ДИССЕРТАЦИИ, ВЫПОЛНЕННЫЕ НА КАФЕДРЕ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Кандидатские

1952

Воробей З. Ф. Исследование электрических свойств карбида кремния.

1954

Холуянов Г. Ф. Разработка СВЧ-поглотителей из карбида кремния. Яськов Д. А. Игнитронные поджигатели на основе карбида кремния.

1955

Курлин М. В. Исследование электрических свойств трансформаторного масла.

1958

Панова Я. И. Разработка волноводных поглощающих нагрузок. Чиркин Л. К. Нелинейные полупроводниковые сопротивления и

их применение.

1962

Харламова Т. Е. Мощные выпрямительные диоды.

1963

Байорд Дьердь. Исследование фотопроводимости карбида кремния α-модификации.

Е Лян Сю. Исследование электрических свойств карбида кремния α-модификации.

Таиров Ю. М. Выращивание кристаллов карбида кремния методом сублимации.

1964

Басили Рифат Ризк. Исследование электрических свойств окислов редкоземельных металлов.

Савельев Г. А. Плоские многоэлементные электролюминесцентные устройства с наружной связью между элементами.

Фридель Иохен. Эмиссия горячих электронов изр–п-переходов в карбиде кремния.

Ильин Ю. Л. Разработка технологии получения фосфида галлия для электронной техники.

200

1965

Пичугин И. Г. Разработка методов легирования карбида кремния в процессе роста.

Шинков А. Д. Исследование полупроводниковых приборов методом моделирования.

Окунев Ю. Т. Разработка и исследование полупроводниковых нелинейных шунтов.

1966

Виолина Г. Н. Исследование электрических и оптических свойств карбида с целью его применения в резисторах и счетчиках.

Гампер И. Г. Разработка и изготовление кремниевых терморезисторов.

Джавалекар Шрикришна Рамчандра. Исследование физических процессов в тонких пленках окиси иттербия.

Лизец М. Исследование фото- и электролюминесценции фосфида галлия в красной и инфракрасной областях спектра.

Савельев Б. Е Исследование роли объемной и поверхностной рекомбинации в транзисторах методом электрического моделирования.

Цзян Цзе Цзян. Исследование ионизационного старения полиэтилена высокого давления.

Годау И. Получение и исследование теллурида цинка Тесс Д. Получение и исследование сульфида кадмия.

1967

Виолин Э. Е. Диффузионные р–п-переходы в карбиде кремния и электролюминесцентные источники света на их основе.

Бусловский О. Е. Разработка и исследование преобразователя «частота – координата».

Головкина Э. Д. Низковольтные электролюминесцентные элементы постоянного тока на основе сублиматфосфора.

Лотоцкий В. Ю. Тонкопленочные и керамические негисторы. Саморуков Б. Е. Разработка методов получения пленок фосфида

галлия и исследование их свойств.

201

1968

Басецкий В. Я. Исследование влияния примесей и условий синтеза на рекомбинационное излучение фосфида галлия в видимой области спектра.

Кальнин А. А. Карбид кремния, легированный бериллием, и электролюминесцентные приборы на его основе.

Пихтин А. Н. Исследование оптических свойств фосфида галлия. Сорокин В. С. Разработка методики выращивания монокристал-

лов фосфида галлия и исследование их свойств.

1969

Антипов Б. Л. Электролюминесцентные устройства с распределенными параметрами и управляемым изображением.

Изумрудов О. А. Разработка твердотельного экрана с оптическим управлением для отображения информации в многоканальных системах.

Луцкая О. Ф. Исследование влияния термодинамических условий синтеза при отсутствии и в присутствии кислорода на некоторые электрофизические свойства монокристаллов сульфида кадмия.

Миронов В. А. Моделирование процессов в планарных транзисторах.

1970

Вахнер X. Получение и исследование карбида кремния, легированного скандием.

Веревкин Ю. Н. Исследование процессов старения в электролюминесцентных конденсаторах на основе цинк-сульфидных люминофоров.

Дмитриев В. А. Исследование кристаллической структуры тонких слоев полупроводниковых соединений А3В5.

Мохаммед Камаль Хасан Эль-Саид. Расчет канальных транзисто-

ров методом моделирования.

Омар Абдель-Халим Омар. Исследование фотоэлектрических свойств фосфида галлия и разработка малоинерционных приемников лазерного излучения на его основе.

