Вопрос № 159

" Укажите состояние VT1 и VТ2 при подаче на один из входов Uвх1 и

Uвх2 логического нуля.

Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб = 0.8 В,

падение напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В.

-1.bmpris "

1) VT1 открыт, VT2 открыт;

2) VT1 открыт, VT2 закрыт;

3) VT1 закрыт, VT2 открыт;

> 4) VT1 закрыт, VT2 закрыт.

---------------------------------------------

ВОПРОС № 160

" Какое напряжение между точками А и В будет достаточным для отпирания

и насыщения VT3?

Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб = 0.8 В,

падение напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В.

-1.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+6)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 161

" Какое напряжение будет на выходе при отсутствии нагрузки, если подать

логические нули на оба входа?

Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб = 0.8 В,

падение напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В.

-1.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (3+{.+,}+4)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 162

" Найти величину тока коллектора VT3, если при подаче Uвх1 = Uвх2

= 0 на выходе установилось напряжение 3.1 В?

Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб=0.8 В, падение

напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В, R3 = 1 к.

Ответ дать в мА.

-8.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (0+{.+,}+9)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 163

" Найти величину тока базы VT3, если при подаче Uвх1 = Uвх2 = 0 на

выходе установилось напряжение 3 В?

Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб=0.8 В, падение

напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В, R1 = 1 к.

Ответ дать в мА.

-8.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (0+{.+,}+4)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 164

" Оба входа подключены к выходу аналогичного элемента с Uвых = 0.2

В. Определить величину входного тока изображенного элемента ТТЛ.

Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб = 0.8 В,

падение напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В, Rб = 4 кОм.

Ответ дать в мА.

-2.bmpris "

ОТВ.ввести: (1)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 165

" Оба входа подключены к выходу аналогичного элемента с Uвых = '1'.

Определить напряжение на базе многоэмиттерного транзистора.

Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб = 0.8 В,

падение напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В, Rб = 4 кОм.

Ответ дать в вольтах.

-2.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (2+{.+,}+4)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 166

" Оба входа подключены к выходу аналогичного элемента с Uвых = '1'.

Определить ток через резистор Rб.

Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб = 0.8 В,

падение напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В, Rб = 4 кОм.

Ответ дать в мА.

-2.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (0+{.+,}+65)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 167

" Оба входа подключены к выходу аналогичного элемента с Uвых = '1'.

Определить ток через резистор R1.

Прямое падение напряжения на диоде полагать равным 0.8 В, Uэб = 0.8 В,

падение напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В, R1 = 1.6 кОм.

Ответ дать в мА.

-2.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (2+{.+,}+5)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 168

" Оба входа подключены к выходу аналогичного элемента. Определить

минимальную величину Uвх, при которой сохраняется уровень логического нуля

на выходе.

Прямое падение напряжения на р-n переходах полагать равным 0.8 В, падение

напряжения на насыщенном транзисторе Uкэ = 0.2 В, R1 = 1.6 кОм. Напряжение

отпирания р-n перехода считать равным 0.5 В.

Ответ дать в вольтах.

-2.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+9)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 169

" Исходные данные: Rб = 3.6 кОм, R1 = 2 кОм, Uкэ = 0.2 В, Uбэ = Uбк

= 0.7 В.

Определить мощность, потребляемую и рассеиваемую ненагруженной схемой при

Uвх1 = 0.2 В.

Ответ дать в мВт и округлить до одного знака после точки (разделителя целой

и дробной части).

-23.bmpris"

ОТВ.ввести: key (5.7)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 170

" Исходные данные: Rб = 3.6 кОм, R1 = 2 кОм, Uкэ = 0.2 В, Uбэ = Uбк

= 0.7 В.

Определить мощность, потребляемую и рассеиваемую ненагруженной схемой при

Uвх1 = Uвх2 = 3 В.

Ответ дать в мВт и округлить до одного знака после точки (разделителя целой

и дробной части).

-23.bmpris"

ОТВ.ввести: {14.2,14.3}

---------------------------------------------

ВОПРОС № 171

" Исходные данные: Rб = 3.6 кОм, R1 = 3.3 кОм, Uкэ = 0.2 В, Uбэ =

Uбк = 0.8 В, Uд = 0.7 В, beta = 30.

Определить максимальную амплитуду импульса токовой помехи по цепи питания

при переключении схемы из состояния '0' в '1'.

Ответ дать в мА.

-23.bmpris"

ОТВ.ввести: {30,31}

=============================================

ТЕМА: [1] Диодно-транзисторная логика. Резистор на входе ТТЛ.

Элементы с открытым коллектором.Формирователь импульсов на логическом

элементе.

---------------------------------------------

ВОПРОС № 172

" Какую величину должно превысить Uвх1 = Uвх2 для получения логического

нуля на выходе?

Прямое падение напряжения на диодах считать равным 0.8 В, Uэб=0.8 В.

-10.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+6)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 173

" Какой сигнал нужно подать на вход Uвх1 для получения логического

нуля на выходе, если Uвх2 = '1'?

