- •Тема 2.3.1: Запоминающие устройства на имс. Типы, назначение зу, основные характеристики.
- •Ход лекции
- •Типы запоминающих устройств, классификация, назначение зу
- •2. Основные характеристики зу
- •Тема 2.3.2: Оперативные запоминающие устройства (озу). Организация озу статического, динамического
- •Ход лекции
- •Принципы построения зу с произвольным доступом
- •Зэ для статических биполярных озу
- •3. Схема динамического зэ
- •4. Статическое озу с матричным накопителем
- •Тема 2.3.3: Постоянные зу (пзу). Перепрограммируемые пзу (ппзу). План
- •Ход лекции
- •1. Особенности построения пзу
- •2. Однотранзисторный зэ биполярного ппзу
- •3. Структурная схема включения элементов программирования в состав ппзу
- •4. Репрограммируемые постоянные зу
4. Репрограммируемые постоянные зу
Эти ЗУ обладают всеми достоинствами ПЗУ, храня записанную информацию неопределенно долго и при отключенном питании. В то же время они допускают стирание записанной информации и запись новой информации. Однако если чтение осуществляется за доли микросекунды, то запись требует не много порядков большего времени.
С тирание информации в одних микросхемах производится путем подачи соответствующих напряжений, в других – путем подачи ультрафиолетового излучения через прозрачную крышку в корпусе микросхемы. Под действием напряжений либо светового излучения, действующего в течение 10 мин., снимается заряд с затвора транзисторов и все транзисторы накопителя оказываются установлены в непроводящее состояние. Обычное комнатное освещение практически не оказывает влияния на состояние транзисторов. Схема элемента памяти с электрической записью информации и стиранием ультрафиолетовым светом приведена на рис. 3.