(11)14. Усилители бт с оэ

Входное усиливаемое переменное напряжение Uвх подводится ко входу транзистора через разделительный конденсатор Сp1. Он препятствует передаче постоянной составляющей напряжения входного сигнала на вход транзистора.

Усиленное переменное U, выделяемое на коллекторе транзистора VT, подводится к внешней нагрузке с сопротивлением Rн через разделтельный конденсатор Ср2 (он служит для разделения вых коллекторной цепи от внешней нагрузки по пост. составляющей коллекторного тока I_К0

Процесс усиления: Uвх.т. -> I бт -> I кт -> Iкт * Rк -> (Uкэт = E пит – I кт * Rк) = Uвых.т.

R1 и R2 задают точку покоя транзистора.

Rэ обеспечивает ООС по пост и пер. току (для температурной стабилизации транзистора).

Сэ – исключает ООС по переменному току.

Введение ООС уменьшает коэффициент усиления схемы.

Uвх сигнала с амплитудой Uвх.т.=Uбэ синфазно изменяет величину Iб => изменяется Iк и Uкэ,

причем амплитуда Uкэ >> Uбэ. Uкэ напряжения на вх и вых сдвинуты на 180 градусов по фазе, тоесть находятся в противофазе.

K=(β*Rк) / (Rк+Rн) – усиление транзисторного каскада по току коэффициентом усиления транзистора по току β, сопротивления К и нагрузки.

АЧХ и ФЧХ аналогичны хар-кам усилителей низкой частоты.

(12)15. Методы задания т.Покоя транзисторного каскада с оэ.

Перед тем как подавать сигнал на вх тр. усилителя, надо обеспечить режим покоя (хар-ся постоянными значениями токов и напряжений в тр-ре). (По 2му закону Кирхгофа)

Схема с фиксированным током базы:

Нач ток базы задается (по 2му закону Кирхгофа) с помощью резистора R_б. I_кR_к+U_кэ-E_пит=0 => I_к= E_пит/R_к-U_кэ/R_к – описывает линию нагрузки. I_бR_б+U_бэ-E_пит=0 => I_б= E_пит/R_б-U_бэ/R_б, т.к. E_пит>> U_бэ, то I_б≈ E_пит/R_б => ток I_б задается E_пит и R_б, при этом I_к≈β I_б. ­­«–» ток базы зависит от параметров тр-ра.

Схема с коллекторной стабилизацией:

ООС по напряжению (выход схемы – К тр-ра соединен с вх схемы – Б транзистора с пом R_б). Пусть I_к↑ => ↑ падение напряжения на коллекторном сопротивлении U_Rк и ↓U_кэ ↓I_б(I_б= U_кэ/R_б) подзапирание транзистора и препятствовать возрастанию I_к, т.е.будет осуществляться стабилизация тока коллектора.

Чтобы зафиксировать I_э и соответственно I_к – глвн цель. Для этого вкл R_э и создают на нем постоянное напряжение U_Rэ. U_Rэ = I_эR_э = I_кR_э. U_Бэ = U_Rб - U_Rэ. Величина U_Бэ изменяется мало при воздействии дестабилизирующих факторов, поэтому мало изменяется и U_Rэ. U_э= I_эR_э≈ I_кR_э↑ U_Бэ = U_б- U_э↓.

(13)16. Оос в усилителях на транзисторах.

ОС – явление передачи сигнала из вых цепи во вх. Вых сигнал усилителя Uвых ч/з цепь обратной связи частично или полностью передается к схеме сложения.

В ней из вх сигнала Uвх вычитается сигнал ОС Uос. => на вх усилителя поступает сигнал равный разности вх сигнала и сигнала обратной связи U_∑. ООС λст стабильность схемы – применяется в усилителях. ООС- сигнал ОС вычитается их вх сигнала. Разновидности ОС: 1) ООС и ПОС. 2) по напряжению (когда снимаемый сигнал ОС пропорционален напряжению вых цепи, по току когда снимаемый сигнал ОС пропорционален току вых цепи). 3) последовательная (напряжение сигнала ОС суммируется со вх напряжении); параллельная (ток цепи ОС суммируется с током входного сигнала). 4) местная и общая (местная охватывает 1каскад, общая –всю схему). Для количественной оценки степени влияния ОС используют коэф ОС β, показывающий какая часть вых сигнала поступает на вх усилителя . Влияние ООС на св-ва усилителя: нестабильность коэф-та усиления, уменьшение частотных и фазовых искажений.