Печерский В. П. Получение и исследование свойств тонких пленок из титансодержащих материалов.

202

Таиров С. М. Синтез и исследование полупроводниковых систем «теллурид олова – теллурид кадмия» и «теллурид олова – теллурид свинца».

Хопф Л. Исследование электрических свойств тонких пленок фторидов редких элементов.

1971

Кованько В. В. Исследование р–п-переходов в карбиде кремния как детекторов сильноионизирующих излучений.

Косогова Н. П. Исследование сил притяжения в электростатических крепежных устройствах.

Mигунов В. А. Исследование фото- и электролюминесценции карбида кремния, легированного алюминием или галлием.

Милославов С. Л. Применение эффекта Холла как метода фазового анализа полупроводниковых соединений переменного состава.

Рудницкая М. З. Математическая модель мембраны органа слуха. Смирнова Н. А. Получение монокристаллов карбида кремния, ле-

гированных бериллием в процессе выращивания, и исследование их свойств.

1972

Глинский Г. Ф. Электрооптические свойства фосфида галлия. Коровушкина Р. М. Исследование структур «металл – сегнетоэлек-

трик – полупроводник» с целью построения на их основе ячеек памяти с неразрушающим считыванием.

Сейсян Е. Л. Образование электретного состояния в тонких органических полимерных пленках и его техническое применение.

Солодовникова Е. Л. Разработка методики изготовления и исследование свойств эпитаксиальных электролюминесцентных источников света на основе фосфида галлия, полученного бестигельной зонной плавкой.

Разбегаев В. Н. Оптические свойства арсенид – фосфида галлия, полученного методом бестигельной зонной плавки.

Юрченко Е. П. Разработка полупроводниковых структур для целей газового анализа.

203

1973

Лобушкин В. Н. Исследование электретного эффекта в тонких пленках неорганических диэлектриков.

Махер Атта Абдель Моэз Афифи. Исследование переключающих свойств и эффекта памяти тонких слоев полупроводниковых стекол.

Митюрева И. А. Химическая связь и поляризация в рутиле. Печерская Р. М. Нелинейные полупроводниковые сопротивления

для вычислительной техники.

Попов А. С. Выращивание монокристаллов фосфида галлия методом бестигельной зонной плавки и создание эпитаксиальных источников света на их основе.

Селезнев Б. И. Люминесцентные, оптические и фотоэлектрические свойства карбида кремния, легированного различными примесями.

Хлебников И. И. Карбид кремния, легированный скандием, как материал для светодиодных элементов.

Цветков В. Ф. Легирование карбида кремния кислородом. Чаплинский В. В. Исследование возможности применения ферри-

тов на участке разночастотной дисперсии магнитной проницаемости. Якимова Р. Т. Изучение эпитаксиального роста карбида кремния

из растворов в системе «кремний – скандий – углерод».

1974

Марасина Л. А. Получение и исследование эпитаксиальных пленок и нитевидных кристаллов нитрида галлия.

Сату Aли Эль-Гизири. Катодолюминесценция широкозонных полупроводников А3В5.

Санжмятавин Доржханд. Разработка методики легирования кристаллов фосфида галлия акцепторными примесями в процессе бестигельной зонной плавки и исследование их электрофизических свойств.

Смирнов Н. Д. Исследование электрофизических свойств МДПсистем на основе кремния и антимонида индия со фторидами редкоземельных металлов в качестве диэлектриков.

Тонкий А. В. Исследование электроадгезионного контакта и возможностей его применения в технологии полупроводниковых приборов и микросхем.

204

Фаянс О. А. Электролюминесцентные приборы на основе эпитаксиальных пленок карбида кремния.

Хомылев А. Ф. Исследование механизма закрепления бумаги в электростатических крепежных устройствах и выбор оптимальных параметров их конструкции.

Юдаков Ю. В. Диффузия лития в карбид кремния.

1975

Андреев А. П. Исследование люминесцентных свойств карбида кремния.

Воронков А. В. Исследование возможности создания пленочных оптоэлектронных устройств постоянного тока.

Горанова Е. А. Фотоэлектрические свойства карбида кремния. Дишков П. С. Получение и исследование свойств тонких пленок

из цирконата-титаната свинца.

Копылов А. А. Оптическое поглощение и структура примесных состояний в фосфиде галлия.

