б 1 S2 С11

Y11

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 2 2

2h2

 

1 2

 

 

 

Y11

 

 

 

 

 

0

Т

0

11б

 

S

90

Таблица П.2

Формулы для расчѐта Y-параметров биполярного транзистора с ОБ

 

Y-параметры

 

 

 

 

 

Расчѐтные формулы

.

g21б

jb21б

 

g21б

 

0 1 0 h11б 1 S2

Y21б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b21б

 

0 s 1 0 h11б 1 S2

.

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y21

Y22

 

 

.

 

 

 

 

1 h

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 2

 

 

 

 

 

 

Y21б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

0

 

11б

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

g12б

 

к Т S

h11б 1 S2

Y12б g12б

jb12б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b12б

 

к 1 Т S h11б 1 S2 C12б

.

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y12

Y22

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h11б 1 S2

 

 

 

 

 

 

 

 

к

1 Т2 S2

 

 

 

 

 

 

 

 

Y12б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

g22б

 

 

 

к S h11б 1 S2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h11б 1 S2 С22б

Y22б g22б

jb22б

 

b22б

 

Ск к

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y22

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

 

 

 

 

 

 

Y22б

 

 

 

h

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к

11б

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

g11б

 

 

1 Т S

h11б 1 S2

g11б

jb11б

 

 

 

 

Т S

h11б 1 S2 С11б

Y11б

 

b11б

 

.

.

 

.

.

 

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

h11б 1 S2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y21 Y12 Y22 Y11

 

 

 

 

1 Т2 S2

 

 

 

Y11б