- •Исследование полупроводникового лазера на основе GaAs
- •Исследование полупроводникового лазера на основе GaAs
- •1 Принцип работы полупроводниковых квантовых генераторов
- •2 Важнейшие параметры излучательных диодов
- •3 Предельная мощность полупроводниковых
- •4 Спектральные свойства излучения лазера на основе GаAs
- •5 Пространственное распределение когерентного излучения
- •6 Аппаратура для исследования излучения лазерных диодов на основе GaAs
- •7 Задание
7 Задание
1. После ознакомления с инструкциями по эксплуатации приборов, комплектующих установку, произвести включение приборов в сеть.
ВНИМАНИЕ!!! Включение усилителя мощности для инжекции носителей через p-n переход производится после заполнения кристалла жидким азотом.
2. Установить напряжение питания фотоумножителя равным 1400 В.
3. Залить в криостат жидкий азот.
4. Включить усилитель мощности. Произвести юстировку лазерного диода по максимальному отклонению пера записывающего устройства.
5. Произвести запись спектров излучения лазерного диода при различных токах возбуждения. Режим записи задается руководителем.
6. После записи спектров проставить значения длин волн на диаграммной бумаге, соответствующие максимальной интенсивности излучения и уровням половинной интенсивности, пользуясь при этом градировочным графиком.
7. определить ширину спектра на уровне половинной интенсивности и степень монохроматичности. Рассчитать энергию фотонов, соответствующую длинам волн в максимуме излучения и сопоставить ее ширине запрещенной зоны материала лазерного диода. Сделать соответствующие выводы.
8. измерить распределение интенсивности излучения лазерного диода в горизонтальной плоскости по точкам через 0,5º. Результаты измерений свести в таблицу и построить график.
9. определить угловое расхождение луча лазера в горизонтальной плоскости.
Список литературы?