Добавил:

ivanov666 Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.

Вуз:

Томский Государственный Университет Систем Управления и Радиоэлектроники

Предмет:

[НЕСОРТИРОВАННОЕ]

Файл:

Чувствительность радиоприёмных устройств

..pdf

Скачиваний:

Добавлен:

05.02.2023

Размер:

1.25 Mб

Скачать

☆

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 910 / 1010

Обозначения в формулах табл. П.1 и табл. П.2 следующие:

0 h21ЭО статический коэффициент усиления тока базы при короткозамкнутом выходе в схеме с ОЭ (если в справочной

литературе параметр			указывается в		пределах 01... 02 , то		для
расчѐтов		используется		среднегеометрическое		значение

0	01 02 );
h11б rэ rб		1 0 входное			сопротивление		при
короткозамкнутом выходе в схеме с ОБ ;
rэ Ом 26		IЭ мА дифференциальное сопротивление эмиттера;
IЭ постоянная составляющая тока эмиттера;
rб Ом 2,5 к [nс] Ск пФ внутренне сопротивление базы;

к постоянная времени цепи внутренней обратной связи на высокой частоте;

Ск ѐмкость коллекторного перехода;

S ffS ; Т ffТ ;

fS fТrэ rб граничная частота по крутизне в схеме с ОЭ;

fТ h21Э fизм ;

fизм частота, на которой измерена величина h21Э ;

С12(С12б ) эквивалентная проходная ѐмкость в схеме с ОЭ (в схеме с ОБ ) при короткозамкнутом входе;

С22 С22б эквивалентная выходная ѐмкость в схеме с ОЭ или в схеме с ОБ при короткозамкнутом входе;

С11(С11б ) эквивалентная входная ѐмкость в схеме с ОЭ (в схеме с

ОБ ) при короткозамкнутом выходе.

S 1 (3,5 Rи ) 0,285 yи .

f 600...700 МГц

Параметры транзисторов приводятся в справочной литературе для определенного тока эмиттера IЭ1 и определенного напряжения коллектора Uк1. При изменении режима ( IЭ2 , Uк2 ) необходимо пересчитать используемые для расчѐта справочные величины по формулам:

Ск Uк2 Ск Uк1 Uк1Uк2 ;

fТ IЭ2 fТ IЭ2 IЭ2 IЭ1 .

В табл. П3 приведены параметры высокочастотных малошумящих биполярных транзисторов [14-17].

П.2 Полевые транзисторы

Полевые транзисторы могут достаточно эффективно использоваться в резонансных усилителях на частотах

f 0,6fsn ,

где fsп частота, на которой вещественная составляющая крутизна транзистора уменьшается на 3 дБ. При этом Y-параметры

транзистора, включенного по схеме с общим истоком ( ОИ ) могут быть

рассчитаны на частотах по формулам табл. П4,

которые получены при условии, что крутизна полевого транзистора на низкой частоте и сопротивление истоковой области (объѐмное сопротивление истока плюс контактное сопротивление) связаны

соотношением Такое соотношение оказывается достаточно точным для высокочастотных маломощных полевых транзисторов [18].

Таблица П.3

Справочные данные высокочастотных малошумящих биполярных транзисторов

Тип

Структу-

Рк макс, мВт

fгр, ГГц

Iк0,мкА

h21ЭО

Ск, пФ

τк, пс

N, дБ (f, ГГц)

транзис-

ра

(t0C)

кб

, В)

кэ

, В; I

, В)

тора

мА)

КТ3101А-2

n-p-n

100(45)

≥4,0

≤0,5(15)

35…300

≤1,5(5)

≤10

≤4,45(2,25)

(1;5)

КТ3102Д

≥0,150

≤0,015(30)

200…500

(5;2)

n-p-n

250

≤6(5)

≤100

≤4(10-6)

КТ3102Е

≥0,300

≤0,015(20)

400…1000

(5;2)

КТ3106А-2

n-p-n

30(50)

≥1,0

≤0,5(15)

≥40

≤2(5)

≤50

≤2(0,12)

(5;5)

КТ3107Е

120…220

КТ3107Ж

p-n-p

300

≥0,2

≤0,1(20)

180…460

≤7(10)

≤150

≤4(10-6)

(5;2)

КТ3107Л

380…800

КТ3114Б-6

15…80

≤2

n-p-n

25(100)

≥4,3

≤0,5(5)

