1. Влияние внешних факторов на работу эа и методы борьбы с ними. (ктоп)
Условия эксплуатации ЭА характеризуются комплексом параметров, называемых внешними воздействующими факторами. Эти факторы принято разбивать на климатические, механические и радиационные.
К климатическим факторам относятся изменение t и влажности окружающей среды, тепловой удар, изменение атмосферного давления, присутствие активных веществ в атмосфере, наличие солнечного облучения.Нормальными климатическими условиями являются t:+25±10, отсносительная влажность 630-800 мм РТ. Столба, отсутствие активных веществ в окр. атмосфере. Повышение и понижение температуры влияют на место установки аппаратуры. Необходимо следить, чтобы t нагрева микросхем и дискретных элементов находилась в пределах их рабочего диапазона и при этом обеспечивалась устойчивая работа аппарата. Тепловой удар – характеризуется резким изменением t º в пределах десятков градусов в течение нескольких минут, больше всего страдают элементы конструкции. Влажность - один из самых агрессивных параметров, который особенно проявляет себя при полном погружении в воду, воздействии дождя, образования росы и инея с последующим оттаиванием. Понижение и повышение давления. Влияние давления зависит от расположения аппаратуры над уровнем моря(чем выше, тем меньше давление)
Механические факторы. К ним относятся вибрации, удары, акустические удары. В процессе транспортировки и эксплуатации ЭА подвергается воздействию вибрации, которая представляет собой сложные колебания, возникающие при контакте конструкции с источником колебаний. Акустический шум – проявляется в электронных аппаратах, устанавливающих вблизи работающих ракетных двигателей, двигателей самолетов, на кораблях, на авто и ж\д транспорте и характеризуется давлением звука, мощностью колебаний источника шума звука, силой звука и спектром звуковых частот.
Радиационные факторы: космическая радиация, ядерная радиация от реакторов, атомных двигателей и радиационно-опасных ситуаций, облучение потоком гамма-фотонов, нейтронов, альфа и бэта-частиц, протонов и дейтронов. Радиационное воздействие сказывается как немедленно, так и накапливая реакцию элементов конструкции аппарата. Среди существующих видов излучения наибольшую опасность представляют электронно-магнитные излучения. Полный диапазон электронно-магнитных излучений охватывает диапазон длин волн от десятков тысяч метров до долей нм. Наиболее значимое воздействие оказывают рентгеновское излучение и гамма-лучи с длиной волны 10 нм. Эти виды излучений обладают большой проникающей и ионизирующей способностями и характеризуются дозой излучений и мощностью.
2. Типы памяти микропроцессора. Подключение памяти. (мпс)
Процессор i8086 имеет несколько видов памяти:
РОН – регистры общего назначения, внутри ЦП
Стар. Млад.
-
AH
AL
A
BH
BL
B
CH
CL
C
DH
DL
D
Stack Pointer
SP - ук-ль стека
Base Pointer
BP - ук-ль базы
SI
DI
Команды работы с регистрами являются наиболее короткими (1 байт) , выполняются за минимальное время (2-4 МТ), т.е. не требуют дополнительно цикла шины.
Недостаток: малый объем памяти.
ОЗУ(ПЗУ)
Память i8086 имеет байтовую организацию. Младший байт расположен по меньшему( четному) адресу. Команды позволяют обращаться к памяти и как к байтам, и как к 16-разрядным словам.
Для определения формата данных используются сигналы AO, BHE – разрешение старшего байта
___
BHE AO
0 0 16-разр.
0 1 ст. байт
1 0 мл. байт
1 1 ---- АП=1 Мбайт
16-разрядные данные в памяти целесообразно размещать по четным адресам, т.к. при этом слово считается за 1 ЦШ.
Нед-к: обращение к ОЗУ выполняется дольше, чем к РОН и сост. 10-20 МТ, т.к. требует доп-ных циклов шин.
Стек – память типа «магазин» или LIFO. В качестве стека используется любая область ОЗУ. Для выбора начала стека используется адрес, задаваемый в регистре SP(указатель стека).
Стек имеет большой объем памяти, стек имеет промежуточное быстродействие между регистрами и ОЗУ, т.е. не требует доп-ных байт для указания адреса.
Нед-к: только последовательное обращение к данным.
Подключение памяти.
__ __ (CS) CE |
__ WE |
__ __ OE (RD) |
A |
D |
Режим |
1 |
X |
x |
x |
z |
Хранение |
0 |
0 |
X |
A |
DI |
Запись |
0 |
1 |
0 |
A |
DO |
Чтение |
0 |
1 |
1 |
X |
z |
Хранение |
Если ИМС им. недостаточно разрядность адреса, то используется несколько ИМС, управляемых дешифратором. Использование динамических ОЗУ(DRAM) влечет больше проблем. Для подключения DRAM используют ИМС-контроллер DRAM, например, i8203