Иодирование

Если галогенирование проводят иодом, обладающим среди галогенов наиболее низкой

активностью в электрофильном галогенировании, то используют I₂ с концентрированной

HNO₃ или ICl. Также было описано ароматическое иодирование с использованием системы I₂/In(OTf)₃, что позволило проводить реакцию в более мягких условиях, что было проверено иодированием ароматических соединений с углеводным заместителем^[9] (рис.4).

Было описано иодирование с использованием трифтороацетата таллия (III) ^[10](рис.5).

Также для генерации электрофильного иода использовали системы KI/H₂O₂ в уксусной кислоте ^[11] (рис.6).

Фенолы удавалось региоселективно иодировать системой N-иодсукцимида в пара-толуолсульфокислоте^[12] (рис.7).

Сообщается о быстром и простом способе иодирования некоторых гетероциклов. Реакции проводили в воде с использованием системы HIO₄ /H₂SO₄/NaCl на силикагеле при умеренных температурах 25–50 °С^[13], реакция ротекает в мягких условиях, легко контролируется и дает довольно хорошие выходы (в зависимости от субстрата).

6

Фторирование

Что касается фтора, то прямое фторирование молекулярным фтором невозможно из-за его крайне высокой реакционной способности, в продуктах получается смесь разнообразных фторпроизводных разных субстратов, не имеющая препаративного значения. Были сообщения о том, что прямое фторирование производили в низких температурах, но выходы были невысоки и в синтезах подобные реакции не используются. Одним из самых распространенных способов остается реакция Шимана (р-я Бальца-Шимана):

Фторирующие агенты стараются выбирать и разрабатывать другие, поскольку разложение интермедиата протекает бурно. Например, можно взять в качестве противоиона PF₆^-(схема ниже)^[14]

Было сочтено, что гексафторфосфорная кислота быть более желательным реагентом, чем

фторборная кислота поскольку промежуточный арилдиазоний гексафтор-фосфатные соли (ArNaPF₆) будут менее растворимы в воде чем соответствующие фторбораты, что позволяет очищать продукт с меньшими потерями по сравнению с BH₄^-. Описано

7

применение разнообразных фторирующих агентов, например, AcOF, CF₃ OF, FClO₃, CsSO₄F, однако они токсичны, нестабильны, их нужно генерировать in situ с использованием молекулярного фтора, что сильно осложняет синтез и повышаемость стоимость продукта. Применяют дифторид ксенона XeF­₂, с ним можно работать в стеклянной посуде, однако он сильный окислитель и может вступать в реакции в т.ч. с растворителями и давать много побочных продуктов, поэтому его применение сильно ограничено^[15]. В настоящее время используются такие вещества, как 1-гидрокси-4-фтор-1,4-диазониабицикло[2.2.2]октана (Accufluor)(2), Selectfluor - бис-тетрафторбораты 1-хлорметил-1,4-диазониабицикло[2.2.2]октан^[16](1).

Эти соединения известны как NF-реагенты. Электрофильные реагенты NF представляют собой твердые кристаллические вещества, превосходящие реагенты OF по стабильности, экологической и эксплуатационной безопасности. Основными недостатками этих реагентов являются предпочтительное использование для их синтеза молекулярного фтора, относительно низкое содержание активного фтора и побочные продукты^[17].

Селективно фторировать гетероциклические субстраты удавалось также Selectfluorом под воздействием ультразвука^[18]

8