Лилов С. Выращивание и свойства эпитаксиальных слоев карбида кремния.

Сафаралиев Г. К. Исследование процессов роста и легирования карбида кремния при выращивании кристаллов из газовой фазы.

1976

Батов И. П. Гетерофазные равновесия в системах«индий – галлий – фосфор» и «галлий – алюминий – фосфор» при жидкостной эпитаксии.

Закржевский В. И. Исследование процессов получения в непрерывном режиме и характеристик термо- и короноэлектретов из полимерных пленок.

Кобзев Ю. В. Полупроводниковые тензопреобразователи равномерно распределенной нагрузки.

Петков М. Д. Разработка методов управляемого легирования в технологии изготовления эффективных светодиодов из фосфида галлия с красным излучением.

Тлачала М. Разработка методов получения и исследование основных свойств эпитаксиальных слоев нитридов галлия и индия.

205

Чернов М. А. Исследование политипизма и совершенства структуры монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния в связи с условиями кристаллообразования.

Чеснокова Д. Б. Исследование электрофизических свойств теллурида цинка контролируемого состава.

1977

Агеева О. С. Исследование возможности создания электролюминесцентных устройств с сорбционными функциональными элементами.

Афанасьев В. П. Исследование структуры «сегнетоэлектрик – полупроводник» с целью создания на ее основе управляемых тонкопленочных резисторов с памятью.

Камчатка М. И. Исследование зависимости некоторых свойств двуокиси ванадия от термодинамических условий синтеза.

Лаухе Юрген. Применение метода эллипсометрии при исследовании физико-химических процессов на поверхности карбида кремния.

Савельев В. Д. Полупроводниковый карбид кремния, легированный ионным внедрением.

Соломонов А. В. Излучательная рекомбинация в нитриде галлия и твердых растворах фосфида галлия – фосфида индия.

Шпак А. Электролюминесцентные измерительные устройства.

1978

Берндт В. Р. Оптическое поглощение и структура примесных центров в твердых растворах на основе фосфида галлия.

Земсков А. П. Получение и исследование электретов для использования в электретном электромеханическом преобразователе.

Лукица И. Г. Разработка неразрушающих методов контроля качества порошковых ЭЛИ на основе информативных параметров.

Лучинин В. В. Гетероэпитаксия и микропрофилирование в технологии карбида кремния.

Панек Марек. Исследование условий кристаллизации нитрида галлия в системах с участием жидкой фазы.

Саенко И. В. Исследование процессов получения и легирования монокристаллов фосфида галлия при выращивании из расплава методом бестигельной зонной плавки.

206

Семенов Н. Н. Исследование процессов старения и разработка индикаторных устройств повышенной стабильности на основе пленочных электролюминесцентных элементов постоянного тока.

Таранец В. А. Исследование процессов кристаллизации эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме.

Шамрай В. Б. Исследование физико-химических закономерностей легирования фосфида галлия, люминесцирующего в зеленой области спектра.

Яськов А. Д. Исследование явления рефракции света в алмазоподобных полупроводниках.

1979

Бенавидес Леонард А. Р. Влияние электрического поля на экситонные состояния в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки.

Добринска Н. И. Исследование влияния объемного заряда на пьезоэффект в диэлектриках.

Кузнецов В. В. Исследование процессов эпитаксии фосфида галлия и твердых растворов на его основе с использованием изовалентных растворителей.

Кульков В. П. Исследование пленочной электролюминесцентной структуры «медь – сульфид цинка» с целью создания на ее основе многоэлементных индикаторных устройств.

Медведев С. П. Влияние внешнего электрического поля на оптические свойства фосфида галлия.

Мирошкин В. П. Исследование радиочастотной дисперсии магнитной и диэлектрической проницаемостей марганец-цинковых ферритов.

Пеев Н. С. Карбид кремния, выращенный из растворов-распла- вов, и его электрофизические харктеристики.

Приходченко В. А. Исследование электроадгезивного контакта и возможностей его практического использования.

Траваджан М. Г. Исследование процессов роста и разработка методов получения монокристаллов карбида кремния из газовой фазы

Шек С. М. Получение и исследование электретов для технологической оснастки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

207

1980

Демьяненко П. А. Исследование деградации цинк-сульфидных электролюминофоров и разработка новых методов возбуждения и управления многоэлементных ЭЛИ.