Прямое падение напряжения на диодах считать равным 0.8 В, Uэб=0.8 В.

-10.bmpris "

ОТВ.ввести: {1,'1',высокий,(логическую,единицу)}

---------------------------------------------

ВОПРОС № 174

" Какой сигнал нужно подать на вход Uвх1 для получения логической

единицы на выходе, если Uвх2 = '1'?

Прямое падение напряжения на диодах считать равным 0.8 В, Uэб=0.8 В.

-10.bmpris "

ОТВ.ввести: {0,'0',низкий,(логический,ноль)}

---------------------------------------------

ВОПРОС № 175

" Рассчитайте величину сопротивления R, необходимую для создания входного

напряжения низкого уровня Uвх = 0.2 В.

При расчетах полагать Uэб = 0.8 В, Uкэ = 0.2 В.

Ответ дать в к.

-13.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (0+{.+,}+2)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 176

" Рассчитайте величину сопротивления R, необходимую для создания входного

напряжения высокого уровня Uвх = 2.4 В.

При расчетах полагать Uэб = 0.8 В, Uкэ = 0.2 В.

Ответ дать в к и округлить до двух значащих цифр.

-13.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (5+{.+,}+3)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 177

" Найдите отношение Rб/R, если на резисторе R падает напряжение 0.2В

При расчетах полагать Uэб = 0.8 В, Rб = 4 кОм.

-26.bmpris "

ОТВ.ввести: (20)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 178

" Найти максимальное сопротивление нагрузки Rн из условия обеспечения

уровня логической единицы на выходе DD1.

Ответ дать в кОм и округлить до двух значащих цифр.

-20.bmpris

DD1 - К155ЛА8 ( (I,ут%вых) = 250 мкА, (I,вых,0)

= 16 мА)

DD2 - К155ЛН1 ( (I,вх,1) = 40 мкА, (I,вх,0) = 1.6

мА, (U,вых,1) = 2.4 В, (U,вых,0) = 0.4 В.)"

ОТВ.ввести: key ,=+ end (3+{.+,}+7)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 179

" Найти минимальное сопротивление нагрузки Rн из условия обеспечения

уровня логического нуля на выходе DD1.

Ответ дать в Ом.

-21.bmpris

DD1 - К155ЛА8 ( (I,ут%вых) = 250 мкА, (I,вых,0)

= 16 мА)

DD2 - К155ЛН1 ( (I,вх,1) = 40 мкА, (I,вх,0) = 1.6

мА, (U,вых,1) = 2.4 В, (U,вых,0) = 0.4 В.)"

ОТВ.ввести: (575)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 180

" Найдите величину Uc(0), если Е = 5 В, R = 200 Ом, Uвх(0) = 0.42

В, Uбэм = 0.8 В, Rбм = 4 кОм.

-27.bmpris" ОТВ.ввести: (20)

============================================

ТЕМА: [1] Мультивибратор

---------------------------------------------

ВОПРОС № 181

" Рассчитать величину сопротивления Rб, если С1 = С2 = 0.1 мкФ, а

период генерируемых колебаний равен Т = 1.4 мс.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ дать в кОм.

-1.bmpris"

ОТВ.ввести: (10)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 182

" Рассчитать частоту следования импульсов Uвых, если С1 = 0.1 мкФ,

C2 = 0.3 мкФ, Rб = 10 кОм.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ дать в Гц и округлить до целого числа.

-1.bmpris"

ОТВ.ввести: (357)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 183

" Рассчитать величину сопротивления Rб, если С1 = С2 = 0.1 мкФ, а

Rк = 1 кОм.

Транзистор находится в режиме, граничащем с насыщением (S = 1).

Ответ дать в кОм.

-3.bmpris

Транзисторы типа КТ333А (Uкэн = 0.2 В, Uбэн = 0.8 В, beta = 98).

ОТВ.ввести: (92)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 184

" Величина сопротивления Rб = 20 кОм, С1 = С2 = 0.1 мкФ, а Rк = 1

кОм. Определить ток открытого транзистора.

Ответ дать в мА.

-3.bmpris

Транзисторы типа КТ333А (Uкэн = 0.2 В, Uбэн = 0.8 В, beta = 98).

ОТВ.ввести: key ,=+ end (9+{.+,}+8)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 185

" Дано: Rб = 10 кОм, С1 = 0.1 мкФ, Rк = 1 кОм.

Определить скважность Uвых, если С2 = 0.3 мкФ.

Транзисторы считать идеальными ключами. Дробный ответ округлить до трех

значащих цифр.

-1.bmpris "

ОТВ.ввести: {1.33,4}

---------------------------------------------

ВОПРОС № 186

" Скважность импульсов Uвых равна 5, а период Т = 0.2 мс. Оценить

длительность импульса на коллекторе VT2.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ дать в мкс.

-1.bmpris "

ОТВ.ввести: (160)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 187

" Дано: Rк = 1 кОм, Rб = 14 кОм, beta = 30.

Рассчитать С1 = С2 для получения колебаний с частотой 50 кГц.

Ответ дать в пФ.

