Биполярные транзисторы

Работа б.т. основана на близко расположенных p-n переходов. Различают плоскостные и точечные б.т. Переходы в точечных б.т. имеют малую площадь и аналогичны точечным диодам.

Плоскостной б.т. представляет собой трехслойную структуру типа n-p-n и типа p-n-p.

Средний слой б,т. – база. Один крайний слой – коллектор, второй – эмиттер. Каждый слой имеет вывод при помощи которого транзистор включается в цепь.

Б.т. работает в 4 режимах:

• активный режим эмиттер – база в прямом направлении, коллектор – база – в обратном.

• инверсный режим, эмиттер-база – в обр напр, коллектор – база – в прямом.

• режим отсечки оба – в обр. направлении.

• режим насыщения – оба в прямом.

Полевые транзисторы:

Различают полевые транзисторы с управляющим p-n переходом –

Наибольшего абсолютного значения напряжение достигает у стока где перекрытие канала будет максимальным.

В основе принципа действия полупроводникового диода — свойства р — n-перехода, в частности, сильная асимметрия вольт-амперной характеристики относительно нуля. Таким образом различают прямое и обратное включение. В прямом включении диод обладает малым электросопротивлением и хорошо проводит электрический ток. В обратном — при напряжении меньше напряжения пробоя сопротивление очень велико и ток перекрыт.26. Схемы одно- и двухполупериодного выпрямления переменного тока

Схема двухполупериодного выпрямителя

Действующее значение тока нагрузки

Схема однополупериодного выпрямителя

24. Двигатели постоянного тока. Принцип действия, характеристики и электрические схемы включения