- •1.Электротехнический материал. Требования, предъявляемые к электротехническим материалам.
- •2.Электрофизические процессы в металлических проводниках. Удельная теплопроводность в металлах. Влияние примеси на удельное сопротивление.
- •3.Электрофизические процессы в металлических проводниках. Зависимость между свойствами сплавов (удельное сопротивление, твердость) и их диаграммами состояния.
- •4.Электрофизические процессы в металлических проводниках. Влияние деформации на удельное сопротивление.
- •5. Электрофизические процессы в металлических проводниках. Влияние температуры на удельное сопротивление металлов.
- •6. Электрофизические процессы в металлических проводниках. Влияние размеров проводника на удельное сопротивление.
- •8. Электрофизические процессы в металлических проводниках. Эмиссионные и контактные явления в металлах.
- •9.Электрофизические процессы в металлических проводниках. Тепловые свойства металлов. Тепловое расширение.
- •10. Электрофизические процессы в металлических проводниках. Тепловые свойства металлов. Теплопроводность.
- •11.Электрофизические процессы в металлических проводниках. Тепловые свойства металлов. Теплоемкость.
- •12. Проводниковые материалы. Медь. Влияние примесей на физические свойства меди.
- •13.Проводниковые материалы. Медь. «Водородная болезнь» меди.
- •14.Проводниковые материалы. Медь. Коррозионная стойкость меди.
- •15. Проводниковые материалы. Медь. Сравнительные характеристики меди марок мт и мм
- •16. Бронзы. Состав, свойства, область применения в электротехнике.
- •17. Латуни. Состав, свойства, область применения в электротехнике.
- •18. Проводниковые материалы. Алюминий. Сравнительная характеристика алюминиевых и медных проводников. Гальваническая коррозия контакта Al и Cu.
- •19. Проводниковые материалы. Алюминий. Свойства твердой и мягкой алюминиевой проволоки.
- •21. Биметаллические проводники. Назначение, свойства.
- •22. Сверхпроводники. Влияние внешних факторов на сверхпроводимость.
- •23. Сверхпроводники 1-го и 2-го рода. Свойства, диаграммы состояния.
- •24. Сверхпроводники 3-го рода и высокотемпературные сверхпроводники. Перспективы применения в электроэнергетике.
- •25. Материалы высокого сопротивления. Манганин. Состав, свойства, применение.
- •26. Материалы высокого сопротивления. Константан. Состав, свойства, применение.
- •27. Материалы высокого сопротивления. Нагревостойкие сплавы. Состав, свойства, применение.
- •28. Основы технологии пайки металлов. Классификация припоев. Условные обозначения, свойства и назначение мягких припоев.
- •29. Основы технологии пайки металлов. Флюсы и припои для низкотемпературной пайки.
- •30. Основы технологии пайки металлов. Флюсы и припои для высокотемпературной пайки.
- •31. Общие сведения и классификация полупроводниковых металлов.
- •32. Общие сведения о собственных и примесных полупроводниках. Электропроводность собственных полупроводников.
- •33. Общие сведения о собственных и примесных полупроводниках. Электропроводность примесных полупроводников.
- •34. Виды примеси полупроводникового материала. Акцепторная примесь
- •35. Виды примеси полупроводникового материала. Донорная примесь.
- •37. Зависимость удельной электропроводности полупроводников от температуры
- •38. Диэлектрические материалы. Поляризация диэлектриков.
- •39. Диэлектрические материалы. Удельное сопротивление диэлектриков.
- •40. Диэлектрические материалы. Диэлектрические потери. Тангенс угла диэлектрических потерь.
- •41. Диэлектрические материалы. Электрическая прочность диэлекриков. Виды пробоя диэлектриков.
- •42. Нагревостойкость, классы нагревстойкости. Холодостойкость диэлектриков.
- •43. Светостойкость и тропикостойкость диэлектриков.
- •44. Классификация материалов по поведению в магнитном поле.
- •45. Основные характеристики магнитных материалов. Магнитодвижущая сила, магнитное сопротивление, напряженность магнитного поля, магнитная индукция
- •46. Магнитные материалы. Основная кривая намагничивания
- •47. Магнитные материалы. Процессы при намагничивании ферромагнетиков (петля гистерезиса).
- •48. Магнитные материалы. Поведение ферромагнетиков в переменных магнитных полях (магнитные потери).
- •49. Магнитные материалы. Области применения. Свойства.
29. Основы технологии пайки металлов. Флюсы и припои для низкотемпературной пайки.
При низкотемпературной пайке наиболее распространенным флюсом является канифоль. Используются также флюсы, содержащие хлориды металлов, чаще других хлористый цинк и хлористый аммоний.
30. Основы технологии пайки металлов. Флюсы и припои для высокотемпературной пайки.
При высокотемпературной пайке черных и цветных металлов обычно применяют флюсы на основе буры. Иногда добавляют борную кислоту, когда необходимо повысить рабочую температуру пайки (при использовании более тугоплавких припоев). В случае применения легкоплавких припоев в флюс вводят хлористый цинк, фтористый калий и другие щелочные металлы. Для пайки алюминиевых и магниевых сплавов применяют системы солей, состоящие из хлоридов щелочных и щелочноземельных металлов. Если ведется газопламенная пайка, то лучше всего применять порошкообразные флюсы или флюсы в виде паст.
31. Общие сведения и классификация полупроводниковых металлов.
Полупроводники́ — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры[1].
Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка нескольких электрон-вольт (эВ). Например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам, а арсенид индия — к узкозонным. К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений (арсенид галлия и др.). Почти все неорганические вещества окружающего нас мира — полупроводники. Самым распространённым в природе полупроводником является кремний, составляющий почти 30 % земной коры.
В зависимости от того, отдаёт ли примесной атом электрон или захватывает его, примесные атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается.
По виду проводимости
Электронные полупроводники (n-типа)
Термин «n-тип» происходит от слова «negative», обозначающего отрицательный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников имеет примесную природу. В четырёхвалентный полупроводник (например, кремний) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например, мышьяка). В процессе взаимодействия каждый атом примеси вступает в ковалентную связь с атомами кремния. Однако для пятого электрона атома мышьяка нет места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную оболочку. Там для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии. Электрон отрывается и превращается в свободный. В данном случае перенос заряда осуществляется электроном, а не дыркой, то есть данный вид полупроводников проводит электрический ток подобно металлам. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются донорными.
Проводимость N-полупроводников приблизительно равна:
Дырочные полупроводники (р-типа)
Термин «p-тип» происходит от слова «positive», обозначающего положительный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. В четырёхвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия). Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.
Проводимость p-полупроводников приблизительно равна: