Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Lecture_No_05,06.pdf
Одноэлектроника
Д.А. Аверин и К.К. Лихарев (1986): Одноэлектроное туннелирование при кулоновской блокаде
Проводник или полупроводник
Е |
Q |
2 |
E |
e2 |
|
|
2C |
||||
2C |
|||||
|
|
|
|||
|
V |
e |
|
|
|
Изолятор(диэлектрик) |
CB |
2C |
|
||
|
|
Напряжения преодоления кулоновской блокады (невозможности туннелирования электронов вследствие
их отталкивания)
|
Энергопотребление 3*10-8 |
Вт |
|
Схема одноэлектронного транзистора |
Время срабатывания 10-14 |
с |
32 |
|
|
|
Рис. 2.4. Трехмерное изображение одной КТ Ge на подложке Si, полученное с помощью атомно-силового
микроскопа (АСМ)
33
Рис. 2.5. Трехмерное АСМ-изображение начальной стадии формирования самоорганизованных КП Ge на подложке Si (111) c 7(а) и 10 МС (б) Ge
(МС - монослой)
34