Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:ЭЛЕКТРОНИКА учебник.pdf
X
- •ЭЛЕКТРОНИКА
- •ВВЕДЕНИЕ
- •1. ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ
- •Цель работы:
- •Домашнее задание
- •1.1 Краткие сведения из теории
- •1.1.1 СХЕМА С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ
- •1.1.2 СХЕМА С ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ
- •1.2 Указания к выполнению работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •2. ИССЛЕДОВАНИЕ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ
- •Цель работы:
- •2.1 Краткие сведения из теории
- •2.1.1 СХЕМА С ОБЩИМ ИСТОКОМ
- •2.1.2 СХЕМА С ОБЩИМ СТОКОМ
- •2.2 Указания к выполнению работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •3. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ
- •Цель работы:
- •Домашнее задание
- •3.1 Краткие сведения из теории
- •3.1.1 НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ УСИЛИТЕЛЬ
- •3.1.2 ИНВЕРТИРУЮЩИЙ УСИЛИТЕЛЬ
- •3.1.3 АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР
- •3.1.4 ИНТЕГРАТОР
- •3.1.5 ДИФФЕРЕНЦИАТОР
- •3.2 Указания к выполнению работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Цель работы:
- •Домашнее задание
- •4.1 Краткие сведения из теории
- •4.1.1 ЦАП с весовыми резисторами
- •4.1.2 ЦАП лестничного типа
- •4.1.3 АЦП прямого преобразования
- •4.2 Указания к выполнению работы
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Цель работы:
- •Домашнее задание
- •5.1 Краткие сведения из теории
- •Структурные схемы экспериментов
- •5.2 Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •ЛИТЕРАТУРА
- •ПРИЛОЖЕНИЕ 1
- •ПРИЛОЖЕНИЕ 2
- •Параметры биполярных транзисторов
- •Параметры полевых транзисторов
- •Основные параметры ОУ
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Параметры биполярных транзисторов
Тип |
Структура |
h21Э |
fh21Э(fT), |
Iк доп, мА |
Uкэ доп, В |
Рк доп, |
τк, |
Ск(10В), |
транзисто |
|
|
МГц |
|
|
мВт |
мкс |
пФ |
ра |
|
|
|
|
|
|
|
|
МП37Б |
n-р-n, Ge, |
20-50 |
1,0 |
20 |
15 |
150 |
|
40 |
|
сплавной |
|
|
|
|
|
|
|
МП39Б |
р-n-р, Ge, |
20-50 |
0,5 1,5 |
20 |
20 |
150 |
|
40 |
|
сплавной |
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Б |
n-р-n, Si, |
50- |
(250) |
100 |
20 |
150 |
0,5 |
7 |
|
эпитаксиально- |
350 |
|
|
|
|
|
|
|
планарный |
|
|
|
|
|
|
|
КТ361Б |
р-n-р, Si, |
50- |
(250) |
50 |
20 |
150 |
0,5 |
9 |
|
эпитаксиально- |
350 |
|
|
|
|
|
|
|
планарный |
|
|
|
|
|
|
|
Параметры полевых транзисторов
26
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]