≤0,44(3)

≤8

(0,4)

(3;1)

КТ3114В-6

≤3

КТ3115Г-2

n-p-n

50(85)

≥5,8

≤0,5(7)

≥15(5;5)

≤0,6(5)

≤3,8

≤4(5,0)

КТ3120А

n-p-n

100

≥1,8

≤0,5(15)

≥40(1;5)

≤2(5)

≤8

≤2(0,4)

Продолжение табл. П.3

КТ3123А-2

≤2,4

(КТ3123АМ)

КТ3123Б-2

p-n-p

150

≥5,0

≤0,01

40(10;10)

≤0,7

≤5

≤3(1,0)

(КТ3123БМ)

КТ3123В-2

≤2,4

(КТ3123ВМ)

КТ3168А-9

n-p-n

180(55)

≥3,0

≤0,5(15)

60…180

≤1,5(5)

≤10

≤3(1,0)

(5;5)

КТ331А-1

≥0,25

20…60

КТ331Б-1

≤0,25

40…120

n-p-n

≤0,2(15)

(5;1)

≤5(5)

≤120

≤4,5(0,1)

КТ331В-1

≤0,25

80…220

КТ331Г-1

≤0,4

40…120

КТ368А

n-p-n

225(65)

≥0,9

≤0,5(15)

50…300

≤1,7(5)

≤15

≤3,3(0,06)

КТ368АМ

(5;10)

КТ372А

n-p-n

50(100)

≥2,4

≤0,5(15)

≥10(5;10)

≤1(5)

≤12

≤3,5(1)

КТ382А

40…330

≤15

≤3

n-p-n

100(65)

≥1,8

≤0,5(15)

≤2(5)

(0,4)

(1;5)

КТ382Б

≤10

≤4,5

КТ391А-2

n-p-n

70(85)

≥5,0

≤0,5(10)

≥20(7;5)

≤0,7(5)

≤3,7

≤4,5(3,6)

КТ392А-2

p-n-p

120(65)

≥0,3

≤0,5(40)

40…180

≤2,5(5)

≤120

≤4,5(0,1)

(5;2;5)

КТ399А

n-p-n

150(55)

≥1,8

≤0,5(15)

≥40(1;5)

≤1,7(5)

≤8

≤2(0,4)

КТ399АМ

Частоту fsи можно найти, используя первую формулу табл. П.4:

fsи 0,5S Cзи ,

где

Сзи ѐмкость затвор-исток транзистора;

Обозначения в формулах табл. П4 следующие:

Сзс ѐмкость затвор-сток;

gси проводимость сток-исток;

Сси ѐмкость сток-исток.

Таблица П.4

Формулы для расчѐта Y-параметров полевого транзистора с ОИ

Y-параметры

Расчѐтные формулы

0,2 C

зи

S 2

Сзс 0,2Сзи

1 0,2 Cзи

Y21

S2 2

0,2С

1 0,2 C

S 2

Y21

зс

зи

Y12 jb12

b12

Сзс

g22

gси

зс

1 0,2 C

зи

S 2

си

Y22

2 2

Y22

Сзс Сси

0,2 Cзи

gси

0,4 C

зи

0,2 C

зи

S 2

зс

0,7С

зи

0,2 C

зи

S 2

Y11

0,4 Сзи

Cзс 0,7Сзи

Y11

1 0,2 C

S 2

зи

Величины gси , Сси приводятся в справочной литературе не для всех транзисторов. Для ориентировочной оценки выходной

проводимости Y22 можно использовать приближенные соотношения: gси 10 4...2,5 10 4 См ;

Сси 0,3...1 Сзи .

В табл. П.5 приведены параметры высокочастотных малошумящих полевых транзисторов [14-17].

Таблица П.5

Справочные данные высокочастотных малошумящих полевых транзисторов

Тип

Рси,

Uзи отс,

Iс нач,

Сзи,

Сзс,

Сси,

gси,

N, дБ

транзис-

Структура

мВт

мА

мС

пФ

мС

(f, ГГц)

тора

КП303Д

p-n переход

200

≥-8

≤9

≤2,6

≤6

≤2

≤4(0,1)

КП303Е

n-канал

≤20

≤4

КП306А

два

≥-4

изолирован-

КП306Б

150

≥-4

4…8

≤5

≤0,07

≤6(0,2)

