Указания по обработке результатов
Построить по табл. 14.1. графики зависимости темнового тока Iт и
фототока Iф |
от напряжения U на фотосопротивлении для двух значений |
||||||
освещенности |
E1 и E2 для расстояний |
r |
= 20см |
и |
r |
=10см |
(графики рас- |
1 |
2 |
|
|||||
положить на одном чертеже).
2. Построить по табл. 14.2 графики зависимости фототока Iф от осве-
щенности E для двух значений напряжения U (10 и 15 В).
Используя табл. 14.2, вычислить удельную чувствительность фотосо-
противления
U
=
I
ф
(
SEU
) (11.7)
при
рабочем напряжении
U
=
15
В
для
двух
расстояний от фоторезистра до источника
r
=
rmin
и r
=
rmax
. Площадь
сечения полупроводникового слоя |
S = 96мм |
2 |
(указана на панели установки). |
|
Используя табл. 14.2, заполнить две табл. 14.3 для U=10 В и U=15 В,
создав
выборку параметра γ
и найти по этой выборке объема N
=
3, 4 или 5 значение γ =
γ
γ
с P
=
95 % . Очевидные промахи из таблицы
исключить. Принять r0
=
rmax
, а за I
ф0
=
Iфmin
значение тока при этом расстоянии.
99
№
1
…
5
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 14.3 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
Определение параметра |
|
γ |
(U=… В), θI |
ф |
=1мкА , |
θ r = 1мм |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
( |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
( |
|
|
|
|
|
|
|
) |
|
|
|
|
|
|
) |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
θ |
γ |
= γ |
θ |
I |
|
|
|
I |
ф |
ln |
I |
ф |
I |
ф0 |
+ |
θ |
r |
|
|
|
0 |
) |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ф |
|
|
|
|
|
|
|
|
2 r ln (r r |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
r |
= r |
|
= 40см |
|
|
|
|
|
|
|
I |
ф0 |
= I |
фmin |
=... мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
ln I |
|
I |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
0 |
max |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
γ = − |
ф |
ф0 |
θγ |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
r, см |
|
r |
r |
ln r |
r |
|
I |
|
|
|
, В |
|
|
I |
|
|
I |
|
|
|
|
|
|
ln I |
|
I |
|
|
|
2 ln r r |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
ф |
|
|
ф |
ф0 |
|
|
|
ф |
ф0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
0 |
|
0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
35 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Контрольные вопросы
Что такое валентная зона, зона проводимости, запрещенная зона?
Что такое фоторезистор и как меняются его свойства под действием
света?
Какие зависимости исследуются в данной работе?
Какова зависимость фототока от освещенности.
5. Как определяется коэффициент γ и его погрешность?
Лабораторная работа 15.
ВНУТРЕННИЙ ФОТОЭФФЕКТ. ИССЛЕДОВАНИЕ
ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОРЕЗИСТОРА
Цель работы: экспериментально исследовать вольтамперную характери-стику фоторезистора. Определить ширину запрещённой зоны полупроводника.
Требуемое оборудование: Модульный учебный комплекс МУК-ОК.
Приборы: 1. Блок амперметра-вольтметраАВ1, 1 шт.
Стенд с объектами исследования С3-ОК01 и источник питания ИПС1, 1комплект.
Проводники Ш4/Ш1,6 -60см, 6 шт.