- •1. Исходные данные
- •2. Проектирование и расчет схемы стабилизатора
- •2.1 Выбор исн
- •2.2 Выбор силового транзистора и напряжения питания
- •2.3 Выбор резистора r7
- •2.4 Выбор составного транзистора vt5
- •2.5 Определение величины дополнительного напряжения питания
- •2.6 Расчет величины резистора r022
- •2.7 Выбор резисторов делителя обратной связи
- •2.8 Расчет цепи защиты от перегрузки по току
- •2.9 Выбор емкостей с3–с7
- •2.10 Выбор резистора r1
- •3. Расчет выпрямителя и сглаживающего фильтра
- •3.1 Расчет сглаживающего фильтра
- •3.2 Расчет выпрямителя
- •4. Расчет тепловых режимов
- •5. Расчет основных параметров стабилизатора
2.2 Выбор силового транзистора и напряжения питания
После выбора схемы стабилизатора необходимо выбрать силовой транзистор VT1. Для этого необходимо предварительно оценить предельные режимы работы, которые испытывает транзистор в данной схеме, а именно, максимальные значения тока, напряжения и мощности рассеивания.
(2.2),
где КП – коэффициент превышения тока при перегрузке (КП=1,1…1,2).
Для нашего варианта принимаем I1max=1,2·2=2.4 А, U1max=1,3·(24+6)=39 В, P1max=2.4·(39–3)=86.4Вт.
По справочнику /11,16/ в качестве VT1 выбираем транзистор n-p-n типа, большой мощности, низкой или средней частоты, например КТ819БМ. Основные параметры транзистора КТ819БМ приведены в табл. 3.
Табл. 3
№ п/п |
Параметр |
Значение |
1 |
Максимально допустимый ток коллектора IKmax |
15 |
2 |
Максимально допустимое напряжение UКЭmax |
40 |
3 |
Максимальная мощность рассеивания PKmax , Вт при ТК=25 °С; |
100 |
4 |
Максимальная температура перехода ТПmax, °C |
125 |
5 |
Максимальная температура корпуса ТKmax, °C |
100 |
6 |
Коэффициент усиления по току h21Э |
20 |
7 |
Напряжение насыщения UКЭнас, В |
2 |
8 |
Обратный ток коллекторного перехода IКБо, мА |
1 |
9 |
Граничная частота усиления fГР, Гц |
1000 |
10 |
Емкость коллекторного перехода СК, пФ |
1000 |
11 |
Время выключения tВЫК, мкс |
2,5 |
12 |
Тепловое сопротивление переход-корпус RTп-к, °С/Вт |
1,0 |
Внешний вид транзистора представлен на рис. 6.
Рис. 6. Транзистор
КТ819БМ
Определим минимально необходимое напряжение питания при условии обеспечения максимального напряжения на нагрузке
(2.3)
где URЭ – падение напряжения на выравнивающем резисторе RЭ в случае использования параллельного соединения нескольких транзисторов;
UH – ожидаемый коэффициент нестабильности напряжения на нагрузке.
Согласно рекомендациям /4/ падение напряжения на выравнивающих резисторах выбирается как URЭ=(0,1…0,15)UКЭнас. Поскольку в справочных данных не приводится значение напряжения между базой и эмиттером силового транзистора VT1, принимаем UБЭUКЭнас. Падение напряжения на резисторном шунте R10 выбирается равным напряжению отпирания защитного транзистора VT9 микросхемы A1 /5/.
Необходимое номинальное напряжение питания:
(2.4)
где bC – коэффициент снижения напряжения сети; UП – коэффициент пульсаций напряжения питания.
Максимальное напряжение питания:
(2.5)
где aC – коэффициент увеличения напряжения сети.
Мощность, рассеиваемая на транзисторе:
(2.6)
Для рассматриваемого варианта UПmin=24·(1+0,04)+2+0,2+0,7=27,86 В, UП=27,86/[(1–0,1)·(1–0,04)]=32,25 В, UПmax=32,25·(1+0,1)·(1+0,04)=36,89 В.
На основании полученных данных проверим правильность выбора транзистора по напряжению VT1, UКЭmax>36,89 В. При напряжении на нагрузке UH=24 В имеем Р1=(32,25·(1+0,1)–24–0,2–0,7)·2,4=25,38 Вт. При UH=3 В, Р1=(32.25·(1+0,1)–3–0,2–0,7)·2,4=75,78 Вт. Для увеличения теплоотдачи силовые транзисторы устанавливают на внешние радиаторы. Согласно рекомендациям /6–8/ рассеиваемая мощность радиатора с одним транзистором в режиме естественной конвекции принимается не более 20 Вт, в режиме вынужденной конвекции (обдув вентилятором) – до 100 Вт. В данном проекте принимаем режим естественной конвекции как наиболее распространенный в источниках питания. Из расчета мощности видно, что в качестве силового элемента схемы необходимо применить несколько параллельно соединенных транзисторов. Предварительно полагаем, что максимально допустимая мощность рассеивания на них PVT1max=(25,38 +75,78 )/2≈60 Вт. Пусть количество параллельных транзисторов NVT1=60/20=3. Определим минимальное напряжение на нагрузке, при котором мощность рассеивания на регулирующем элементе не превышает PVT1max. Из (6) имеем
(2.7)
Для нашего случая UH1min=32,25·1,1–0,2–0,7–60/2,4=9,58 В. Данное значение является минимально возможным выходным напряжением для питающего напряжения UП=32,25 В. Для обеспечения выходного напряжения ниже 9,58 В (второй диапазон регулирования) необходимо использовать меньшее напряжение питания. Напряжение питания второго диапазона можно определить из выражений (2.3) и (2.4), в которых максимальное значение выходного напряжения принимается равным минимальному значению этого напряжения в первом диапазоне регулирования UH2max=UH1min=10 В. Используя формулы (2.3) и (2.4) имеем: UП2min=10·(1+0,04)+2+0,2+0,7=12.94 В, UП2=12.94/[(1–0,1)·(1–0,04)]=14.97 В.
Минимально возможное напряжение на нагрузке во втором диапазоне найдется из выражения (2.7): UH2min=14.97·1,1–0,2–0,7–60/2.4 < 0В. Оно меньше заданного UHmin=3 В, поэтому достаточно двух дискретных диапазонов регулирования UH2=3…10 B, UH1=10…24 B, для которых используются разные напряжения питания UП2=33В, UП1= 10 В.