Билет 1.
1) Основные направления разработок микроэлектромеханических систем объединены, прежде всего, применяемыми материалами:
А) карбид кремния (единственное полупроводниковое бинарное соединение АIVВIV. Тип связи — ковалентный ,доля ионной составляющей порядка 10%. Ширина запрещенной зоны ) для кристаллов SiC составляет 2,39 эВ, для различных модификаций SiC ширина запрещенной зоны может иметь значение в пределах от 2,72 до 3,34 эВ. Большие значения ширины запрещенной зоны позволяют создавать на его основе полупроводниковые приборы, сохраняющие работоспособность при температурах до 600оС. Собственная электропроводность из-за большой ширины запрещенной зоны наблюдается лишь при температурах выше 1400оС. ) Б) сегнетоэлектрические пленки(свойствен Гистерезис, Г. наблюдается в тех случаях, когда состояние тела в данный момент времени определяется внешними условиями не только в тот же, но и в предшествующие моменты времени. Неоднозначная зависимость величин наблюдается в любых процессах, т.к. для изменения состояния тела всегда требуется определённое время (время релаксации и реакция тела отстаёт от вызывающих её причин. Такое отставание тем меньше, чем медленнее изменяются внешние условия Однако для некоторых процессов отставание при замедлении изменения внешних условий не уменьшается. В этих случаях неоднозначную зависимость величин называется гистерезисной, а само явление — Г.) В )кремний (полупроводник, находящий большое применение. Электрические свойства Кремния очень сильно зависят от примесей. , Специально легированный Кремний широко применяется как материал для изготовления полупроводниковых приборов )
Билет 3.
Раз ли чают аморфную и кристаллическую структуру твердых тел.
Аморфные структуры - это структуры, не имеющие явно выраженного даль него по рядка в расположении атомов. К таким материалам относятся, на пример, стекла, многие органические материалы и т. д.
Кристаллические структуры - это структуры, представляющие периодическую решетку, в узлах которой расположены атомы
Кристаллическая решетка – это структура с геометрически правильным расположением частиц в пространстве.
Типы кристаллических решеток:
Если в узлах кристаллической решетки расположены разноименные ионы, то кристаллы называются ионными. Атомы в ионных кристаллах обмениваются электронами, образуя ионы с устойчивыми внешними оболочками. Ионы располагаются так, что силы кулоновского притяжения между ионами противоположного знака больше, чем силы отталкивания между ионами одного знака
Атомные кристаллы состоят из отдельных атомов, объединенных ковалентными связями. атомные кристаллы можно считать гигантскими молекулами. Они очень прочные и твердые, плохо проводят теплоту и электричество. Вещества, имеющие атомные кристаллические решетки, плавятся при высоких температурах. Они практически нерастворимы в каких-либо растворителях. Для них характерна низкая реакционная способность.
Молекулярные кристаллы построены из отдельных молекул, внутри которых атомы соединены ковалентными связями. Между молекулами действуют более слабые межмолекулярные силы. Они легко разрушаются, поэтому молекулярные кристаллы имеют низкие температуры плавления, малую твердость, высокую летучесть. Вещества, образующие молекулярные кристаллические решетки, не обладают электрической проводимостью, их растворы и расплавы также не проводят электрический ток.
Для металлов характерна металлическая кристаллическая решетка. В ней имеется металлическая связь между атомами. В металлических кристаллах ядра атомов расположены таким образом, чтобы их упаковка была как можно более плотной. Связь в таких кристаллах является делокализованной и распространяется на весь кристалл. Металлические кристаллы обладают высокой электрической проводимостью и теплопроводностью, металлическим блеском и непрозрачностью, легкой деформируемостью.
Билет 5.