ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ

Перелік модульних контрольних питань для студентів 2-го курсу

спеціальності 6.091300 "Інформаційно-вимірювальні системи" ФІТ

МОДУЛЬ № 1

Напівпровідникові діоди, біполярні та польові транзистори

1. ЗАГАЛЬНІ ПИТАННЯ

1.1.Основні принципи побудови електронних ІВС. Постулати електроніки.

1.2. Активні та пасивні компоненти.

1.3. Вольт-амперні характеристики (ВАХ) лінійних та нелінійних компонентів.

1.4. Генератори струму та напруги.

1.5. Диференціюючі RC- та LC-схеми (принципові схеми, амплітудо-частотні ( АЧХ ) та перехідні характеристики (ПХ).

1.6. Інтегруючі RC- та LC-схеми (принципові схеми, амплітудо-частотні та перехідні характеристики ).

1.7. Подільник напруги. Співвідношення вихідних та вхідних опорів пристроїв при передачі сигналів без спотворень.

1.8. Типові процеси обробки електричних інформаційних сигналів. Принцип реле.

1.9. Класифікація речовин за провідністю.

1.10. Електронно-дірковий перехід в рівноважному стані.

1.11..Електронно-дірковий перехід при прямому вмиканні .

1.12. Електронно-дірковий перехід при зворотному вмиканні.

1.13. Використання р-n переходів для побудови напівпровідникових приладів.

1.14. Властивості та ВАХ випрямляючих і не випрямляючих контактів "метал-напівпровідник".

1.15. Ємнісні властивості р-n переходів та використання варикапів.

1.16. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів (НД).

1.17. Система позначення та умовні графічні позначення НД.

1.18. Випрямні діоди. Випрямлячі.

1.19. Обмежувачі амплітуд.

1.20. Імпульсні діоди. Комутатори та логічні схеми.

1.21. Високочастотна електрична модель НД.

1.22. ВАХ діода. Диференціальні та граничні експлуатаційні параметри.

1.23. Використання НД в амплітудних детекторах.

1.24. Визначення, ВАХ та параметри стабілітронів.

1.25. Електрична принципова схема параметричного стабілізатора напруги.

1.26. Проектування та дослідження пристроїв на діодах в середовищі «Multisim».

1.27. Визначення, режими роботи та схеми вмикання біполярних транзисторів (БТ).

1.28. Структура та принцип дії БТ.

1.29.Коефіцієнти передачі струму в схемах СБ та СЕ.

1.30. Статичні характеристики БТ при вмиканні СБ.

1.31. Статичні характеристики БТ при вмиканні СЕ.

1.32. Підсилення потужності електричних сигналів (принцип реле).

1.33. Однокаскадний підсилювач за схемою СЕ.

1.34. Однокаскадний підсилювач за схемою СБ.

1.35. Однокаскадний підсилювач за схемою СК.

1.36. Порівняльний аналіз трьох схем вмикання БТ.

1.37. Ключовий режим БТ. Використання діодів Шотткі.

1.38. Графоаналітичний метод розрахунку та аналізу транзисторних схем.

1.39. Частотні параметри БТ.

1.40. Шумові параметри БТ.

2. Характеристики приладів

2.1. Амплітудно-частотна характеристика диференціюючої схеми.

2.2. Амплітудно-частотна характеристика інтегруючої схеми.

2.3. Перехідна характеристика диференціюючої схеми.

2.4. Перехідна характеристика інтегруючої схеми

2.1. Вольт-амперна характеристика (ВАХ) НД.

2.2. Вхідні характеристики БТ за схемою СЕ.

2.3. Вихідні характеристики БТ за схемою СЕ.

2.4. Вхідні характеристики БТ за схемою СБ.

2.5. Вихідні характеристики БТ за схемою СБ.

.

3. Принципові електричні схеми

3.1. Однопівперіодного випрямляча.

3.2. Обмежувача амплітуди на НД.

3.3. Амплітудного детектора.

3.4. Діодного комутатора.

3.5. Регулятора частоти на основі варікапа.

3.6. Однокаскадного підсилювача за схемою СЕ з елементами емітерної та колекторної термостабілізації.

3.7. Однокаскадного підсилювача за схемою СБ.

3.8. Однокаскадного підсилювача за схемою СК.

Модуль № 2 польові транзистори, прилади оптоелектроніки та інтегральні схеми

1.Загальні питання

1.1. Визначення, класифікація та особливості польових транзисторів (ПТ) .

1.2. Польовий транзистор з керувальним р-n переходом. Структура, принцип дії, стік - затворна та вихідна характеристики.

1.3. Принципова електрична схема підсилювача на ПТ з автоматичним зміщенням.

1.4. Польовий транзистор з індукованим каналом. Структура, принцип дії, стік-затворна та вихідна характеристики.

1.5. Польовий транзистор з вбудованим каналом. Структура, принцип дії, стік-затворна та вихідна характеристики.

1.6.Ключ на МДН-транзисторі з резистивним навантаженням.

1.7. Ключ на МДН-транзисторі з динамічним навантаженням.

1.8. Комплементарні МДН-ключі.

1.9.Система умовних позначень ПТ.

1.10. Оптоелектронні прилади. Переваги та основні елементи.

1.11.Оптрони та оптопари. Найважливіші позитивні якості оптронів.

1.12.Джерела та приймачі оптоелектроніки.

1.13. Підсилення потужності електричних сигналів за допомогою оптопар.

1.14. Інтегральні мікросхеми. Основні терміни та визначення в мікроелектроніці.

1.15. Класифікація та система умовних позначень ІМС.

1.16.Особливості ІМС як активних компонентів.

1.17.Багатоемітерні, багатоколекторні транзистори та біполярні транзистори з бар”єром Шотткі.

1.18.Особливості формування діодів в ІМС.

1.19. Аналогові та цифрові інтегральні схеми ( АІС та ЦІС ). Основні типи АІС.

1.20. Схеми стабілізації режиму роботи АІС. Генератор стабільного струму ( струмове дзеркало ).

1.21. Схеми зсуву рівнів напруг.

1.22. Основні типи інтегральних підсилювачів.

1.23. Багатоцільові однокаскадні підсилювачі.

1.24. Диференціальні підсилювачі в інтегральному виконанні.

Визначення, принципова електрична схема, принцип дії.

1.25. Коефіцієнт ослаблення синфазної завади.

1.26.Композиційний транзистор. Складені транзистори ( схема Дарлінгтона ).

1.27. Каскодна схема.

1.28. Операційні підсилювачі. Визначення та основні параметри.

1.29. Основні схеми вмикання операційних підсилювачів.

1.30. Неінвертувальне вмикання операційних підсилювачів.

1.31. Інвертувальне вмикання операційних підсилювачів.

1.32. Диференціальне вмикання операційного підсилювача.

1.33. Використання ОП для побудови суматорів, інтеграторів, диференціаторів.

1.34. Функціонально-вузловий метод проектування радіоелектронної апаратури.