шпоргалка / Экзамен распечатано / 1-17

1.Резисторы.

Резистор - эл-т радиоэлектр. аппаратуры предназначенный для распр и регулир эл энергии.Эл энергия преобр в резисторах в тепл и рассеивается.

Классификация:

1)По типу проводящего эл-та: а)проволочные б)не пров-е

2)По возможности измен их значения: а)пост б)перемен.

3)Пост рез-ры делятся по назначению на:

а)Обещго прим-я с допуст отклонением от номинала ±10% ±20%.

б)Точные с δ =±1% ±2%

в)Прецизионные δ= ±(0,01;0,02; 0,05;0,8;0,2;0,5)%

г)Высокочастотные

д)Импульсные с малым знач-ем собственной емкости.

е)Высокочаст-е с раб U>2кВ

ж)Высокомегаомные R>10Мом

4)Переем рез-ры делятся

а)Подстроенные- для период. подстройки аппаратуры.

б)Регулиров-е-для оперативных, многократ-х перестроек.

5)Специаль-е рез-ры- особая гр. пост рез-в сопротивл которых зависит от действия внешн факторов:от I (стабилитроны),от U(варикапы),от t (термисторы),освещения(фоторезистры)

Осн параметры рез-ров:

1)Номинальная вел-на сопр R_н

2)допуст отн отклон-е от номинала δ

3)Номинальн мощ-ть расс-я Р_н

4)Мах допуст U ( U_доп≤√( Р_н R_н) )

5) t-ный коэфф. сопротивл (ТКС)

6)Собств уровень шумов Е_ш

7)Постоянная времени τ_R

8)Интенсивность отказов λ

9)Гарантийный срок службы

Для пост рез=ов установл-но 6 рядов номин. величин сопр.: Е6;Е12;Е24;Е48;Е96;Е192; цифра после Е указыв-ет кол-во номин величин в ряду.Каждый ряд задается опр коэфф. Например: Е6:

1,0; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8; . Величина сопр в рез-ра в ряду должна соотв одному из этих козфф *10ⁿ где n € Z(ГОСТ9664-74)При дробном значении сопр. обозн-е велич сопр ставится на месте запятой (6,8кОм→6К84)Величина рассеивания мощности рез-ра Р_н в Вт уст. ГОСТ24013-80 и ГОСТ

10318-80.Усл граф. обозн (УГО)

потенциометр

2.Катушки индуктивности.

К.и.-дискретный элемент, обладющий индуктивностью, т.е. спо-собностью накапливать эл энерг.

Различают К.и.:

1)Избирательных цепейвход-х в сос-тав фильтров, каутщек связи, дросселей выс частоты.

2)Апериодичных цепей- явл состчастью трансформаторов, дросселй низкой частоты.

3)К.и. могут быть пост и перем индуктивности.При больш изменении индуктивности они наз-ся вариометрами ,при малом (10-15%) подтроечными.

4)По конструктивному исполнению:

а)Цилиндрические(каркасные и безкаркасные).

б)Плоские(выполняются на жестком основании

5)По типу намотки: одно и много слойные.

6)Экранированные и не экрани-е

7)С магнитным и немагн сердечником и без сердечника.

Осн параметры К.и.:

1)Номинальное знач индук-тивности

2)Точность изготовения, допуск δ (от 1% до 10 %)

3)Добротность К.и. в электр ап-паратуре Q=ωL/r_k=от10 до 300

4)Собственная емкость,завис от констр и изм-ся от 1 до 100 пФ.

5)Стиабильность К.и. опр измен индуктивности при изм внешн факторов (t,влажн,вибрации)

6)t-ый коэфф индук-ти (ТКИ)

ТКИ=(20÷300)*10^-6 1/град

УГО К.и.

3.Конденсаторы.

К-дискретные эл-ты обладающ сосредоточенной электр емкостью т.е.способ-ю накапл эл-е заряды

Классификация:

1)По возм-ти изм-я емкости :

а)пост б)перем в) постр г)спец-е

2)По материалу диэлектрика:

а)Ваккумные б)воздушные

в)с тверд неорганическим диэл (слюдные, керам, стеклокерам,пленочне) г)с тверд орг диэл (бумажные, металлобумажные)

д)Электролитические.

3)По напряжению: а)низковоль-тные(U_раб≤1600В) б)высоковоль-тные(U_раб≥1600В).

4)По мощн-ти: малой и большой

5)По диапазону рабочих частот:

а)для пост и пульсирующего U

б)для U звук-х частот 10²-10⁴Гц

в)для U радиочастот >100кГц и более.

