Лаба 3 Исследование ключевых схем
.doc
Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
Кафедра электроники
Лабораторная работа № 3
«Исследование ключевых схем»
Выполнил:
Студент гр. №951002
Дементей Дмитрий
Ермоленков Николай
Минск 2010
Цель работы:
Изучить схемотехнику, основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Экспериментально исследовать основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных и полевых транзисторах.
-
Исследование передаточных характеристик насыщенного ключа:
-
Схема установки
-
Рис.1. Схема ключа на биполярном транзисторе (насыщенный ключ).
-
Исследование влияния параметров элементов схемы на передаточные характеристики ключа.
а) Rг=4,7 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В
|
Uвх |
1.00 |
2.00 |
4.94 |
5.2 |
5.77 |
6.90 |
7.8 |
9.9 |
10.9 |
25.00 |
|
Uвых |
10,2 |
10.2 |
4.48 |
2.5 |
0.126 |
0.08 |
0.07 |
0.054 |
0.05 |
0,033 |
б) Rг=4,7 кОм Rб=10 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В
|
Uвх |
1 |
1.9 |
2.5 |
2.8 |
3.30 |
4.40 |
8.30 |
25 |
|
Uвых |
10,2 |
9.9 |
6.0 |
3.0 |
0.110 |
0.08 |
0.05 |
0.032 |
-
Исследование влияния смещения на параметры ключа:
а) Rг=1,2 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-8В Uип=10В
|
Uвх |
1.00 |
1.74 |
2.04 |
2.2 |
2.31 |
2.420 |
2.48 |
4.20 |
10.40 |
14.40 |
25.00 |
|
Uвых |
10.0 |
9.90 |
7.20 |
3.5 |
0.85 |
0.146 |
0.12 |
0.05 |
0.031 |
0.029 |
0.028 |
б) Rг=4,7 кОм Rб=4,7 кОм Rк=1,2 кОм Uсм=-2В Uип=10В
|
Uвх |
1.0 |
1.56 |
1.9 |
2.23 |
2.48 |
2.84 |
3.47 |
3.910 |
6.10 |
12.8 |
24.0 |
|
Uвых |
9.9 |
9.3 |
6.7 |
3.86 |
1.35 |
0.141 |
0.11 |
0.091 |
0.06 |
0.04 |
0.03 |
-
Исследование влияния напряжения питания на характеристики ключа.
а) Rг=4,7 кОм Rб=10 кОм Rк=2,2 кОм Uсм=-5В Uип=8В
|
Uвх |
1 |
1.94 |
2.2 |
2.630 |
3.300 |
7.100 |
7.70 |
10.00 |
15.00 |
18.80 |
25.00 |
|
Uвых |
8 |
7.30 |
4.3 |
0.116 |
0.064 |
0.032 |
0.03 |
0.026 |
0.023 |
0.021 |
0.021 |
б) Rг=4,7 кОм Rб=10 кОм Rк=2,2 кОм Uсм=-5В Uип=10В
|
Uвх |
0.5 |
1.62 |
2.09 |
2.4 |
2.8 |
3.200 |
4.10 |
9.90 |
17.20 |
|
Uвых |
9.9 |
9.90 |
7.50 |
2.8 |
0.1 |
0.077 |
0.05 |
0.03 |
0.025 |
Вывод:
Изучил схемотехнику, основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Экспериментально исследовал основные характеристики и параметры электронных ключей на биполярных и полевых транзисторах.