Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Лекции 1, 11

.pdf
Скачиваний:
4
Добавлен:
01.05.2014
Размер:
143.01 Кб
Скачать

Л. 11. Строение и реакциоонная спообность элементов IV-ой группы.

ns2p2 ( 2s2p2 - полузаполненный второй уровень)

конфигурация 2s2p2

2s2p2

2s2p2

2s1p3

 

терм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3P

1D

1S

5S

 

E, кДж/моль

 

 

0

121,5258,2402,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

Si

Ge

 

Sn

Pb

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

rков.,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.772

1.176

1.223

 

1.405

1.46

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ЭО

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

18

18

 

18

19

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тплав., оС

 

 

 

 

4100

1420

945

 

232

327

Ткип., оС

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~5000 субл

3820

2850

 

2613

1751

d, г/см3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ал.3,514

2.336

5.323

 

5.769

11.342

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

гр.2,256

2.905

6.71

 

7.26

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆Hпл.,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

105,0

50.6

36.8

 

7.07

4.81

кДж/моль

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆Нисп.,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

710,9

383

328

 

296

177

кДж/моль

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

∆Нат.,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

716.7

454

383

 

300.7

195

кДж/моль

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ρ, ом-1см-1

 

 

 

 

10-14-10-16

48

47

 

β 10-6

10-10

∆Езап.з.,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

580

 

106.8

64.2

 

α-7,7

0

кДж/моль

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

β-0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

%

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

алмаз

 

 

 

графит

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

радиус

 

 

 

 

 

1.6

 

 

 

 

 

6500

 

 

 

Sn

 

 

 

6000

 

1.4

 

 

Pb

 

5500

 

 

 

 

 

5000

 

 

 

 

 

 

 

 

Si

 

 

 

I,кДж/моль

4500

(ков.),А

1.2

 

 

 

4000

 

 

 

 

3500

 

 

Ge

 

 

 

 

 

 

3000

r

 

 

 

 

 

 

 

 

1.0

 

 

 

 

 

2500

 

 

 

 

 

 

 

2000

 

0.8

 

 

 

 

 

1500

 

С

 

 

 

 

1000

 

 

 

 

 

 

 

0

20

40

60

80

 

500

 

 

 

 

 

 

Порядковыйномер

 

 

 

 

 

C

 

 

I1

 

 

 

I2

 

 

 

 

I3

 

 

 

 

I4

 

Si

Ge

 

Pb

 

 

Sn

 

0

20

40

60

80

 

 

порядковыйномер

 

 

4000 -

›,ä*%“2ü

T

3000 -ã!=-,2

 

2000 - =ëì=ƒ

1000 -

0

i

i

i

 

 

i

 

i

 

600

 

 

 

P, *K=!

 

 

 

 

 

 

100

200

300

400

500

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Интеркалированные соединения графита.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

%

%

%

%

%

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

 

%

 

 

 

% % % % % %

% % % % % %

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

%

%

%

%

%

 

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

% % % % % %

 

 

 

% % % % % %

 

%

 

 

%

 

 

 

%

% %

%

%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

%

 

C8K C8K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C12K

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Вещество

ρ, ом-1см-1 (90 К)

 

ρ, ом-1см-1 (285 К)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

α - графит

37,7

 

 

 

 

 

28,4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C8K

 

0,768

 

 

 

 

 

1,02

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C12K

 

0,932

 

 

 

 

 

1,15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

KxC60

Tc = 18,0±0,1 K

J.Inorg.Chem. ,1991, v.30, p.2838

RbxC60

Tc = 28,6 K

p.2962

Получение фуллеренов.

Cгр. → пар → конденсация → перекристаллизация (разделение C60 и

C70).

Š, %q

 

Si

Sn

 

1500

-

Ge

Pb

 

 

 

 

 

1000

-

 

 

 

500

-

 

 

 

0 -

 

 

 

 

 

i

i

 

 

 

50

100

P, кбар

Рис.1. Р - Т диаграммы высокого давления для простых веществ IV-ой группы.

1. Уменьшение Р,Т тройной точки (C→ Pb).

2.Уменьшение параметров поля (Р,Т) алмазоподобной модификации.

3.Увеличение устойчивости металлической фазы.

Салмаз кубический → гексагональный (Р,Т =?)

 

 

Лансделит d куб. = d гекс.

Si

1.кубический

 

2.

тетрагональный (тип белого олова).

Ge

1. кубический а = 5,6575

 

2.

