Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
новая папка / Билеты к экзамену.docx
Скачиваний:
89
Добавлен:
03.10.2022
Размер:
547.63 Кб
Скачать

Билет №29. Температурная зависимость концентрации носителей зарядов в примесном полупроводнике.

Качественно температурная зависимость концентрации свободных носителей зарядов в примесном полупроводнике приведены на рис. 7.4.

Рис. 7.3 Температурная зависимость концентрации свободных носителей зарядов в примесном полупроводнике

При Т0 K (участок 1-2) концентрация свободных носителей заряда определяется фоновыми носителями, имеющимися в полупроводнике из-за несовершенства технологии, нарушений кристаллической структуры или неконтролируемх примесей. При повышении температуры, электроны с донорных уровней (в случае донорного полупроводника) переходят в зону проводимости, или из валентной зоны на акцепторные уровни (в случае акцепторного полупроводника). Чем выше температура, тем большее число примесных атомов активировано (участок 2-3). Когда тепловой энергии достаточно для полной активации примесей (точка 3), происходит истощение примесных уровней. Все электроны донорной примеси перейдут в зону проводимости, а все атомы акцепторной примеси захватят из валентной зоны максимально возможное количество электронов. При дальнейшем повышении температуры концентрация свободных носителей заряда остается постоянной (область насыщения 3-4), так как примесные уровни истощены, а энергии теплового поля недостаточно для активации собственных носителей заряда.

В точке 4 тепловой энергии становиться достаточно для активации собственных носителей заряда в полупроводнике. Начинаются переходы электронов из в

‘алентной зоны в зону проводимости, и чем выше температура, тем больше актов активации собственных носителей заряда (участок 4-5).

Билет №30. Как классифицируются материалы в зависимости от магнитных свойств. Что такое магнитотвердые и магнитомягкие материалы?

Все вещества в той или иной мере взаимодействуют с магнитным полем, а у некоторых материалов магнитные свойства сохраняются даже в отсутствие внешнего магнитного поля. Магнитные свойства материалов обусловлены внутренними скры­тыми формами движения электрических зарядов, представляющими собой элементарные круговые токи. Такими круговыми токами яв­ляются: вращение электронов вокруг собственных осей - элек­тронные спины и орбитальное вращение электронов в атомах.

При рассмотрении магнитных свойств веществ их называют магнетики. Основными из них являются: диамагнетики, парамагнетики и ферромагнетики. Диамагнетики и парамагнетики можно отнести к слабомагнитным веществам, ферромагнетики – к сильномагнитным.

Диамагнетики - это вещества, у которых магнитные моменты ядер и электронов в атомах скомпенсированы и полный магнитный момент каждого атома равен нулю. Они намагничиваются против направления внешнего магнитного поля. В отсутствие внешнего магнитного поля диамагнетики немагнитны. Магнитная проницаемость диамагнетиков меньше единицы ( 0,99999) и не зависит от напряженности внешнего магнитного поля.

Диамагнетики отличаются тем, что они выталкиваются из магнитного поля. К диамагнитным веществам относятся водород, инертные газы, азот, хлор, вода, большинство органических соединений, ряд металлов: Сu, Аg, Аu, Ве, Zn, Сd, Нg, РЬ, В, Gа, Sb, а также графит, стекло и др.

Парамагнетиками называются вещества, атомы которых обладают магнитными моментами  элементарными магнитными диполями. Однако при обычных температурах под действием теплового движения молекул магнитные моменты атомов ориентируются хаотически относительно любого направления и суммарный магнитный момент в веществе равен нулю.

Ферромагнетиками называют вещества, в которых имеются макроскопические (значительно превышающие размерами атомы и молекулы) области, обладающие собственным магнитным моментом в отсутствии внешнего магнитного поля. Такие области получили название магнитных доменов. Внутри домена магнитные моменты атомов выстраиваются параллельно друг другу. Возможные размеры доменов для некоторых материалов составляют порядка 0,001-10 мм3 при толщине пограничных слоев между ними в несколько десятков - сотен атомных расстояний.

Материалы с малым значением Нс и большой магнитной прони­цаемостью называются магнитомягкими материалами. Материалы с большой коэрцитивной силой и сравнительной малой проница­емостью называются магнитотвердыми материалами.

Соседние файлы в папке новая папка