2.2. Анализ стационарного процесса

Стационарное решение включает определение напряженностей электрических полей в диэлектриках (Е_о и Е_n) и величины заряда, накопленного на границе их раздела (Q). После нахождения величины заряда, индуцированного на границе раздела диэлектриков при данном приложенном напряжении на затворе можно получить результирующий сдвиг порогового напряжения транзистора. Стационарным условием непрерывности тока при заданном напряжении является равенство плотностей тока в окисле и нитриде кремния

J_o=J_n , (7)

откуда следует, что

. (8)

Суммирование напряжений в структуре дает

Рис. 2. Расчетные (пунктирные) и экспериментальные (треугольники) зависимости равновесного заряда, индуцируемого на границе раздела диэлектриков, от зарядного напряжения при температуре жидкого азота и комнатной температуре

; (9)

совместное решение уравнений (7) – (9) позволяет найти величину заряда, накопленного на границе раздела диэлектриков, как функцию напряжения на затворе и толщины диэлектрика. Рассчитанные на ЭВМ значения плотности тока и накопленного заряда в зависимости от напряжения на затворе для температуры жидкого азота и комнатной температуры показаны на рис. 2. На рис. 2 значения отрицательного заряда, соответствующие положительному сдвигу напряжения плоских зон, представляются положительными ординатами.

Характеристические параметры, используемые в уравнениях плотности тока, приведены в таблице.

Параметры проводимости диэлектриков

_____________________________________________

Термически выращенный окисел

С_о=10^–5 АВ^–2, Е₁=2,5410⁸ Всм^–1, с=1,1210²⁷ К^–1см^–1

Нитрид кремния

С₁=2,510¹¹ АсмВ^–1, Ф₁=1,15 эВ, =1,7810^–7 Всм,

С₂=3,510^–10 АВ^–1, Е₂=1,210⁸ Всм^–1

C₃=510^–14 А/В, Ф₃=0,1 эВ

______________________________________________

Прежде чем перейти к анализу зависимости накопления заряда от J – E-характеристик диэлектриков, целесообразно рассмотреть два предельных случая, в которых одна из составляющих плотности тока (J_o или J_n) пренебрежимо мала по сравнению с другой. При положительном напряжении на затворе, когда J_o>>J_n, электроны, туннелирующие через окисел, будут накапливаться на ловушках на границе раздела диэлектриков до тех пор, пока поле в окисле не уменьшится до нуля (Е_о=0). Согласно уравнениям (7) и (8), величина накопленного заряда при данном приложенном напряжении и Е_о=0, J_n=0 определяется как

Рис. 3. Характер изменения параметров. а – зависимость первоначальных плотностей тока в МНОП-структуре от зарядного напряжения; б – зависимость равновесного заряда, индуцированного на границе раздела диэлектриков, от зарядного напряжения

(10)

Накопленный заряд изменяет пороговое напряжение на величину

(11)

т.е. в этом предельном случае увеличение напряжения включения равно напряжению, приложенному к затвору.

Во втором предельном случае J_n>>J_o. При положительных напряжениях на затворе перенос заряда ограничивается слоем нитрида кремния. Электроны перемещаются от границы раздела диэлектриков к металлическому электроду до тех пор, пока положительный объемный заряд на границе раздела не уменьшит электрическое поле в нитриде до нуля. Величина накопленного заряда для данного приложения напряжения и условия, что E_n=0 в (8) и (9) и J_o=0, есть

(12)

а изменение напряжения включения

(13)

Заметим, что в этом случае заряд, накопленный на границе раздела диэлектриков, отличается как по величине, так и полярностью от заряда при J_o>>J_n.

Зависимость накопления заряда от параметров проводимости диэлектриков

В общем случае, когда J_o0 и J_n0, заряд, индуцируемый на границе раздела диэлектриков Q, в значительной мере определяется параметрами проводимости и соотношением толщин диэлектриков. Эта зависимость Q от относительной величины плотности тока в диэлектриках качественно описывается следующим образом.

Рис. 4. Расчетные (при 93 и 300 К

и экспериментальные (при 93 К)

временные зависимости накопления заряда на границе раздела диэлектриков

Обозначим первоначальные плотности тока J_o0 и J_n0 (для данного приложенного напряжения) при отсутствии заряда на границе раздела [Q(V)=0] через J_o0=J_o(Q=0) и J_n0=J_n(Q=0). Качественные изменения первоначальных плотностей токов J_o0 и J_n0 как функций приложенного положительного напряжения при комнатной температуре иллюстрируются рис. 4, а. Плотность непрерывного стационарного тока J_ показана пунктирной линией. При малых приложенных напряжениях, когда J_n0(V)>J_o0(V), непрерывность тока обеспечивается накоплением положительного заряда, который уменьшает поле и плотость тока в нитриде кремния. При больших приложенных напряжениях, когда J_n0(V)<J_o0(V), на границе раздела накапливается отрицательный заряд. В точке пересечения кривых (рис. 3, а) J_n0(V)=J_o0(V) и Q=0. Соответствующее поведение стационарного заряда Q на границе раздела диэлектриков (рис. 3, б) согласуется с поведением Q(V), наблюдавшимся при эксперименте (рис. 2). Зависимость величины и полярности Q от разности первоначальных плотностей тока J_n0(V)–J_o0(V) объясняет также температурную зависимость Q от V на рис. 2. При данном положительном приложенном напряжении плотность тока в нитриде кремния (см. (3)) с повышением температуры увеличивается быстрее, чем плотность тока в окисле (см. (2)), т.е. повышение температуры приводит к повышению разности J_о0(V)–J_n0(V) и соответственно величины заряда Q. Подобное уменьшение Qпри данной температуре можно получить путем повышения уровня проводимости слоя нитрида кремния. И, наконец, следует заметить, что модель переноса заряда говорит о том, что индуцированный заряд Q является однозначной функцией напряжения, приложенного к затвору (рис. 3). Это означает, что МНОП-транзистор независимо от конструкции и параметров при работе в стационарных условиях эффектом памяти не обладает.