ных затвора,

КП306В

≥-6

n-канал

КП307Г

n-p переход

≤0,2

250

-(1,5…6)

8…24

6…12

≤5

≤1,5

(Uси=10 В,

≤6(0,4)

КП307Д

n-канал

Uзи=0 В

изолирован-

КП310А

ный затвор,

≤5

3…6

≤2,5

≤0,5

≤6(1,0)

n-канал

КП312А

p-n переход,

100

-(2…8)

≤25

4…5,8

≤4

≤1

≤4(0,4)

КП312Б

n-канал

-(0,8…6)

2…5

≤6(0,4)

два

КП322А

изолирован-

200

-(2,2…12)

≤42

3,2…6

≤6

≤0,2

≤6(0,25)

ных затвора,

n-канал

два

КТ327А

изолирован-

200

≥-2,7

≤10

≥11

≤2,5

≤4,5

КП327Б

ных затвора,

≤3

n-канал

Продолжение табл. П.5

1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11

КП341А	p-n переход,				15…30					≤2,8(0,4)
		150	≥-3			≤5	≤1	≤1,6		≤2,8(0,4)
		150	≥-3			≤5	≤1	≤1,6		≤1,8(0,2)
КП341Б	n-канал				16…32					≤1,8(0,2)
КП341Б	n-канал				16…32

КП346 А9	два изолирован-			2…20	≥12	≤2,6		≤1,3		≤3,5(0,8)
КП346 Б9	ных затвора,	200		≤20	≥10	≤3	0,035	≤1,5		≤4,5(0,1)
КП346 В9	n-канал			2…20	≥12	≤2,6		≤1,3		≤1,9(0,1)

	два изолирован-
	ных затвора,				≥10					≤2,5
КП347А-2	n-канал,	200	+3	≤5	(10 В,	≤3,5	0,04			≤2,5
КП347А-2	n-канал,	200	+3	≤5	(10 В,	≤3,5	0,04			(200МГц)
	с 2мя защищенными				10 мА)					(200МГц)
	с 2мя защищенными				10 мА)
	диодами										98

КП350А	два изолирован-				≥6				≤0,25	≤6(0,4)
	два изолирован-				≥6				(Uси=10 В,	≤6(0,1)
	ных затвора,	200		3,5	≥6	≤6	≤0,07	≤6	(Uси=10 В,	≤6(0,1)
КП350Б	ных затвора,	200		3,5	≥6	≤6	≤0,07	≤6	Uз2=6 В,
КП350Б	n-канал				≥7				Uз2=6 В,
	n-канал				≥7				Ic=10 мА)	≤8(0,4)
									Ic=10 мА)	≤8(0,4)
КП364Д		200	≤8	3…9	≥2,6	≤6	≤2			≤4
	p-n переходом,				(10 В)					(100МГц)
КП364Е	n-каналом	200	≤8	5…20	≥4	≤6	≤2			≤4
					(10 В)					(100МГц)

КП382А	nМОП, с двумя	200	2,7	≤20	≥10					3
КП382А	затворами	200	2,7	≤20	≥10					3
	затворами

КП601А	p-n переход,		-(4…9)
		500		400	40…87		≤6			≤6(0,4)
КП601Б	n-канал		-(6…12)

Мелихов Сергей Всеволодович

ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ РАДИОПРИЁМНЫХ УСТРОЙСТВ

Учебное пособие для лекционных и практических занятий,

курсового проектирования, самостоятельной работы

студентов радиотехнических специальностей

<<< < Предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 910 / 1010

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]

#
05.02.2023271.96 Кб2Численные методы.-1.pdf
#
05.02.2023318.16 Кб4Численные методы.-2.pdf
#
05.02.20231.14 Mб8Численные методы.-3.pdf
#
05.02.20232.23 Mб3Численные методы.-4.pdf
#
05.02.20232.81 Mб3Численные методы..pdf
#
05.02.20231.25 Mб13Чувствительность радиоприёмных устройств..pdf
#
05.02.20235.76 Mб4Шифрование в радиоэлектронных системах передачи информации..pdf
#
05.02.202313.05 Mб32ЭВМ и периферийные устройства.-1.pdf
#
05.02.20231.24 Mб8ЭВМ и периферийные устройства.-2.pdf
#
05.02.202311.57 Mб11ЭВМ и периферийные устройства.-3.pdf
#
05.02.20232.56 Mб13ЭВМ и периферийные устройства..pdf