11. Индивидуальное (домашнее) задание № 3 Тема: Теоретическое и экспериментальное исследование составных и каскодных схем аналоговой дискретной и интегральной схемотехники.

Литература:

1.Богданов В.И., Завадовский А.З. Интегральные каскодные микросхемы: Учебное пособие. – Воронеж: Вор.ПИ, 1984. – 83 с.

2.Остапенко Г.С. Усилительные устройства: Учебное пособие для вузов.- М.: Радио и связь, 1989. – 400с.

3.Гусаков Л.И. Определение Y – параметров усилителей высокой часто –ты. Электросвязь, № 7, 1975. – С. 67 – 69.

4.Акимов В.И. и др. Радиоприёмное устройство. М.У. – Воронеж: ВГТУ, 1996 . – 45 с. (Библиотечный номер 158 – 96).

5.Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия, 1977. – 744 с.

6.Игумнов Д.В., Громов В.С. Применение составных транзисторов в микромощных усилителях. В сб. «Полупроводниковые приборы в технике электросвязи» / Под ред. И.Ф. Николаевского. Вып. 10. М.: Связь, 1972. – С. 184 – 188.

64

Техническое задание

Рассчитать электрические характеристики каскодной схемы ( Входное и выходное сопротивления, коэффициенты усиления по току и напряжению) в соответствии с заданным её типом; используя для этого статические характеристики входящих в её состав активных элементов при заданных схемах их включения. Построить статические входные и выходные характеристики «составного транзистора» и по ним проверить соответствие теоретических результатов.

Выбор искомой каскодной схемы осуществляется методом «случайных чисел» согласно условию:

Номер варианта выбирается из табл. 1.2, представленной в  1 на с. 16 – 19, в соответствии с остатком правильной дроби

№ = Остаток (Ч +А+Р+N+S) / 37 + 1 , (1)

где: Ч – число выдачи задания, А – количество букв в Вашей фамилии, Р – число Вашего дня рождения, N – последняя цифра номера зачётной книжки, S – Ваш номер в журнале преподавателя (в экзаменационной ведомости), Г – последняя цифра индекса группы.

Выбор типа транзисторов в каскодной схеме определяется в соответствии с чётностью или нечётностью цифр А и S:

А и S чётные – оба транзистора NPN типа;

А и S нечётные – оба транзистора PNР типа;

А чётное, S нечётное – первыё транзистор NPN типа, второй – PNP типа;

А нечётное, S чётные – первыё транзистор PNР типа, второй –NPN типа.

Методические указания

1.Включение отдельных транзисторов в “составную схему” проводится в

соответствии с Рис. 1.1 из  1 на с. 5 и проверяется по Рис .1.2 на с. 6 – 7.

2. Построение статических характеристик транзисторов проводится с помощью программы EWB или подобной ей. При этом они должны сниматься в соответствии с конфигурацией каскодной схемы согласно ТЗ и пункту 1 МУ. Входные характеристики должны иметь не менее 3 – х кривых, а выходные не менее 6.

3. Построить полученные характеристики на миллиметровой бумаге (если это не сделано с помощью ЭВМ) и по ним найти электрические характеристики каждого из транзисторов схемы, выбрав систему Y – параметров.

4. Воспользоваться табл. 1.2 из 1 и найти Y – параметры «составного транзистора», по ним определить электрические характеристики каскодной схемы.

65

5. Повторить пункт 2 МУ для построения входных и выходных характеристик каскодной схемы, считая её эквивалентной параметрам «составного транзистора»

6. Повторить пункт 3 МУ.

7. Сравнить полученные данные для электрических характеристик и Y – параметры каскодной схемы по пунктам 4 и 6 МУ.

8. Оформить отчёт, содержащий все пункты МУ.

9. Провести с помощью программы «KOSM» проверку полученных результатов. При их соответствии работа принимается на проверку преподавателем.

Время выполнения задания № 3 с 25 по 30 недели. Срок сдачи с 30 по 31 неде ли.