§ 4.2. Основные структуры запоминающих устройств

Адресные ЗУ представлены в классификации статическими и динамическими оперативными устройствами и памятью тина ROM. Многочисленные варианты этих ЗУ имеют много общего с точки зрения структурных схем. что делает более рациональным не конкретное рассмотрение каждого ЗУ в полном объеме, а изучение некоторых обобщенных структур с последующим описанием запоминающих элементов для различных ЗУ. Общность структур особенно проявляется для статических ОЗУ и памяти типа ROM. Структуры динамических ОЗУ имеют свою специфику и рассмотрены в § 4.7. Для статических ОЗУ и памяти типа ROM наиболее характерны структуры 2D, 3D и 2DM

Структура 2d

В структуре 2D (рис. 4.3) запоминающие элементы ЗЭ организованы в прямоугольную матрицу размерностью М = к < m, где М — информационная емкость памяти в битах; к — число хранимых слов; m — их разрядность.

Матрица запоминающих элементов

Рис. 4.3. Структура ЗУ типа 2D

Дешифратор адресного кода DC при наличии разрешающего сигнала CS CHIP Select — сигнала выбора микросхемы) активизирует одну из выходных ииний, разрешая одновременный доступ ко всем элементам выбранной cтроки, хранящей слово, адрес которого соответствует номеру строки. Элементы одного столбца соединены вертикальной линией — внутренней линией данных (разрядной линией, линией записи/считывания). Элементы столбца хранят одноименные биты всех слов. Направление обмена определяется усилителями чтения/записи под воздействием сигнала R/W (Read — чтение, Write — запись).

Структура типа 2D применяется лишь в ЗУ малой информационной емкости т. к. при росте емкости проявляется несколько ее недостатков, наиболее очевидным из которых является чрезмерное усложнение дешифратора | адреса (число выходов дешифратора равно числу хранимых слов).

8