тетрагональный (тип белого олова)

Sn

1. кубическое (α -Sn) а = 6,4892

 

2. о.ц.тетрагональное (β- Sn) а = 5,8317, с = 3,1813

Pb

ГЦК а = 4,9502

 

 

 

 

Si + 2 NaOH + H2O → Na2SiO3 + 2 H2

 

 

Pb + 2 H+ → Pb2+ + H2

 

 

 

 

Sn + 2 H+ → Sn2+ + H2

 

 

 

 

Ge + 2 NaOH + 2 H2O2 → Na2[Ge(OH)6]

 

 

5 PbO2 + 2 Mn(NO3)2 + 6 HNO3 → 5 Pb(NO3)2 + 2 HMnO4 + 2 H2O

 

 

 

C

 

 

 

 

 

Si

 

 

 

 

 

Ge

 

 

 

4

 

Sn

 

 

 

 

Pb

 

 

 

2

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

o

 

 

 

 

 

nE

-2

 

 

 

 

 

-4

 

 

 

 

 

-6

 

 

 

 

 

-4

-2

0

2

4

 

 

 

степеньокисления

 

 

Рис.2. Диаграмма Фроста для элементов IV-ой группы рН=0.

координационные C - 2 (sp);

3 (sp2); 4 (sp3); 5, 6 (гипервалентные св.)

числа

Si - 4 , 6 (SiF62-)

 

Ge - 4 (GeO2); 6 (GeO2)

 

Sn (2+) 3 (SnCl2, CsSnCl3)

 

4

(SnO)

 

Sn(4+) - 4

(SnCl4); 6 (K2SnCl6)

 

Pb(2+) - 4

(PbO)

 

Pb(4+0 - 4 (Pb(C2H5)4 ); 6 (K2PbCl6)

Оксиды углерода.

 

CO

CO2

 

C3O2

Тпл., оС

-205,1

-56,6

(5,2 атм)

-112,5

Ткип., оС

-191,5

-78,5

(субл.)

6,7

Hfo, кДж/моль

-110,5

-393,5

+97,8

 

 

 

 

 

lС -O, A

1,128

1,163

 

1,16

Свойства COX2.

 

 

 

COF2

COCl2

COBr2

Тпл., оС

 

-114

-127,8

-

Ткип., оС

 

-83,1

7,6

64,5

d, г/см3 (оС)

1,139 (-114)

1,392 (-19)

-

lC-O, A

 

1,174

1,166

1,13

lC-O, A

 

1,312

1,746

(2,05)

 

 

 

 

 

 

 

X-C-X,

o

108

111,3

±

 

 

 

 

110 5

O-C-X,o

126

124,3

125

 

 

 

 

 

 

Свойства гидридов.

 

CH4

SiH4

Si2H6

GeH4

Ge2H6

Тпл., оС

-182,5

-185

-132,5

-164,8

-109

Ткип., оС

-161,5

-111,8

-14,3

-88,1

29

d, г/см3

0,242

0,68

0,686

1,52

1,98

(оС)

(-164)

(-186)

(-25)

(-142)

(-109)

 

 

 

 

 

 

Галогениды..

1. Фториды.

 

CF4

SiF4

GeF4

SnF4

Тпл., оС

-183,5

-86,8

-151 (4 атм)

-

Ткип., оС

-128,5

-95,25 субл.

-36,5 субл.

705 субл.

d, г/см3 (оС)

1,96 (-184)

1,66 (-95)

2,126 (0)

4,78 (20)

2. Хлориды.

 

 

 

CCl4

 

SiCl4

 

GeCl4

 

SnCl4

PbCl4

Тпл.,

оС

 

-22,9

-68,9

-49,5

 

-33,3

 

-7

Ткип., оС

 

76,6

57

83,1

 

114

 

взр. 100о

d, г/см3

 

1,594 (20)

1,48 (20)

1,844 (30)

 

2,234 (20)

 

3,18 (0)

(оС)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3. Бромиды.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CBr4

 

SiBr4

 

GeBr4

SnBr4

 

Тпл., оС

 

90,1

 

5,4

 

26

31

 

 

Ткип., оС

 

189,5

 

152,6

 

186

205

 

 

d, г/см3 (оС)

 

2,94 (10)

 

2,77 (25)

 

2,10 (30)

3,40 (35)

 

 

CCl4 + H2O →

SiCl4 + 2 H2O → SiO2 + 4 HCl

GeCl4 + 2 H2O → GeO2 + 4 HCl

GeCl4 + 2 HCl → H2[GeCl6] раствор

SnCl4 + (2+n) → SnO2•nH2O + 4 HCl

SnCl4 + 2 HCl → H2[SnCl6]

PbCl4 + 2 H2O → PbO2 + 4 HCl

PbCl4 + 2 HCl → h2[PbCl6]

PbCl2 тв. + 2 HCl + Cl2 → H2[PbCl6]

Литература.

1. Ахметов Н.С. “Общая и нерганическая химия”, М.”Высшая школа”, 1988,

стр.371-409.

2.Некрасов Б.В., “Основы общей химии”, М., “Химия”, т.1, стр.492-535, 620643, 1973.

3.Коттон Ф.А., Уилкинсон Дж., “Современная неорганическая химия”, М., ”Мир”, 1969, т.2, стр.117-154, 306-338.

Дополнительная литература.

1.Уэллс А. “Сруктурная неорганическая химия”, М., “Мир”, 1987, т.3, стр. 5-

114, 316-336.

2.“Химическик и физические свойства углерода”, под.ред Ф.Уокера,

М., “Мир”, 1969.

Соседние файлы в предмете Химия