- •1. Разработка и расчет структурной схемы передатчика
- •1.1. Обобщенная структурная схема передатчика с ум
- •1.2. Разработка структурной схемы передатчика
- •2. Разработка структурной схемы возбудителя.
- •2.1. Синтезаторы частоты
- •4.Шаг следования частот (шаг сетки) f.
- •2.2. Фазовые модуляторы
- •2.3. Блок переноса
- •2.4. Буферный усилитель
- •2.5. Блок умножения частоты
- •2.6. Рекомендуемая последовательность разработки структурной схемы возбудителя
- •3. Расчет выходного усилителя мощности
- •3.1. Расчет параметров транзисторов.
- •3.2. Энергетический расчет вум
- •3.3. Выбор вспомогательных элементов вум
- •3.4. Пересчет основных энергетических показателей вум
- •4.Расчет цепи согласования вум
- •4.1. Расчет элементов трансформирующего г-звена
- •4.2. Принципиальные схемы цепей согласования
- •4.3. Потери в элементах цепи согласования и энергетические характеристики элементов и понятие добротности контура
- •4.4. Порядок электрического расчета цепи согласования вум
- •4.4.1. Исходные данные к расчету
- •4.4.2. Расчет цс выходного усилителя мощности с вч трансформатором
- •4.4.3. Расчет цс выходного усилителя мощности на основе двух связанных п – фильтров
- •4.5.4. Расчет электрических параметров элементов цс
- •5. Библиографический список
3.2. Энергетический расчет вум
Энергетический расчет генераторов проводится на мощность, которую должен отдавать в коллекторную нагрузку один АЭ ВУМ
с последующим пересчетом основных энергетических показателей на всю схему. За рабочую частоту целесообразно принять среднюю частоту рабочего диапазона.
В литературе можно найти методики энергетического расчета, предложенные разными авторами [ 2,5,9,10]. Каждая из этих методик имеет свои достоинства и недостатки. В данном методическом пособии используется методика, которая базируется на методике изложенной в [2]. Она справедлива для рабочих частот до (0.5…0.8) fт. Для более высоких частот рекомендуется использовать методики, изложенные в [8,10].
Расчет коллекторной цепи транзисторного усилителя мощности
1.Для выбранного класса работы АЭ определяются значения коэффициентов Берга и коэффициент .
2.Амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе в критическом режиме
.
3.Максимальное напряжение на коллекторе
.
Коэффициент (1.2…1.3) учитывает присутствие на коллекторе напряжения, развиваемого высшими гармониками.
4. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока
.
5.Постоянная составляющая коллекторного тока
.
6.Высота импульса коллекторного тока
.
7. Мощность, потребляемая от источника питания,
.
8.КПД по коллекторной цепи (электронный КПД)
.
9.Мощность рассеяния на коллекторе транзистора
,
где - модуль отражения, который имеет место при КСВ в фидере равном двум.
Эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки, при котором обеспечивается критический режим работы усилителя
.
Расчет базовой цепи транзисторного усилителя мощности.
При расчете базовой цепи предполагается, что между базой и эмиттером транзистора по ВЧ включен резистор . Согласно [Шум.], резистор выравнивает постоянные времени базовой цепи при переходе транзистора из закрытого состояния в открытое и обратно. Это обеспечивает сохранность косинусоидальной формы импульса коллекторного тока и его угла отсечки , а также ограничивает пиковое значение напряжения на базо-эмиттерном переходе. Особенно эффективно влияние в области низких и средних рабочих частот, т.е. . В области высоких частот влияние резистора незначительно и его можно не ставить. Однако в расчетных формулах параметр следует оставлять.
Расчет базовой цепи ведется в следующей последовательности.
12. Рассчитывается требуемая величина резистора
.
13. Амплитуда тока базы
,
где .
14. Максимальное обратное напряжение между базой и эмиттером
.
15. Постоянные составляющие токов базы и эмиттера
.
16. Напряжение смещения на базе
.
Если в цепи эмиттера включается дополнительное сопротивление , то его влияние следует учесть
.
17. Рассчитываются элементы цепи замещения входного иммитанса транзистора.
Схема цепи замещения представлена на рис. 2.6
Рис.2.6
.
При определенных соотношениях элементов схемы замещения возможны отрицательные значения параметров и .
18. Рассчитываются активная и реактивная составляющие входного сопротивления транзисторного усилителя
.
При параллельном соединении транзисторов значения активной и реактивной составляющих входного сопротивления уменьшаются в n раз. При двухтактном соединении – сопротивления соединяются последовательно, образуя удвоенную симметричную нагрузку. При модульном построении сопротивления используются при выборе схемы делящего устройства.
19.Рассчитываются требуемая входная мощность и коэффициент усиления по мощности
.
20. Полная мощность рассеяния на транзисторе
.