- •Конспект лекций (Основы электроники)
- •2014Г. Оглавление
- •1 Полупроводниковые диоды
- •Обозначение:
- •1.1 Выпрямительный диод
- •Механизм сглаживания пульсаций:
- •1.2 Стабилитрон
- •2 Биполярные транзисторы
- •Обозначение:
- •2.1 Назначение областей транзистора
- •2.2 Принцип работы транзистора
- •Iэ б iк
- •2.3 Схемы включения транзисторов
- •Как расставляются знаки у источников питания?
- •2.4 Статические характеристики биполярного транзистора Статические вах транзистора об
- •Статические вах транзистора оэ
- •3 Усилительные устройства
- •3.1 Структурная схема усилителя
- •3.2 Амплитудно-частотная характеристика. Полоса пропускания усилителя
- •3.3 Эмиттерная стабилизация режима работы усилителя
- •Принцип работы:
- •3.4 Анализ ачх широкополосного усилителя (шпу)
- •Рассмотрим область верхних частот
- •Рассмотрим область нижних частот
- •Литература
2 Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами и тремя выводами.
Биполярным транзистор называется потому, что его работа основана на использовании носителей заряда обоих знаков (электронов и дырок).
Биполярные транзисторы бывают p-n-p и n-p-n проводимости. В транзисторах p-n-p проводимости стрелка направлена к базе, основными носителями заряда являются дырки. В транзисторах n-p-n проводимости стрелка направлена от базы, основными носителями заряда являются электроны. И в том, и в другом случае стрелка указывает направление эмиттерного тока.
Обозначение:
Если транзистор рассматривать как узловую точку, тогда справедлив 1-й закон Кирхгофа (сумма входящих токов равна сумме выходящих), т.е.:
–основное уравнение транзистора
Из этого выражения вытекает: - это максимальный ток транзистора.
Переход между эмиттером и базой получил название эмиттерного перехода (ЭП), переход между коллектором и базой называется «коллекторный переход» (КП).
2.1 Назначение областей транзистора
Эмиттер – осуществляет инжекцию ОНЗ в базу.
Инжекция – это введение основных носителей заряда в ту область, где они являются неосновными, при прямом включении перехода. Другими словами, инжекция - это интенсивная диффузия.
База – область, куда инжектируются эмиттером НЗ.
Коллектор – осуществляет экстракцию ННЗ.
Экстракция – это переброс ННЗ через переход ускоряющим полем.
2.2 Принцип работы транзистора
p ЭП n КП p
IЭР IКР
Э К
IЭ IЭn IРЕК IКБО IК
ЕВН
Iэ б iк
IБ ЕВНЕШН
+ IБ +
UПР UОБР
Пусть транзистор находится в активном (рабочем) режиме, т.е. на ЭП подано прямое напряжение, а на КП – обратное.
При этом возникает инжекция дырок из эмиттера в базу, в обратном направлении будет происходить инжекция электронов. Ток, проходящий через ЭП, равен сумме дырочной и электронной составляющих: .
Т.к. концентрация ОНЗ в эмиттере много больше концентрации ОНЗ в базе, то инжекция дырок будет преобладать над инжекцией электронов, т.е. .
Пришедшие в базу дырки начинают рекомбинировать с электронами. Но рекомбинация – процесс не мгновенный. Поэтому бо́льшая часть дырок успевает пройти через тонкий слой базы и достигнуть КП. Суммарное поле КП () является ускоряющим для дырок, поэтому дырки перебрасываются этим полем через КП (происходит экстракция ННЗ) и участвуют в образовании дырочной составляющей коллекторного тока (управляемая часть коллекторного тока).Т.к. КП находится под обратным напряжением, через него протекает еще один ток – неуправляемый тепловой ток коллекторного перехода . Суммарный ток коллектора равен:. Т.к. тепловой ток мал, то.
Те дырки, которые всё же успевают прорекомбинировать с электронами в базе, участвуют в создании тока рекомбинации .
Таким образом, суммарный ток базы равен:
Все составляющие этого тока малы, следовательно, ток базы также мал.