Микроэлектроника переводы / Silicon oxidation

Silicon oxidation has been a fundamental process of silicon device technology for а long time.

Окисление кремния долгое время было фундаментальным процессом в кремниевых устройствах.

However, an understanding of oxidation methods and the phenomena involved is far from complete.

Однако понимание методов окисления и связанных с ними явлений далеко не полное. An oxidation method that has received increased attention over the last few years is а high pressure oxidation method. Метод окисления, которому уделяется повышенное внимание в последние несколько лет, представляет собой метод окисления под высоким давлением. This method is known to offer а practical means for thermally growing silicon oxides at lower temperatures and faster rates than those grown in conventional wet oxidation. Известно, что этот метод предлагает практические средства для термического выращивания оксидов кремния при более низких температурах и более высоких скоростях, чем при обычном влажном окислении. Presently, efforts to implement low temperature processes have become а significant driving force in the evolution of silicon device fabrication technology. . В настоящее время усилия по внедрению низкотемпературных процессов стали значительной движущей силой в развитии технологии изготовления кремниевых устройств. The lower temperature aspect of high pressure oxidation has its greatest potential impact in the high density world of submicron VLSI where improvements in process control precision will have а significant effect on performance and yield

Низкотемпературный аспект окисления под высоким давлением оказывает наибольшее потенциальное влияние в мире с высокой плотностью субмикронных СБИС, где повышение точности управления технологическим процессом окажет значительное влияние на производительность и производительность.

Thin oxide film grown at low temperature bу high pressure oxidation has excellent dielectric breakdown strength. Тонкая оксидная пленка, выращенная при низкой температуре путем окисления под высоким давлением, обладает превосходной диэлектрической устойчивостью к пробоям.

Developments in high pressure oxidation will become more important with progress in other low temperature processes such as ion implantation, laser annealing, and plasma enhanced technology during the next few years. Развитие окисления под высоким давлением станет более важным с прогрессом в других низкотемпературных процессах, таких как ионная имплантация, лазерный отжиг и технология усиленной плазмы в течение следующих нескольких лет.