Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
КР12.doc
Скачиваний:
8
Добавлен:
20.09.2019
Размер:
1.19 Mб
Скачать

2.2 Выбор силового транзистора и напряжения питания

После выбора схемы стабилизатора необходимо выбрать силовой транзистор VT1. Для этого необходимо предварительно оценить предельные режимы работы, которые испытывает транзистор в данной схеме, а именно, максимальные значения тока, напряжения и мощности рассеивания.

(2.2),

где КП – коэффициент превышения тока при перегрузке (КП=1,1…1,2).

Для нашего варианта принимаем I1max=1,2·2=2.4 А, U1max=1,3·(24+6)=39 В, P1max=2.4·(39–3)=86.4Вт.

По справочнику /11,16/ в качестве VT1 выбираем транзистор n-p-n типа, большой мощности, низкой или средней частоты, например КТ819БМ. Основные параметры транзистора КТ819БМ приведены в табл. 3.

Табл. 3

№ п/п

Параметр

Значение

1

Максимально допустимый ток коллектора IKmax

15

2

Максимально допустимое напряжение UКЭmax

40

3

Максимальная мощность рассеивания PKmax , Вт при ТК=25 °С;

100

4

Максимальная температура перехода ТПmax, °C

125

5

Максимальная температура корпуса ТKmax, °C

100

6

Коэффициент усиления по току h21Э

20

7

Напряжение насыщения UКЭнас, В

2

8

Обратный ток коллекторного перехода IКБо, мА

1

9

Граничная частота усиления fГР, Гц

1000

10

Емкость коллекторного перехода СК, пФ

1000

11

Время выключения tВЫК, мкс

2,5

12

Тепловое сопротивление переход-корпус RTп-к, °С/Вт

1,0

Внешний вид транзистора представлен на рис. 6.

Рис. 6. Транзистор КТ819БМ

Определим минимально необходимое напряжение питания при условии обеспечения максимального напряжения на нагрузке

(2.3)

где URЭ – падение напряжения на выравнивающем резисторе RЭ в случае использования параллельного соединения нескольких транзисторов;

UH – ожидаемый коэффициент нестабильности напряжения на нагрузке.

Согласно рекомендациям /4/ падение напряжения на выравнивающих резисторах выбирается как URЭ=(0,1…0,15)UКЭнас. Поскольку в справочных данных не приводится значение напряжения между базой и эмиттером силового транзистора VT1, принимаем UБЭUКЭнас. Падение напряжения на резисторном шунте R10 выбирается равным напряжению отпирания защитного транзистора VT9 микросхемы A1 /5/.

Необходимое номинальное напряжение питания:

(2.4)

где bC – коэффициент снижения напряжения сети; UП – коэффициент пульсаций напряжения питания.

Максимальное напряжение питания:

(2.5)

где aC – коэффициент увеличения напряжения сети.

Мощность, рассеиваемая на транзисторе:

(2.6)

Для рассматриваемого варианта UПmin=24·(1+0,04)+2+0,2+0,7=27,86 В, UП=27,86/[(1–0,1)·(1–0,04)]=32,25 В, UПmax=32,25·(1+0,1)·(1+0,04)=36,89 В.

На основании полученных данных проверим правильность выбора транзистора по напряжению VT1, UКЭmax>36,89 В. При напряжении на нагрузке UH=24 В имеем Р1=(32,25·(1+0,1)–24–0,2–0,7)·2,4=25,38 Вт. При UH=3 В, Р1=(32.25·(1+0,1)–3–0,2–0,7)·2,4=75,78 Вт. Для увеличения теплоотдачи силовые транзисторы устанавливают на внешние радиаторы. Согласно рекомендациям /6–8/ рассеиваемая мощность радиатора с одним транзистором в режиме естественной конвекции принимается не более 20 Вт, в режиме вынужденной конвекции (обдув вентилятором) – до 100 Вт. В данном проекте принимаем режим естественной конвекции как наиболее распространенный в источниках питания. Из расчета мощности видно, что в качестве силового элемента схемы необходимо применить несколько параллельно соединенных транзисторов. Предварительно полагаем, что максимально допустимая мощность рассеивания на них PVT1max=(25,38 +75,78 )/2≈60 Вт. Пусть количество параллельных транзисторов NVT1=60/20=3. Определим минимальное напряжение на нагрузке, при котором мощность рассеивания на регулирующем элементе не превышает PVT1max. Из (6) имеем

(2.7)

Для нашего случая UH1min=32,25·1,1–0,2–0,7–60/2,4=9,58 В. Данное значение является минимально возможным выходным напряжением для питающего напряжения UП=32,25 В. Для обеспечения выходного напряжения ниже 9,58 В (второй диапазон регулирования) необходимо использовать меньшее напряжение питания. Напряжение питания второго диапазона можно определить из выражений (2.3) и (2.4), в которых максимальное значение выходного напряжения принимается равным минимальному значению этого напряжения в первом диапазоне регулирования UH2max=UH1min=10 В. Используя формулы (2.3) и (2.4) имеем: UП2min=10·(1+0,04)+2+0,2+0,7=12.94 В, UП2=12.94/[(1–0,1)·(1–0,04)]=14.97 В.

Минимально возможное напряжение на нагрузке во втором диапазоне найдется из выражения (2.7): UH2min=14.97·1,1–0,2–0,7–60/2.4 < 0В. Оно меньше заданного UHmin=3 В, поэтому достаточно двух дискретных диапазонов регулирования UH2=3…10 B, UH1=10…24 B, для которых используются разные напряжения питания UП2=33В, UП1= 10 В.