- •1 Електричне поле
- •1.1 Короткі відомості про будову|споруду| матерії
- •Елементарні частинки|частки| і їх електромагнітне поле – особливий вид матерії
- •Хімічні зв'язки в молекулах і кристалах
- •Зонна діаграма твердого тіла
- •1.2 Закон кулона. Напруженість електричного поля
- •1.3 Робота при переміщенні заряджених частинок в електричному полі
- •1.4 Провідники в електричному полі
- •1.5 Електричний струм|тік| в провідниках
- •1.6 Розрахунок електричних ланцюгів|цепів| постійного струму|току| Схеми эаміщення електричних ланцюгів
- •1.7 Закони кірхгофа
- •Перший закон Кірхгофа
- •Другий закон Кірхгофа
- •1.8 Метод контурних струмів |токів|
- •2 Магнітне поле та магнітні ланцюги|цепи|
- •2.1 Робота при переміщенні проводу із|із| струмом|током| у|проводу| магнітному полі. Магнітний потік і потокозчеплення
- •2.2 Індуктивність і взаїмоіндуктивність
- •2.3 Обчислення індуктивності
- •Індуктивність котушки|катушки|
- •2.4 Магнітні властивості речовини. Закон повного|цілковитого| струму|току|
- •3 Електричні ланцюги постійного току
- •3.1 Структура електричних ланцюгів
- •3.2 Одноконтурні лінійні електричні ланцюги
- •3.3 Багатоконтурні лінійні електричні ланцюги
- •Контрольні запитання
- •4 Електричні ланцюги змінного струму
- •4.1 Генерування синусоїдальних електричних величин
- •4.2 Прості лінійні електричні ланцюги синусоїдального струму
- •Контрольні запитання
- •5 Асинхронні машини
- •5.1 Призначення і будова асинхронних машин
- •5.2 Робота трифазної асинхронної машини у режимі двигуна
- •5.3 Асинхронні виконавчі двигуни і тахогенератори
- •6 Синхронні машини
- •6.1 Призначення і будова синхронних машин
- •6.2 Робота трифазної синхронної машини у режимі генератора
- •6.3 Призначення і будова машин постійного струму
- •Контрольні запитання
- •7 Основи електроніки
- •7.1 Електричний струм у напівпровідниках.
- •7.1.1 Класифікація речовин за провідністю
- •Отже, швидкість рекомбінацій
- •7.1.2 Струми власних напівпровідників
- •Густина повного струму дрейфу у власному напівпровідникові
- •7.2 Домішкові напівпровідники
- •7.3 Дифузія носивїв заряду у напівпровідниках
- •7.4 Визначення та класифікація електричних переходів
- •7.4.1 Електронно-дірковий перехід без зовнішнього електричного поля
- •7.4.2 Електронно-дірковий перехід із зовнішнім джерелом напруги
- •7.5 Вольт-амперна характеристика ідеалізованого р-п-переходу
- •7.6 Ємнісні властивості p-n-переходу
- •7.7 Пробій р-п-переходу
- •7.8 Перехід метал – напівпровідник
- •8 Генератори синусоїдальних коливань
- •8.1. Підсилювачі безперервних сигналів
- •8.1.1 Принцип роботи підсилювача безперервних сигналів на лампі
- •8.2 Типова принципова схема підсилювача безперервних сигналів на тріоді
- •8.3 Вибір робочої точки і способи створення напруги автоматичного зсуву
- •8.4 Фізичні процеси в підсилювачі при підсиленні імпульсних сигналів
- •8.5 Типова схема підсилювача імпульсних сигналів на пентоді
- •8.6 Підсилювачі зі зворотним зв'язком
- •8.6.2 Вплив зворотного зв'язку на характеристики підсилювача
- •9 Транзистори
- •9.1 Визначення транзистора
- •9.2 Напівпровідникові підсилювачі
- •10 Cпрямляючі пристрої
- •11 Мікроелектроніка та цифрова техніка
- •11.1 Основні терміни і визначення в мікроелектроніці
- •11.2. Особливості інтегральних схем як нового типу напівпровідникових приладів
- •11.3 Класифікація інтегральних мікросхем
- •11.4 Система умовних позначень інтегральних мікросхем
- •11.5 Загальна характеристика цифрових інтегральних мікросхем
- •11.5.1 Елементарні логічні операції
- •11.5.2 Характеристики і параметри цифрових інтегральних схем
- •11.5.3 Класифікація цифрових інтегральних схем
- •11.6 Тригери
- •Основи електроніки, автоматики та
- •Основи електроніки, автоматики та цифрової техніки
- •65016, Одеса, вул.Львівська, 15
8.4 Фізичні процеси в підсилювачі при підсиленні імпульсних сигналів
Процес посилення імпульсу показаний на графіках (рис. 8.7).