Касаткин В. А. Разработка и исследование карбидокремниевых приборов для записи информации.

Малиновский В. В. Исследование возможности получения люминесцентных материалов на основе нитрида галлия.

Миропольский М. С. Исследование МДП-транзисторов с инверсным каналом методом моделирования.

Петров А. С. Разработка методики получения эпитаксиальных слоев в твердых растворах систем «фосфид галлия – фосфид индия», «фосфид галлия – фосфид алюминия» и исследование их свойств.

Соколова И. М. Исследование процессов зарядки и характеристик электретов, полученных в системе жидкостных контактов.

Фролова Т. Н. Исследование приповерхностных слоев кремния, легированных с целью повышения радиационной стойкости полупроводниковых структур.

1981

Асатрян Г. Г. Исследование поверхностных характеристик полупроводников в связи с технологическими условиями обработки.

Балландович В. С. Исследование неравновесных процессов в карбиде кремния.

Ильин В. А. Исследование точечных термических дефектов в монокристаллах карбида кремния методом ЭПР.

Крамар Г. П. Влияние внешних факторов на высокочастотные свойства марганец-цинковых ферритов, используемых в широкополосных радиоэлектронных устройствах.

Лагкуев Д. X. Исследование термодиффузии и электропереноса примесей в теллуриде германия и свинца.

Лупал М. В. Край собственного поглощения фосфида галлия и твердых растворов на его основе.

Мекишев Г. А. Исследование влияния свободных зарядов на электретный эффект в диэлектриках.

208

Мошников В. А. Исследование неоднородностей в твердых растворах теллурида свинца – теллурида олова.

Саунин И. В. Получение и исследование пленок твердых растворов теллурида свинца – теллурида олова.

Удальцов В. Е. Влияние физико-технологических факторов на люминесцентные свойства карбида кремния.

1982

Айзенблеттер Г. Получение и исследование электретов в матричном исполнении.

Иванов Е. Г. Исследование процессов ростового микропрофилирования карбида кремния.

Кротов В. А. Исследование многофункциональных структур «сегнетоэлектрик – полупроводник».

Кюнстлер В. Получение и исследование электретных элементов для микрофонов.

Попов В. А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и твердых растворов на его основе в области экситонных переходов.

Райхель Ф. Процессы массопереноса и кинетики роста при выращивании монокристаллов карбида кремния из паровой фазы.

Саунина Т. В. Исследование условий образования и диффузии электрически активных собственных дефектов в кристаллах твердых растворов теллурида свинца – теллурида олова.

Смирнов В. И. Оптическая спектроскопия примесных центров в арсенид – фосфиде галлия.

Царегородцев А. М. Исследование условий получения и свойств твердых растворов нитридов металловIII подгруппы периодической системы.

Шериф Г. Исследование процесса жидкофазной эпитаксии фосфида галлия и разработка мезаструктур на его основе.

1983

Александрова О. А. Исследование условий получения из жидкой фазы эпитаксиальных структур на основе твердых растворов теллурида свинца – теллурида олова.

209

Гонсалес Масо Орландо Пуалино. Численное моделирование МДП-транзисторов со встроенным каналом.

Мокроусов Н. Е. Физико-химический анализ твердых растворов теллурида свинца – теллурида олова, полученных методом зонной плавки.

Москвин П. П. Термодинамика и кинетика кристаллизации твердых растворов GaxIn1–xPyAs1–y.

Нойберт Ф. Изучение физико-технологических основ управления политипной структурой карбида кремния.

Садовски В. Термодинамические особенности жидкофазной гетероэпитаксии твердых растворов AlxGa1–xPyAs1–y.

1984

Головина Л. А. Получение и исследование электроадгезионных соединений «полимер – металл» с целью использования их в электретных преобразователях.

Клот В. Люминесценция твердых растворовGaAsl–xPх:N (х ≥ 0,5),

выращенных методом газофазной эпитаксии.

Козлов С. Е. Гетероэпитаксиальные структуры системы «GaAs – InP» для фотокатодов ФЭУ и усилителей яркости, чувствительных в длинноволновой области спектра оптического диапазона.

Кузьмин Ю. И. Исследование процессов объемной и поверхностной релаксации заряда в полимерных электретах.

Левчук Б. И. Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста.

Лукица Н. Д. Разработка порошковых электролюминесцентных индикаторов на халькогенидной связке.

