Задача 2

По исходным данным, приведенным в табл. 2.1, постройте схему включения биполярного транзистора в активном режиме его работы, постройте энергетическую и потенциальную диаграммы БТ в этом режиме.

Определите h-параметры в заданной рабочей точке по статическим входным и выходным вольт-амперным характеристикам БТ в схеме включения с общим эмиттером (ОЭ). ВАХ приведены в [6] или другой справочной литературе.

Определите h-параметры для заданной схемы включения БТ, используя пересчетные формулы.

Приведите эквивалентную схему замещения БТ через h-параметры для заданной схемы включения транзистора.

Определите физические параметры исследуемого транзистора по пересчетным формулам и постройте эквивалентную схему замещения его через физические параметры для заданной схемы включения БТ.

Вариант задания определяется по абсолютной величине разности предпоследней и последней цифр шифра.

Таблица 2.1

Исходные данные к решению задачи 2

Номер варианта		0	1	2	3	4	5	6	7	8	9
Тип транзистора		ГТ305	ГТ308А	КТ301	КТ315	ГТ309А	ГТ310А	КТ601	КТ602	ГТ330	ГТ403А
Схема включения		с ОБ	с ОЭ	с ОК	с ОБ	с ОЭ	с ОК	с ОБ	с ОЭ	с ОК	с ОБ
Координаты положения рабочей точки на ВАХ в схеме включения БТ с ОЭ	выходной ток, мА	30	35	6	30	5	5	20	30	8	1200
	выходное напряжение, В	2,5	2.5	10	10	5	5	5	10	5	5

ЗАДАЧА 3

По исходным данным, приведенным в табл. 3.1, определите статические параметры полевого транзистора (ПТ) в выбранной рабочей точке стоковых характеристик. Полученные значения сравните с данными, указанными в справочнике. Приведите структуру и схему включения исследуемого ПТ.

Номер варианта определяется предпоследней цифрой шифра студента.

Таблица 3.1

Типы исследуемых ПТ

Исходные данные	Предпоследняя цифра шифра
	0	1	2	3	4	5	6	7	8	9
Тип полевого транзистора	КП103Е	КП103Ж	КП103И	КП103Л	КП103М	КП301Б	КП302А	КП302Б	КП302В	КП103К

На рис. 3 представлены стоковые характеристики полевых транзисторов.

а б

Рис. 3. Стоковые характеристики ПТ

ЗАДАЧА 4

Покажите структуру (топологию) фрагмента электрической схемы в интегральном исполнении. Приведите описание.

Вариант выбирается по сумме последней и предпоследней цифр шифра студента с отбрасыванием десятичного разряда.

Вариант 0. Пленочная технология. Фильтр низкой частоты на распределенных элементах (рис. 4, а).

Вариант 1. Полупроводниковая технология. Усилитель напряжения на полевом транзисторе (рис. 4, б).

Вариант 2. Полупроводниковая технология. Детектор (рис. 4, в).

Вариант 3. Гибридная технология. Усилитель (рис. 4, г).

Вариант 4. Полупроводниковая технология. Стабилизатор напряжения (рис. 4, д).

Вариант 5. Полупроводниковая технология. Инвертор (рис. 4, е).

Вариант 6. Пленочная технология. Фильтр высокой частоты (рис. 4, ж).

Вариант 7. Полупроводниковая технология. Усилитель (рис. 4, з).

Вариант 8. Полупроводниковая технология. Базовая схема ТТЛ логики (рис. 4, и).

В ариант 9. Полупроводниковая технология. Линия задержки на приборах с зарядовой связью (ПЗС).

Рис. 4. Электрические схемы фрагментов электронных устройств

а – и – названия электронных устройств приведены в описании вариантов задания