![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Электроника
- •Екатеринбург
- •Содержание
- •Пояснительная записка
- •Практическое занятие 1 характеристики и параметры полупроводниковых диодов
- •1. Цель работы
- •2. Домашнее задание
- •Основные теоретические положения
- •5. Порядок проведения измерений
- •6. Обработка результатов измерений
- •7. Отчет по работе
- •8. Контрольные вопросы
- •2. Домашнее задание
- •3. Расчетная часть
- •4. Основные теоретические положения
- •5. Проведение измерений
- •5.1 Подготовка к работе
- •6. Обработка результатов измерений
- •8. Контрольные вопросы
- •Практическое занятие 3 характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
- •Порядок выполнения работы
- •6. Обработка результатов измерений
- •Содержание отчёта
- •Контрольные вопросы
- •2. Подготовка к выполнению работы
- •3. Расчетная часть
- •4. Общие положения, термины и определения
- •5. Проведение измерений
- •5.1 Подготовка к работе
- •6. Обработка результатов измерений
- •8. Контрольные вопросы
- •Практическое занятие 5 Логические элементы цифровых микросхем
- •5. Порядок выполнения работы
- •7. Контрольные вопросы
- •Электроника
- •620109, Екатеринбург, ул. Репина, 15
5. Проведение измерений
5.1 Подготовка к работе
Вызвать пакет анализа электронных схем Electronics Workbench (EWB) двойным щелчком по ярлыку . Он находится на рабочем столе компьютера и имеет имя «WEWB32».
5.1.1 Вызвать сохраненную схему с транзистором из базы EWB. Дополнить ее до схемы усилительного каскада рис. 19.
Транзистор установить такой, для которого проводилась нагрузочная прямая, RК – вычисленное в пункте 3. В цепях базы и коллектора включены приборы для измерения токов IБ и IК и напряжений UБЭ и UКЭ.
Сопротивление Rб установить равным RК. Напряжение источника V2 (ЕК) установить таким, какое было принято при выполнении пункта 3. Напряжение источника V1 установить равным V1 = Rб·Iбmin + UБЭ. UБЭ = 500мВ, Iбmin = 10 мкА.
Установить сопротивление RЭ = 1 Ом.
Внимание. При сборке схемы не пытайтесь установить стрелки и обозначения элементов, приведенные на рис. 19. EWB присвоит им свои обозначения и нумерацию. Следует помнить, что номер элементу присваивается автоматически по мере вывода его на наборное поле.
5.1.2 Включить режим моделирования
Убедиться, что схема собрана правильно, т.е. на базе имеется напряжение, равное напряжению V1, напряжение UКЭ (М3) примерно равно напряжению ЕК, ток коллектора (М4) составляет доли мкА (μА).
Е
сли
что-то не так, то внимательно проверить
схему.
5.1.3 Заготовить таблицу 11.
33
5.2 Проведение измерений
5.2.1 Определение характеристик
Увеличивая (или уменьшая) напряжение V1, установить напряжение на базе (М2) приблизительно равным 500 mВ.
Записать полученные значения токов и напряжений в таблицу.
Увеличивая далее напряжение V1, устанавливать ток базы 10 μА, 20 μА и т.д. согласно таблицы и записывая в нее показания приборов М2, М3, М4.
Напряжение на базе записывать с точностью три значащих цифры.
Табл. 11. Результаты измерений.
-
IБ μА ( М1)
10
20
40
60
80
100
120
…
UБЭ mV (М2)
500
UКЭ V (М3)
ЕК
IК mА (М4)
0
Ток базы увеличивать до такой величины, пока ток коллектора не достигнет значения IКНАС или напряжение UКЭ (М3) не окажется менее одного вольта.
Увеличить ток базы еще на 40 μА и убедиться, что ток коллектора более не увеличивается, а напряжение UКЭ не уменьшается.
5.2.2 Исследование влияния температуры
Установить ток базы равным 60 μА. Из таблицы 11 переписать значения токов и напряжений на электродах "холодного" транзистора для этого режима в таблицу 12.
Установить температуру транзистора равной 57˚С (меню Analysis, опция Analysis options, вкладка Global).
Вновь записать полученные значения токов и напряжений "горячего" транзистора в таблицу 12.
Табл. 12. Оценка влияния температуры.
-
IБ μА
UБЭ мВ
IК мА
UКЭ В
t = 27oC
60
t = 57oC
∆t = 30 oC
∆IБ =
∆UБЭ =
∆IК =
∆UКЭ =
Вычислить величину изменений токов и напряжений транзистора под действием изменения температуры вычитая из большего значения меньшее и заполнить строку 4 таблицы.