Потапов Е. Н. Фотолюминесценция карбида кремния, облученного быстрыми электронами.

1985

Аверин И. А. Исследование условий получения эпитаксиальных структур на основе сульфида свинца и твердых растворов«сульфид свинца – селенид свинца».

210

Бакин А. С. Газофазные методы выращивания кристаллов и эпитаксиальных структур твердых растворов теллурида свинца– теллурида олова.

Иванов Д. И. Получение р–п-структур на основе теллурида свинца – теллурида олова методом вакуумной конденсации.

Карачинов В. А. Процессы роста и дефектообразования в монокристаллах карбида кремния.

Логинова Т. Н. Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaР.

Нгуен Туан Ханг. Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d-элементами.

Пак Чун Вэ. Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия.

Пастухов А. К. Исследование электромеханической устойчивости полупроводниковых кристаллов.

Чан Хи Бинь. Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов.

1986

Азарян В. А. Получение и исследование свойств поверхностнобарьерных структур на основе фосфида индия.

Ефимов А. Н. Состав и структура эпитаксиальных композиций «Нитриды типа А3В5 на сапфире».

Ким Рен Сен. Поверхностное натяжение и диффузия в полупроводниковых расплавах In-As (Sb) и Pb (S)-Te.

Койнов З. Г. Микроскопическая теория экситонных поляритонов в полупроводниках.

Никулин А. Н. Исследование электролюминесцентных структур на основе неорганического связующего с целью создания фрагмента матричного экрана с памятью.

Ольховик Я. Неравновесные явления при жидкофазной гетероэпитаксии в системе «Ga – In – Р – As».

211

Петухова Н. Н. Диффузия примесей и свойства легированных твердых растворов теллурида свинца – теллурида олова.

Шахпаронян В. А. Исследование свойств структуры«сегнетоэлектрик – полупроводник» с целью создания фоточувствительных элементов с памятью.

1987

Блохин Ю. Н. Получение и свойства эпитаксиальных слоев и структур на основе твердых растворов сульфида свинца– сульфида кадмия.

Долотов Н. И. Разработка рентгеновских методик и исследование дефектов структуры в монокристаллах карбида кремния.

Зубков В. И. Исследование глубоких центров в GaAs1–хPх мето-

дами нестационарной емкостной спектроскопии.

Зу Зун Ген. Спектроанализаторы сигналов звуковых частот на основе электролюминесцентных индикаторов.

Зятьков И. И. Электропроводность марганец-цинковых ферритов. Коркоташвили Г. А. Оптические свойства широкозонных твер-

дых растворов AIхGa1–хN.

Лагкуев Д. Р. Послойная кристаллизация узкозонных полупроводниковых твердых paстворов.

Левия В. И. Методы получения легированных объемных монокристаллов карбида кремния и их применение.

Тошев Р. А. Низкотемпературные методы получения теллуридов свинца и олова и исследование их свойств.

1988

Гладкий С. В. Легирование пленок теллурида свинца – теллурида олова индием в процессе роста и создание фоточувствительных структур на их основе.

Думченко С. Н. Структуро- и формообразование карбида кремния на нитридной подложке.

Дышловенко П. Е. Длинноволновая Фурье-спетроскопия акцепторных состояний в антимониде галлия.

Коновалов Д. В. Разработка методов электризации пьезокерамических материалов системы ЦТС с учетом роли пространственного заряда.

212

Лазарева Н. П. Разработка и исследование полицветных электролюминесцентных устройств для систем контроля и управления.

Пак Чжон Ун. Легирование теллурида свинца индием при получении из газовой фазы.

Парфенова И. И. Влияние эффектов разупорядочения на оптические свойства связанных экситонов в твердых растворахGaAs1–х Pх и

GaIn1–х Pх.

Пщелко Н. С. Разработка моделей и методик расчета электроадгезии в системе «металл (полупроводник) – диэлектрик».

Томаев В. В. Физико-химические закономерности кристаллизации твердых растворов селенида свинца – селенида олова из паровой фазы.

Чан Ким Лан. Закономерности кристаллизации эпитаксиальных слоев теллурида свинца – теллурида олова из газовой фазы.

Шольц А. Получение и исследование пироэлектретов.

1989

Гожеляк Т. Свободные и связанные экситоны в кубических полупроводниках А3В5. Энергетические состояния и оптические переходы.

