- •Содержание
- •1 Введение
- •2 Плазмохимия
- •3 Плазмохимический реактор
- •4 Генераторы
- •5 Разработка ум
- •5.1 Прототип изделия
- •5.2 Однотактная схема ум.
- •5.3 Двухтактный усилитель с динамической нагрузкой и резонансным звеном.
- •5.4 Двухтактный трансформаторный каскад с общей точкой.
- •Спецификация транзистора 2n7002
Спецификация транзистора 2n7002
Производитель: NXP
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует RoHS Подробности
Торговая марка: NXP Semiconductors
Id - непрерывный ток утечки: 300 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.8 Ohms
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя затвор-исток: 30 V
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Pd - рассеивание мощности: 830 mW
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: SOT-23-3
Упаковка: Reel
Канальный режим: Enhancement
Конфигурация: Single
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Размер фабричной упаковки: 3000
Другие названия товара №: 2N7002 T/R
Спецификация транзистора 2N706
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
-
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
360mW
25V
20V
3V
200mA
200°C
200MHz
6
20MIN
Производитель: STE Сфера применения: Low Power, Switching, High Frecvency Популярность: 1389
-
Общий вид транзистора 2N706.
Цоколевка транзистора 2N706.
Обозначение контактов: Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер. Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.