Достоинства и недостатки биполярных транзисторов:

Главный недостаток : является маленькое входное U и большое выходное U. Что приводит к тому. Что в 2-ух каскадном усилителе выходное сопротивление 1-ого каскада и входное сопротивление 2-ого каскада не согласуются , для их согласования требуется трансформатор напряжения (далеко не дешёвый). Недостаток устраняется изобретением полевых транзисторов : МОП(металлически –оксидный полупроводник SiO) и МДП( металлически- диэлектрическим полупроводником).

TV

> U1 >U2

↓Rвх ↑Rвых ↓ Rвх2 ↑ Rвых 2

Основные характеристики соэ:

р - К

-Б n Iк

Iб

U вх= Uпр Р Uобр= Uвых

Iэ

+Э +Э

Б

Применяются 2 типа ВАХ:

Входная (базовая) характеристика:

Iб (Uб)

Iб

Δ Iб

Uб

Δ Uб

Позволяет определить входные сопротивления схемы . как отношение приращения Rвх = ΔUб / ΔIб. Т.к. ВАХ биполярного транзистора не линейный, то расчёт его параметров объединяют по вх и вых характеристикам графоаналитическим методом.

Выходные (коллекторные) характеристики:

Iк (Uк)

Iб (Uб)

Iк

Δ Iб4=соnst

Δ Iк Δ Iб 3=соnst

Δ Iб 2=соnst

Δ Iб1=соnst

Δ Uк

Δ Iк Uк

Участки насыщения.

1-ый параметр : Gвых= ΔIк / ΔUк

Rвых =1/ Gвых

3-ой параметр: Ki= ΔIвых / ΔIвх = Δ Iк / Iб4 – Iб3.

Экспериментальное определение параметров –лабораторная работа №31.

Область применения : в усилителях!

Лабораторная работа № 30: исследование регулируемого выпрямителя на тиристорах.

Тиристор – называется полупроводниковый прибор, имеющий 2 или 3 электрода , и 3 и более pn – переходов.

Классификация:

1.Динистор-с 2 электродами.

2.Тринистор – с 3 электродами.

Уго:

Динистор: Тринистор:

VS

А К А К

А К

VS –вентильный ключ. УЭ по К УЭ по А

(Управляющий Электрод по Аноду или Катоду)

Структурная схема:

Rн

А -

Uпр=Uпроб

1 pn p (откр)з

2pn n(закр) о

3pn p(откр) з

n I пр Uобр

К +

2-ой переход закрыт, т.к. приложенное напряжение для него оказывается обратным.

ВАХ:

Iпр II

I=0 не проходит Uпр/ Rн

Iпр→∞

Uобр Uпр

Iобр

Принцип действия:

Uпр; +р, -n.

Uобр; -р,+ n.

При приложении Uпр рn переход исчезает (открыт) и через него протекает I.

При приложении Uобр рn переход расширяется (закрыт) и основные зарядоносители через него не протекают.

Если напряжение вырастает до напряжения пробоя. То 3-ий pn переход будет пробит.

Область применения: для бесконтактного включения электрических системных цепей(динистор).

Недостатки: U= 1000В ,большое напряжение включения цепей!