Корляков А. В. Ростовые фазовые политипные превращения при эпитаксии карбида кремния и нитрида алюминия.

Лебедев А. О. Эпитаксиальный рост нитрида алюминия на инородных подложках.

Минина Е. В. Электрические и фотоэлектрические свойства МДП-структур с активными диэлектриками.

Пецольдт И. Неравновесные политипные фазовые переходы в карбиде кремния.

Пэжиньска К. Исследование влияния катионного состава и -ва лентности ионов на диэлектрическую проницаемость поликристаллических магнитомягких ферритов.

1990

Адель Ашира Салех. Получение и исследование четырехкомпонентных твepдых растворов AlхGa1–хРyAs1–y.

Васильев В. А. Длинноволновая Фурье-спектрография эпитаксиаль-

ных слоев InхAs1–хSbyP1–y и GeхSi1–х.

213

Джазовский О. Н. Пленочные электро- и катодолюминесцентные структуры на основе соединений А2В6 для устройств отображения информации.

Куликова Н. А. Кристаллы аналогов фосфолипидов. Синтез и исследование свойств.

Махин А. В. Физико-химические закономерности кристаллизации слоев Pb1–хSnхSe и РЬТе, легированных галлием.

Олеск С. А. Оптические свойства и особенности зонной структуры селенида свинца и твердых растворов селенида свинца– селенида кадмия.

Пряжкин В. Б. Технология получения и свойства объемных и пленочных высокотемпературных сверхпроводящих материалов систем

«Y–Ba–Cu–O» и «Bi/(Pb)–Sr–Ca–Cu–O».

Щенсна Э. Исследование стабильности электретов в связи с их электропроводностью.

Яременко И. Е. Фотоэлектрические свойства карбида кремния в длинноволновой области спектра.

1991

Абрамишвили А. А. Кристаллизация твердых растворов селенида свинца – селенида олова из паровой фазы под воздействием лазерного излучения.

Аль-Яхья А. Фотоэлектрические свойства фосфида галлия и арсенида галлия, легированных изоэлектронными примесями.

Велинова Ю. Г. Эллипсометрические исследования тонких пленок аморфного гидрогенезированного кремния.

Ким Мен Хо. Выращивание объемных монокристалловp-SiС (AI,N) для электролюминесцентных источников света.

Ким Ха Ен. Исследование уширения глубоких уровней в полупроводниках методами нестационарной емкостной спектроскопии.

Пятко С. Н. Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе карбида кремния.

Авров Д. Д. Процессы спекания и электропроводность карбидокремниевой керамики.

214

Ганиев М. X. Гидрогенизированные аморфные полупроводники α–SiхC1–х: Н. Получение и свойства.

Дегоев М. А. Послойная кристаллизация халькогенидов свинца – олова из расплава и газовой фазы.

Джон Сен Хо. Получение аморфных пленок α-SiхC1–х:Н и иссле-

дование их электрофизических свойств.

Мдоир Иод. Длинноволновая отражательная спектроскопия эпитаксиальных слоев твердых растворов бинарных халькогенидных полупроводников.

Мельник Ю. В. Разработка методики легирования эпитаксиальных слоев нитрида алюминия и твердых растворов на его основе и исследование свойств легированных слоев.

Панов М. Ф. Исследование собственного электронного спектра полупроводниковых твердых растворов SiхGe1–х и Gaхln1–хAs методами фо-

тоэлектрической спектроскопии.

Тодоров М. Т. Фотоотражение GaAs и InP.

Чу Чор. Диффузия и механизмы растворимости примесей (цинка, индия) в твердых растворах теллурида свинца – теллурида олова.

Шакмаев А. А. Оптические свойства и энергетический спектр примесных состояний в твердых растворах GeхSi1–х и GaAsхSb1–х.

Юнис М. С. Влияние связанных экситонов на фотоэлектрические свойства фосфида галлия, легированного азотом.

Якупова А. Ю. Механизмы потерь в магнитомягких ферритах в зависимости от их состава и технологии изготовления.

1993

Богачев С. В. Микроволновая спектроскопия высокотемпературных сверхпроводящих металлооксидов.

Гареев Г. З. Исследование физических процессов, определяющих основные рабочие параметры фотоприемников на основе легированного кремния.

