Список использованных источников
Романычева
Э.Т. и др. Разработка и оформление
конструкторской документации РЭА :
Справ. пособие. М.: Радио и связь, 1990. 465
с.
Справочное
пособие по черчению / В.Н. Богданов, И.Ф.
Малежик, А.П.Верхола и др. М.: Машиностроение,
1989. 864 с.
Матсон
Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие
по конструированию микросхем. - Минск:
Выш. школа, 1982. 224 с.
Конструирование
и технология изготовления интегральных
схем: Курсовое проектирование / Под
ред. Л.А. Коледова. М.: Высш. школа, 1986.
238 с.
Забело
А.Г. и др. Устройство для импульсной
термообработки полупроводниковых
структур. А.с. СССР №1155120 , МКИ4
HO1L 21/322. Заявлено 24.11.82; опубл. 07.08.84. Бюл.
№ 8. 3 с.
Пат.
3480152 США,
МКИ5
HO1L 21/02. New rapid thermal annealind for GaAs./ Scovell
P.D. (Великобритания) ; №8525295. Заявлено
17.09.81; опубл. 26.03.86. 3 с.
Зандберг
Э.Я., Кнатько М.В., Пантелеев В.И.
Фотостимулированная диссоциация
молекул на поверхности твердого тела//
Изв. АН. Сер. Физическая. 1992. Т.56. № 8.
С.21-27.
Родерик
Э.Х. Контакты металл - полупроводник /
Под.ред. Г.В. Степанова. М.: Радио и связь,
1982. 209 с.
ГОСТ
2.105 - 95. Общие требования к текстовой
документации. - М.: Изд-во стандартов,
1995. 21 с.
Bentini
G., Correra L., Donolato C. Deffect intriduced in silicon wafers
during rapid isotermal annealing : Thermoplastic and thermaelastic
effects //
J. Appl.
Phys. 1984. Vol.58. № 10. Р.2922-2929.