Вихідний стан (Uвх=0). Лампа відкрита, так як |Uзс|<|UС зап|. Через лампу протікає струм Iа0 і напруга на аноді у вихідному режимі дорівнює Uа0=Еа0-Iа0·Rа. У момент часу t=t1 на вхід підсилювача подається негативний імпульс прямокутної форми. Анодний струм лампи миттєво зменшується до величини Iа мін. Напруга на аноді Uа миттєво збільшиться через наявність паразитних ємностей. Напруга на аноді буде збільшуватися по мірі заряду цих ємностей.
Заряд С0 буде відбуватися по колу: +Еа→Rа→СР→С0→┴→-Еа.
Постійна часу розряду С0 дорівнює τзар=С0·Rа.
Тому напруга на анод буде збільшуватися по експоненті, а значить і напруга на виході лампи буде збільшуватися за експонентою.
Час заряду С0 називається часом установлення tу і визначає тривалість фронту імпульсу:
.
Таким чином, через наявність С0 відбувається перекручування фронту імпульсу.
З наведеної формули видно, що для зменшення перекручування фронту необхідно зменшити величину опору резистора Rа, однак це приводить до зменшення коефіцієнта підсилення. Отже, необхідно зменшити С0. Для цього потрібно правильно розміщувати радіодеталі і якісно виконувати монтаж схеми.
іа іа Ima
Uс1
Ua t1 t2
U0a Uma Ea
Umвх 0
t
tu
t2
Uвих
t
ΔU
t
Рис.8.7- Графіки, що пояснюють принцип підсилення
імпульсних сигналів
Так як ємність С0<<СР, то за час tу конденсатор СР цілком не зарядиться, і протягом часу t1÷t2 буде продовжувати заряджатися по колу: +Еа→Rа→СР→RС→-Еа.
Збільшення напруги на СР приводить до зменшення напруги на виході (спад вершини). Наявність конденсатора СР приводить до перекручування вершини імпульсу. У момент часу t=t2 імпульс на вході підсилювача закінчується. Струм анода Iа миттєво збільшується від Iа мін до Iа0. Напруга на аноді лампи миттєво зменшуватися не може через наявність паразитної ємності С0, що разом з конденсатором СР буде розряджатися після часу t2. За рахунок цього формується зріз вихідного імпульсу. За рахунок розряду СР на виході формується негативний викид.
Під час розряду конденсатора СР відбувається заряд ємності С0 з наступним повторним розрядом через резистор RС.
На рис. 8.8 показаний реальний вихідний імпульс і вплив ємностей СР і С0.
Uви0х
перерозряд С0
розряд С0
заряд С0 розряд С0
заряд СР розряд С0
Рис. 8.8-Імпульсний сигнал на виході підсилювача
З рисунка видно, що ємності С0 і СР спотворюють форму вихідного сигналу, його фронт, вершину і зріз.
Спад вершини імпульсу відбувається за рахунок заряду конденсатора СР, а негативний викид обумовлений розрядом цього ж конденсатора.
Оцінка перекручування форм вихідного імпульсу здійснюється за наступними параметрами:
часом встановлення або тривалістю фронту імпульсу, тобто інтервалом часу, протягом якого напруга вихідного імпульсу змінюється від 0,1 до 0,9 свого максимального значення;
часом спаду або тривалістю зрізу імпульсу, тобто часом, протягом якого напруга вихідного імпульсу зменшується до 0,1 свого максимального значення;
спадом вершини імпульсу, що визначається величиною ΔU.
Для зменшення перекручування форми вихідного імпульсу в підсилювачах широко застосовуються різного роду корекції.