Диалло Тьерво Ибрагим. Моделиpoвание физических и физикохимических процессов, происходящих при изготовлении и деградации изделий из поликристаллического карбида кремния.

215

Дорожкин С. И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния. Казак-Казакевич А. З. Структурный анализ некристаллического

вещества в системе «кремний – углерод».

Мадисон А. Е. Габитус политипов карбида кремния.

Никольская Т. С. Акустическая эмиссия электроизоляционной и токопроводящей керамики.

Разафандразака Т. М. Разработка количественного термозондового метода анализа твердых растворов теллурида свинца– теллурида олова.

Растегаев В. П. Карбид кремния, легированный алюминием, и его использование в высокотемпературных полупроводниковых приборах и керамических нагревательных элементах.

Рубин Е. Г. Методика оценки электроакустических характеристик электретных преобразователей с учетом их конструктивных особенностей.

Чжан Хай-Ин. Физико-технологические основы ионно-плазмен- ного травления карбида кремния.

1994

Вълков И. Ц. Аппаратура и методы электронно-зондового тестирования интегральных микросхем в режиме вторичной электронной эмиссии.

Зильберман А. Б. Закономерности формирования и свойства газочувствительных элементов на основе диоксида олова.

Карагеоргиева В. В. Пленки Ленгмюра–Блоджетт аналогов фосфолипидов.

Рубцов Э. Р. Особенности фазовых превращений в системах твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью.

1995

Во Тан Лонг. Количественный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых материалов.

Ганенков Н. А. Разработка методов расчета и исследование электроакустических преобразователей на основе пленочных пьеэоэлектриков.

Карагеоргиев П. П. Переходные слои в мультислойных молекулярных нанокомпозициях на основе амфифильных веществ.

216

Коняев М. В. Исследование гетеропереходов и квантоворазмерных структур методом фотоотражения.

Нгуен Нгок Чунг. Рентгеноспектральный микроанализ эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе халькогенидов свинца – олова.

Холодилов А. Н. Инфракрасная Фурье-спектроскопия полупроводниковых структур с тонкими слоями (InхGa1–хAs/GaAs, Pb1–хSnхSe/BaF2,

пористый кремний).

1997

Тер-Мартиросян А. Л. Исследование излучательных характеристик мощных полупроводниковых лазеров, лазерных линеек и формирования лазерных решеток.

Кустов Т. В. Разработка технологии материалов и позисторов на их основе для защиты от электронных перегрузок.

Костромин С. В. Низкотемпературная технология получения эпитаксиальных структур карбида кремния на изоляторе на основе композиции «SiC-AlN».

Ильинский С. Ю. Применение метода потенциала нулевого радиуса для исследования сложных дефектов в полупроводниках.

Малеев Н. А. Методы обработки емкостных характеристик для определения параметров арсенидогаллиевых микроструктур с барьером Шоттки.

Комарова О. Л. Динамика решетки полупроводников со структурой сфалерита.

1998

Димитров Д. Ц. Физико-химические методы управления структурой и свойствами газочувствительных слоев на основе диоксида олова.

Кириллов Б. А. Получение монокристаллов карбида кремния: моделирование как метод совершенствования технологии.

Горелик А. Ф. Исследование неоднородностей в ограненных монокристаллах халькогенидов свинца – олова.

Ивкин А. Н. Исследования полупроводниковых эпитаксиальных слоев и квантоворазмерных структур в системах«Ga – In – As» и «Al – Ga – As» методами фотоотражения.

217

1999

Зубко С. П. Моделирование свойств виртуальных сегнетоэлектриков, входящих в состав узкозонных композитов.

Бондоков Р. Ц. Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца.

Румянцева А. И. Рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV группы.

Лютецкая И. Г. Микропрофилирование композиции методом реактивного ионно-плазменного травления.

Лазаренкова О. Л. Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантово-размерных гетероструктур.

Кравченко К. О. Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах.

Растегаева М. Г. Омические контакты «металл – карбид кремния». Орлова Т. А. Исследование контактов «металл – фосфид галлия»

и разработка фотоприемников на их основе.

Афанасьев А. В. Термически- и радиационностойкие контакты «металл – карбид кремния» для приборов экстремальной электроники.

2000

Решанов С. А. Получение и исследование полуизолирующего монокристалла карбида кремния.

Богданов А. А. Фотоприемные структуры на основе аморфного гидрогенизированного кремния.

