Порядок выполнения работы

Измерительная схема для снятия статических характеристик транзистора типа р-n-рв схеме с общим эмиттером представлена на рис.4. ПотенциометрыR₁(слева) иR₂(справа) служат для плавного изменения напряженияU_БиU_Ксоответственно от нуля до некоторого максимального значения.

Упражнение 1.Снятие входной характеристики транзистора – зависимости I_Б от U_Б при постоянном напряжении на коллекторе (U_К = const).

1. Зарисовать в тетрадь таблицу 1 для записи результатов измерений.

2. Включить макет в сеть и установить потенциометром R₂напряжение между коллектором и эмиттеромU_К, равное нулю:U_К= 0 В.

3. Изменяя с помощью потенциометра R₁ напряжение между эмиттером и базойU_Б от 0 до 200 мВ через 20 мВ, измерять каждый раз соответствующую силу тока базыI_Б. ЗначениеU_Кпри измерениях поддерживатьпостояннымпотенциометромR₂. Результаты измерений заносить в таблицу 1:

Таблица 1

Результаты измерений и вычислений

UБ, мВ	IБ, мкА
	при UК = 0 В	при UК = 6 В
0
20
и так далее через 20 мВ до 200 мВ
200

4. Установить потенциометром R₂напряжениеU_К= 6 В и повторить все измерения, указанные в п.3.

5. Отключить макет от сети.

6. Построить графики зависимости I_Б = f(U_Б) при двух постоянных значениях напряженияU_К(0 и 6 В) в одних координатных осях.

Упражнение 2.Снятие выходной характеристики транзистора - зависимости I_К от U_К при постоянном токе базы (I_Б =const).

1. Зарисовать в тетрадь таблицу 2 для записи результатов измерений.

2. Включить макет в сеть и установить потенциометром R₂напряжениеU_К= 9В и потенциометромR₁силу току базыI_Б= 200 мкА.

Таблица 2

Результаты измерений и вычислений

UК, В	IК, мА
	IБ = 200 мкА.	IБ = … мкА.
9
6
3
1
0

3. Уменьшая напряжение U_Кот 9 В до 0 (согласно таблице 2), измерять каждый раз соответствующую силу тока коллектора. Силу тока базыI_Б поддерживать при измеренияхпостояннойпотенциометромR₁. Результаты измерений заносить в таблицу 2.

4. Установить другое значение силы тока базы I_Б(поуказаниюпреподавателя) и повторить все измерения, указанные в пункте 3.

5. Отключить макет от сети.

6. Построить графики зависимости I_К = f(U_К)при двух постоянных значениях силы тока базыI_Б(в одних координатных осях).

Упражнение 3.Расчет статических параметров транзистора

1. По одной из входных характеристик вычислить входное сопротивлениеR_ВХтранзистора по формуле:

Rвх = U_Б /I_БприUк= .... В.

2. По одной из выходных характеристик вычислить выходное сопротивлениеRвыхтранзистора по формуле:

Rвых=U_К /I_КприI_Б= .... мкА.

3. Используя две выходные характеристики для некоторого значения Uк= ....Ввычислитькоэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером по формуле:

 = I_К /I_БприU_К= ....В.