-3.bmpris "

ОТВ.ввести: (1000)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 188

" Дано: Rк = 1 кОм, Rб = 14 кОм, beta = 28.

Рассчитать степень насыщения открытого транзистора.

Транзисторы считать идеальными ключами.

-8.bmpris " ОТВ.ввести: (2)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 189

" Дано: Rк = 2 кОм, Rб = 15 кОм, С1 = С2 = 0.1 мкФ.

Рассчитать длительность импульсов Uвых.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ дать в мс и округлить до двух значащих цифр.

-9.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+8)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 190

" Дано: Rк = 2 кОм, Rб = 15 кОм, С1 = С2 = 0.1 мкФ.

Во сколько раз частота импульсов меньше, чем в схеме, где общая точка резисторов

Rб подключена к источнику -12 В.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ округлить до двух значащих цифр.

-9.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (1+{.+,}+6)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 191

" Дано: Rк = 1 кОм, Rб = 10 кОм, beta = 50, С1 = С2 = 0.1

мкФ.

Рассчитайте минимальное значение напряжения Е, при котором мультивибратор

сохраняет работоспособность.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ округлите до двух значащих цифр, в качестве разделителя целой и дробной

части используйте точку.

-11.bmpris "

ОТВ.ввести: (-,2.4)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 192

" Дано: Rк = 1 кОм, Rб = 20 кОм, С = 1 мкФ.

Рассчитайте длительность фронта выходного импульса, снимаемого с коллектора

закрывшегося ключа.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ дать в мс.

-12.bmpris "

ОТВ.ввести: (3)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 193

" Рассчитать постоянную времени заряда конденсатора С = 8000 пФ,

если Rк = 1 кОм, R = 20 кОм, Rб = 10 кОм.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ дать в мкс.

-13.bmpris "

ОТВ.ввести: (160)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 194

" Дано: Rб = 20 кОм, R = Rк = 1 кОм, С = 1 мкФ, Сп = 1000 пФ.

Рассчитать длительность фронта выходного импульса, снимаемого с коллектора

запирающегося транзистора VT1.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ дать в мкс.

-14.bmpris "

ОТВ.ввести: (3)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 195

" Дано: R = Rк = 10 кОм, Rб = 200 кОм, С = 0.1 мкФ.

Рассчитать эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки при разряде

конденсатора.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ дать в кОм.

-13.bmpris "

ОТВ.ввести: (5)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 196

" Дано: R = Rк = 10 кОм, Rб = 200 кОм, С = 0.1 мкФ.

Рассчитать перепад напряжения на коллекторе транзистора VT2.

Транзисторы считать идеальными ключами.

Ответ дать в вольтах.

-16.bmpris "

ОТВ.ввести: {6,-6}

---------------------------------------------

ВОПРОС № 197

" Дано: R = 1 кОм, Rк = 1 кОм, Rб = 10 кОм, С = 1 мкФ.

Рассчитать длительность выходных импульсов.

Транзисторы и диоды считать идеальными ключами.

Ответ дать в мс и округлить до целого числа.

-17.bmpris "

ОТВ.ввести: (4)

--------------------------------------------

ВОПРОС № 198

" Дано: Rк = 5 кОм, Rб = 20 кОм, С = 0.1 мкФ, выходное сопротивление

эмиттерных повторителей - 100 Ом.

Рассчитайте длительность отрицательных фронтов выходного напряжения в узле

Т.

Ответ дать в мкс.

-18.bmpris "

ОТВ.ввести: (30)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 199

" Рассчитать постоянную времени заряда конденсатора С, если:

C = 1 мкФ, R = 500 Ом, (U,вых,1) = 2.4 В, (U,вых,0)

= 0.4 В, (U,пор) = 1.5 В, (R,вых,0) = 10 Ом,

(R,вых,1) = 100 Ом.

Ответ дать в мкс.

-29.bmpris "

ОТВ.ввести: (600)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 200

" Рассчитать начальное значение Uвх1, если:

Е = 5 В, С = 1 мкФ, R = 400 Ом, (U,вых,1) = 2.4 В, (U,вых,0)

= 0.4 В, (U,пор) = 1.5 В, (R,бм) = 4 кОм,

(U,бэм) = 0.6 В ( (U,бэм) и (R,бм) относятся

к многоэмиттерному транзистору ТТЛ-инвертора).

Ответ дать в вольтах.

-30.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (0+{.+,}+4)

---------------------------------------------

ВОПРОС № 201

" Рассчитать емкости конденсаторов С для формирования сигналов с

частотой f = 5 кГц, если:

Е = 5 В, (R,вых,1) = 200 Ом, R = 400 Ом, (U,вых,1)

= 2.4 В, (U,вых,0) = 0.4 В, (U,пор) = 1.6 В,

(R,бм) = 4 кОм, (U,бэм) = 0.6 В ( (U,бэм)

и (R,бм) относятся к многоэмиттерному транзистору ТТЛ-инвертора).

Ответ дать в мкф и округлить до одной значащей цифры.

-30.bmpris "

ОТВ.ввести: key ,=+ end (0+{.+,}+4)

---------------------------------------------