Порядок выполнения работы

Задание № 1. Изучение процессов перемагничивания магнитного материала.

Порядок выполнения задания

1. Включите источники питания электромагнитов. Токи в электромагнитах установите равными нулю. Поместите магнитную пленку на предметный столик микроскопа и получите изображение доменной структуры.

2. Включите электромагнит Н_СМ и увеличивайте ток через него до исчезновения доменов. Измерьте поле Н_НАС (ток через электромагнит), считая его равным полю, когда исчезает доменная структура в поле зрения.

3. Медленно уменьшая поле Н_СМ (ток через электромагнит), зафиксируйте поле Н_СТ, при котором происходит зарождение доменов.

4. Измените полярность тока через электромагнит Н_СМ и повторите п.п. 2 - 3.

5. Сравните полученные значения Н_НАС, Н_СТ для доменов с различным направлением намагниченности (для темных и светлых доменов).

Задание № 2. Измерение параметров доменной структуры и расчет намагниченности материала.

Порядок выполнения задания

1. Включите Н_НЧ ~ 100 Э и медленно уменьшите его до нуля, размагнитив тем самым материал. Измерьте равновесный период полосовых доменов Р₀ с помощью окуляра-микрометра.

2. Включите Н_И и, увеличивая амплитуду импульсов поля, добейтесь зарождения ЦМД. Включив электромагнит Н_СМ, увеличивайте ток через него до исчезновения цилиндрических доменов. Измерьте поле коллапса ЦМД Н₀ (ток через электромагнит), считая его равным полю, когда исчезает половина ЦМД, находящихся в поле зрения.

3. Повторите измерения Р₀ и Н₀ не меняя трех раз. С помощью калибровочного коэффициента электромагнита К = Н/I (где I и Н - соответственно ток и поле, создаваемое электромагнитом) рассчитайте величину Н₀. С помощью измеренных величин Р₀ и Н₀ и известной h рассчитайте намагниченность магнитной пленки, используя результаты теории доменных структур (4.4.5).

Задание № 3. Наблюдение структуры доменных границ.

Порядок выполнения задания

1. С помощью призмы измените направление светового луча, проходящего через кристалл. Для этого держатель образца замените на держатель с призмой и закройте половину диафрагмы светонепроницаемым экраном. Из-за малой интенсивности дифракционной картины наблюдения необходимо проводить в темноте.

2. Получите изображение доменных границ. Включая различные источники магнитного поля, наблюдайте действие постоянного, переменного и импульсного полей на структуру границ.

3. Варьируя величину Н_И, добейтесь появления блоховских линий в границах. Для измерения поля старта Н_СТ блоховских линий медленно увеличивайте поле Н_И до тех пор, пока половина линий не будет передвигаться вдоль границ. Сравните величину Н_СТ с коэрцитивной силой кристалла.

Контрольные вопросы

1. Функциональная магнитоэлектроника.

2. Доменная структура.

3. Причины образования доменов в магнитном материале.

4. Блоховские, неелевские доменные границы.

5. Параметры доменных структур.

6. Домен как носитель информации.

7. Расчет намагниченности материала на основе результатов исследования доменных структур.

8. Магнитооптические методы исследования доменных структур.