Четвергов М. В. Структурно-морфологические особенности нитрида алюминия в зависимости от условий получения.

2001

Васильева О. В. Получение и исследование высокоиндукционных магнитодиэлектрических материалов и радиокомпонентов на их основе.

Сысоев А. А. Процессы обработки затравки для выращивания совершенных монокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ.

Райская Е. К. Исследование предельных режимов возбуждения поликристаллических электролюминесцентных излучающих структур.

218

Черемухина И. А. Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп.

Тарасов С. А. Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов А3B5 для селективных фотоприемников.

2002

Козодаев Д. А. Электретный эффект в структурах «Si – SiO2» и «Si – SiO2 – Si3N4».

Никитин И. В. Теплофизические свойства микросистем на основе структур карбида кремния на изоляторе.

Гудовских А. С. Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ-излучения.

Писаревский М. С. Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца.

Панкрашкин А. В. Технология и исследование конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических пленок цирконата – титаната свинца.

2003

Цвелев Е. О. Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии.

2004

Иванов А. В. Сегнетоэлектрические тонкопленочные элементы для электрически управляемых СВЧ-устройств.

Кайгородов В. А. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур AIIBVI/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона.

2005

Голубченко Н. В. Влияние примесей на кинетику и механизмы процессов окисления слоев селенида свинца при формировании фоточувствительных структур.

Максимов А. И. Газочувствительные полупроводнковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь- гель-технологии.

219

Пасюта В. Технология пленок Ленгмюра–Блоджетт жесткоцепных полиимидов для устройств микросистемной техники.

Семенов А. Н. Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства кванто- во-размерных гетероструктур на основе узкозонных соединений А3В5.

Посредник О. В. Политипизм карбида кремния: гетеропереходы и барьеры Шоттки.

Ильвес А. Г. Исследование нестационарных процессов вp–i–n- CdTe-детекторах рентгеновского и гамма излучения.

2006

Гамарц А. Е. Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия.

Комков О. Е. Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям InGaAs/GaAs методами фото- и электроотражения.

Кощеев С. В. Активные элементы датчиков, использующих эффект гигантского (усиленного поверхностью) комбинационного рассеяния (ГКР).

Афанасьев П. В. Границы раздела в тонкопленочных структурах с сегнетоэлектрическими слоями.

Александров С. А. Мощный полевой транзистор на основе гетеро-

структуры (Al,Ga)N/GaN.

Коровкина Н. М. Зондовая диагностика структур твердотельной электроники и электрофизических параметров СБИС.

2007

Поляков Д. А. Моделирование динамических характеристик КМОПлогических элементов для синтеза цифровых интегральных схем.

Кривошеева А. Н. Пассивные и активные мембраны для - уст ройств микросистемной техники.

Трошин А. В. Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния.

Шулгунова И. С. Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии.

Ахмед Абдел Моез Абдел Рахмана Езза. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения.

220

Селюженок Н. А. Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники.

Ахмеджанов А. Т. Получение и анализ газочувствительных и фоточувствительных наноструктурированных слоев на основе халькогенидов и оксидов элементов 4 группы».

2008

Канагеева Ю. М. Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии.

Петровская А. Н. Определение энергетического спектра гетероструктур с квантовыми ямами в системеInxGa1–xAs/GaAs по данным спектроскопии адмиттанса.

Савенко А. Ю. Исследование процессов локально-селективной обработки материалов и элементов электронной техники наноразмерным ионным пучком.

Трушлякова В. В. Тополого-схемотехнический анализ кристаллов интегральных микросхем при решении задач реинжениринга.

Матузов А. В. Технология структур «карбид кремния – кремний» для приборов микроэлектроники и микросистемной техники.

2009

Грачева И. Е. Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель- методом, для газовых сенсоров.

Спивак А. М. Получение и исследование тонких пленок нитрида алюминия и фотоприемных структур на их основе.

Хосама Елдин Хелми Фатхалла Хегази. Собственное оптическое по-

глощение и люминесценция твердых растворов полупроводников А3В5. Спицын А. С. Оптические свойства фотонных кристаллов и вол-

новедущих структур на их основе.

2010

Бохов О. С. Физико-технологические основы разработки теплофизических микросхем на основе периодических тепловых процессов.

Аньчков Д. Г. Влияние адсорбции газов на поверхностную электронную проводимость оксидных полупроводников.

221