- •Омск 2011
- •Лабораторная работа 1 полупроводниковые выпрямительные диоды
- •1.1. Краткие теоретические сведения
- •Полупроводникового диода
- •Для самостоятельной теоретической подготовки рекомендуется использовать литературные источники [1 – 5].
- •1.2. Порядок выполнения работы
- •Характеристика диодов
- •1.3. Контрольные вопросы
- •2.1. Краткие теоретические сведения
- •Характеристик транзистора в схеме с об
- •Характеристик транзистора в схеме с оэ
- •2.2. Порядок выполнения работы
- •Основные параметры биполярного транзистора p-n-p-типа кт816в (г)
- •2.3. Контрольные вопросы
- •3.1. Краткие теоретические сведения
- •3.2. Порядок выполнения работы
- •Основные параметры тиристоров ку201а и ку202а
- •Риc. 14. Тиристор ку201а (ку202а)
- •3.3. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа 4 электронно-лучевой осциллограф
- •4.1. Краткие теоретические сведения
- •I канала
- •II канала
- •Обозначение органов управления на лицевой панели осциллографа
- •4.2. Порядок выполнения работы
- •4.3. Контрольные вопросы
- •5.1. Краткие теоретические сведения
- •5.2. Порядок выполнения работы
- •Параметры тиристоров ку102а
- •5.3. Контрольные вопросы
- •6.1. Краткие теоретические сведения
- •Igbt-транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером
- •6.2. Порядок выполнения работы
- •Основные параметры igbt-транзистора типа irg4bc20u
- •Igbt-транзистора в ключевом режиме
- •6.3. Контрольные вопросы
- •7.1. Краткие теоретические сведения
- •Техническая характеристика уииотсв
- •7.2. Порядок выполнения работы
- •7.3. Контрольные вопросы
- •644046, Г. Омск, пр. Маркса, 35
2.2. Порядок выполнения работы
1) Ознакомиться с параметрами транзистора, предложенного для исследования (табл. 2), и его конструктивными особенностями. Внешний вид и габаритные размеры транзистора приведены на рис. 10.
2) Собрать схему включения транзистора p-n-p-типа с общей базой в соответствии с рис. 11 и снять для нее семейства входных и выходных характерис-тик. При исследовании схемы с ОБ измерение входного и выходного токов производится соответственно амперметрами РА1 и РА2 с пределом измерения 200 мА. Необходимо установить для вольтметра PV1, измеряющего UЭ-Б, предел измерения 2 В, а для вольтметра PV2, измеряющего UК-Б, 20 В. При этом переключатели источников питания Е1 и Е2 должны находиться соответственно в положении «1 В» и «25 В».
Таблица 2
Основные параметры биполярного транзистора p-n-p-типа кт816в (г)
Параметр |
Значение параметра |
Параметр |
Значение параметра |
IК max, А |
3 |
h21э (β) |
25 |
IК. и max, А |
6 |
UК-Э. нас, В |
0,6 |
UК-Э. о. гр, В |
60 (100) |
IК-Б. о, мA |
0,1 |
UЭ-Б. о max, В |
5 |
fh21, МГц |
3 |
РК, Вт |
25 |
СК, пФ |
60 |
ТК (T), ºС |
25 |
СЭ, пФ |
115 |
Тп max, ºС |
125 |
|
|
а б
Рис. 10. Транзистор большой мощности низкой и средней
частоты КТ816В
3) Входные характеристики транзистора снять при постоянных значениях напряжения UК-Б, равных 0, 5, 7 В. Рекомендуемый диапазон измерения входного напряжения UЭ-Б от 0,45 до 0,65 В.
Выходные характеристики транзистора снять при постоянных значениях тока IЭ, равных 5, 10, 15 мА. Рекомендуемый диапазон измерения выходного напряжения UК-Б от +1 до –3 В.
Результаты измерений оформить в табличной форме.
4) Собрать схему включения транзистора p-n-p-типа с общим эмиттером в соответствии с рис. 12 и снять для нее семейства входных и выходных характеристик. При исследовании схемы с ОЭ измерение входного и выходного токов производится соответственно амперметрами РА1 и РА2 с пределами измерения 20 и 200 мА. Необходимо установить для вольтметра PV1, измеряющего UБ-Э, предел измерения 2 В, а для вольтметра PV2, измеряющего UК-Б, 20 В. При этом переключатели источников питания Е1 и Е2 должны находиться в положении соответственно 1 и 25 В.
Рис. 11. Схема включения транзистора p-n-p-типа с общей базой
Рис. 12. Схема включения транзистора р-n-p-типа с общим эмиттером
5) Входные характеристики транзистора снять при постоянных значениях напряжения UК-Э, равных 0, 1, 2 В. Рекомендуемый диапазон измерения входного напряжения UБ-Э – от –0,45 до –0,65 В.
Выходные характеристики транзистора снять при постоянных значениях тока IБ, равных 0,1; 0,2; 0,3 мА. Рекомендуемый диапазон измерения выходного напряжения UК-Б – от 0 до 5 В.
Результаты измерений оформить в табличной форме.
6) По полученным экспериментальным значениям построить семейства входных и выходных характеристик на отдельных рисунках.
7) Построить на входных и выходных характеристиках различных схем характеристические треугольники (см. рис. 6).
8) Рассчитать сопротивление входной и выходной цепей, коэффициенты усиления и h-параметры для схемы включения транзистора с ОБ и ОЭ. Параметры, найденные по характеристическим треугольникам, являются малосигнальными, так как они справедливы лишь для прямолинейных участков характеристик. Сравнить рассчитанные параметры, полученные для различных схем включения транзистора, отметить достоинства и недостатки схем.
9) Оформить отчет по лабораторной работе.