- •Тема 1 – Основы физики полупроводниковых диодов
- •§1.1 Электрофизические свойства полупроводников
- •§1.2 Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
- •§1.3 Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
- •§1.4 Вах /вольт амперная характеристика/ p-n-перехода
- •§1.5 Ёмкость p-n-перехода
- •§1.6 Контакты металла с полупроводником
- •Тема 2 – Полупроводниковые приборы
- •§2.1 Полупроводниковые диоды
- •§2.2 Биполярные транзисторы: устройство и принцип действия
- •§2.3 Транзистор, как усилитель напряжения и мощности
- •§2.4 Эффект модуляции толщины базы
- •§2.5 Схемы включения и режимы работы транзисторов
- •§2.6 Статические характеристики биполярного транзистора
- •§2.7 Полевые транзисторы с управляющим входом
- •§2.8 Основные характеристики полевого транзистора
- •§2.9 Полевые транзисторы мдп-структуры
- •§2.10 Тиристоры
- •Тема 3 – Основы микроэлектроники
- •§3.1 Основные понятия микроэлектроники
- •§3.2 Изоляция элементов в монолитных имс
- •Технология «кремний на сапфире»
- •§3.3 Элементы интегральных схем
- •Тема 4 – Усилительные устройства
- •§4.1 Основные характеристики и параметры усилителей
- •§4.2 Нелинейные искажения в усилителях
- •§4.3 Обратная связь в усилителях: классификация
- •§4.4 Влияние обратной связи на параметры усилителя
- •§4.5 Усилители на биполярных транзисторах. Выбор режима работы
- •§4.5 Стабилизация режима работы каскадов на биполярных транзисторах
- •§4.6 Дифференциальные каскады /дк/
- •§4.7 Источники тока
- •§4.8 Операционные усилители: характеристики и параметры
- •§4.9 Линейные схемы на операционных усилителях
§4.4 Влияние обратной связи на параметры усилителя
- коэффициент передачи канала связи
Коэффициент усилителя не охваченного ОС:
Коэффициент усилителя охваченного ОС:
;
;;
усиление – петлевое усиление
1- – глубина ОС, фактор ОС, возвратная разность.
усилитель самовозбудится, превратится в генератор
Если выполняется на одной частоте, то возникшие колебания – гармонические. Если это условие выполняется в полосе частот, то – негармонические.
Чем шире полоса частот, в которой выполняется этот условие, тем ближе колебания по форме к прямоугольным.
Если этот условие выполняется при постоянном токе, то возникает триггерный эффект /усилитель превращается в триггер/.
При глубокой отрицательной ОС единицей в знаменатели можно пренебречь - это используется для стабилизации
Канал ОС – обычно пассивные элементы они стабильны и стабилен.
;
;
[1] Влияние последовательной ООС на входное сопротивление усилителя.
; Uc=Uвх(1+Ku); ; =zвх(1+KU).
=zвх(1+KU)
Этот тип ООС увеличивает входное сопротивление zвх.
[2] Влияние последовательной ООС на выходное сопротивление усилителя.
;;;
; ;
У идеального усилителя входное сопротивление должно быть больше, а выходное меньше.
Последовательная ОС по напряжению уменьшает выходное сопротивление усилителя в (1+КU) раз.
коэффициент гармоник
Рассмотренная ООС расширяет полосу пропускания.
ООС во всех случаях:
Уменьшает коэффициент усиления, повышает его стабильность
Расширяет полосу пропускания
Уменьшает нелинейные искажения
Последовательная ООС:
Увеличивает входное сопротивление
Параллельная ООС:
Уменьшает входное сопротивление
Независимо от способа снятия сигнала ОС с выхода усилителя.
ООС по напряжению уменьшает усилителя
ООС по току увеличивает усилителя
Независимо от способа введения сигнала во входную цепь.
§4.5 Усилители на биполярных транзисторах. Выбор режима работы
.
R1 задает режим работы транзистора по постоянному току.
С1, С2 – разделительные или переходные конденсаторы.
Выбор режима работы по постоянному току.
Выходная статическая характеристика в схеме с общим эмиттером.
Рк=Uкэ*Iк;
Ik=Pk.max/Uкэ;
;
=arctg 1/Rk, - нагрузочная прямая по постоянному току, на ней находится раб точка
Все эти рассуждения применительно, если RH=.
n=arctg1/(RK||RH)=arctg(RK+RH)/( RK*RH)
; ;;;
§4.5 Стабилизация режима работы каскадов на биполярных транзисторах
1) Схема с фиксированным током базы
; ; ;;
2) Схема с фиксированным током базы
Для каждого транзистора нужен свой резистор.
Эта схема имеет неудовлетворительную температурную стабильностьнепригодна в промышленной аппаратуре.
3) Схема стабилизации рабочей точки с обратной связью
При включении возрастает;
С уменьшением - уменьшается, т.е. в схеме имеются противодействия
Чем выше сопротивление цепи усилителя и выше , тем больше увеличивается стабильность. Надо убрать переменную составляющую, для этого надо в цепь подсоединить конденсатор большой ёмкости.
4) Схема с эмиттерной стабилизацией
- для максимального коэффициента усиления
5) Схема стабилизации режима работы транзистора с ОС по напряжению коллектора
;
Связь между коллектором и базой обеспечивает стабилизацию режима работы.
Коэффициент по усилению тока будет максимально высоким.
Схема с фильтром в цепи питания.
Стабилизация раб. точки.
Отрицательная О.С. по переменному току убирается Сф.
Каскад с общей базой /КОБ/
Каскад с общим коллектором /КОК/ - /эмиттерный повторитель/
КОБ:
Конденсатор заземляет базу по переменному току. Сигнал черезподаётся на эмиттер.
, коэффициент передачи по току
КОБ плохо согласуются между собой
КОК:
; ;
100% обратная связь.
На входе получим:
Без буферного каскада – 1В;
С буферным каскадом в 100 раз больше.
Коэффициент усиления по напряжению:
у каскадов с общим эмиттером и общей базой соизмеримы />>1/
у каскада с общим коллектором <1
Коэффициент усиления по току:
в схеме с общей базой <1
в схеме с общим эмиттером и общим коллектором >>1
Коэффициент усиления по мощности максимален в схеме с общим эмиттером >>1
Минимальное выходное сопротивление у каскада с общей базой, выше у каскада с общим эмиттером, максимально у каскада с общим коллектором.
Выходное сопротивление в схеме с общей базой и общим эмиттером приблизительно равно сопротивлению в цепи в схеме с общим коллектором.