6)По конструкции: а)цилиндр-е б)плоские в)трубчатые г)диск-е

УГО

Основные параметры:

1)Величина номин емкости С_н

2)Удельная емкость С_уд= С_н/V

3)Отн отклон от номинала δ

4)Темп коэфф емкости (ТКЕ)

5)Ток утечки I_ут-ток в уст режи-ме при рабочем U

6)Тангенс угла потерь tg σ где σ- угол до 90^о, угол сдвига фаз м/у I и U в емкости, tg σ =Р_акт/Q_реакт

7)Электр-я прочность: раб U_раб

8)Реактив-я мощн-ть Q=2πfU²C

9)Паразитическая индуктивн-ть f_рез=(2π√(C_кL_пар))^-1

Согласно ГОСТу, для конд-в устроен ряд Е6 номиналов δ ≈±0,1-±30% и кодируются как для резисторов. Букв-цифр маркировка сост-ит из 3 эл-в: первый-буква или соч-етание букв: К-конд пост емкост, КТ-подстр, КП-перем емкости.

второй-обозн вид диэлектрика

третий-порядковый номер разработки (напр К10-17)

4.Полупроводники.

П/пр - вещ-ва, занимающие по величине уд. эл-ой провод-ти промежуточное полож м/у ме-таллами и диэлектриками.

Осн признаками п/п явл сильное влияние t, интенсивности освещения, ионизиру-ющих излуч-й и конценр приме-сей на их эл-е сопротивление.

В качестве п/п исп-ся Ge,Si, арсинид калия..

Для п/п хар-м явл то что сравн небольшие энергетические воздействия (нагрев, облучение) приводят к ↑ энерии электр-в внешней оболочки атома и их отрыву от атомов. Такие эл-ны обладают возможностью свободно перемещаться по объему п/п и наз-ся электр-ми проводимости. При отрыве эл-на от атома в месте ра-зрыва появл “дырка”. Отсутствие эл-на в валентной связи равносильно появл в данном месте + заряда, который и предписывают дырке. На незаполненную связь приходят валентные эл-ны с соседней связи чему способствует тепловое движ-е в п/п, поэтому дырка хаотично перемеща-ется по кристаллу. Исчезновение дырок в одном месте и их появление в другом учитывают как движение дырок. При приложении U к п/п дыр-ка будет двигаться в направлении протиаоположном направлению движ-я эл-на и опр-ся полярностью U что соответ-ет переносу + заряда, т.е. протеканию эл тока.При производстве п/п приборов обычно исп-ся приме-сные п/п у которых часть атомов основного вещ-ва в узлак крист реш-ки замещена атомами др. вешеств. При исп 5-валент-х примесей 5 эл-н ее атомов остается свободным от валентной связи и даже при комн t отрыв-ся от атома. Примеси, отдающие эл-ны называют донорными, а п/п n-типа. В п/п с 3-х валентными примесями эл-в для заключения валентных связей не хватает.Они приходят от сосед-х атомов в рез-те чего обр дырки. Примеси, принимающие валентные эл-ны наз-ют акцепторными,а п/п р-типа.

При отсутствии эл поля в крист-ле и одинаковой концентрации носителей заряда в объеме п/п эл-ны и дырки нах-ся в непрерывном тепл-ом хаотичном движ и I в п/п =0.При прилож к п/п эл поля или при неравномерном распр концентр носителей заряда в объеме п/п , возникает эл ток. Направленное движ-е носителей заряда по действием эл поля назся дрейфом ,а в рез-те возникнов-я градиента концентр носителей заряда- диффузией.

5.ЭДП.ВАХ ЭДП.

Рассмотр монокрист п/п с резкой границей м/у р и n областями.Пусть в n и p областях концентр осн носителей заряда одинаковы по всему объему и равны соотв-но n_n и р_р.Основными носителями в п/п n-типа явл-ся эл-ны, в п/п р-типа дырки. При изготовл п/п приборов примеси вв-одят в таком кол-ве чтобы основ-х носителей было на 2-3 порядка больше неосновных (р_р>>n_p;n_n>>p_n)

Граница p и n областей наз-ся эл-нно дырочным пе-реходом(ЭДП). На ЭДП созд-ся градиент конценр эл-нов и дырок, в рез-те чего возникает диффуз-ионный ток I (дифф-я е в р-область и дырок в n-область).

В равновесном сост-ии появл-е Iдиф нарушает нейтральность областей п/п.

На границе n-области образуется неподвиж “+” зар-яд ионизированных доноров за счет ухода е из n-обл , а на границе р-обл “-“ заряд ионизированных акцепторов. В рез-те в переходн слое обр-ся эл поле Е, создающ I_др обратного направ-я.

При отсутствии внешн поля м/у двумя обл-ми п/п устанавл-ся такая разность потенц-ов, при которой суммарн ток ч/з переход =0. Эта разн потенц наз-ся константной φ_к=φ+ln(p_p/p_n)= =φ_тln(n_n/n_p); гдеφ_т=кТ/q-тепловой потенц, к-пост Больцмана, Т-абс темп-ра,q–заряд е. Если к п/п с p-n-перех приложить U,то его большая часть прикл-ся к ЭДП. Ч/з перех протекает ток, вел-на кото-го зависит от вел-ны и поляр-ти U. U прилож “+” к р-обл, а “-” к n-обл наз-ся прямым напряж. Ток протек-й при этом ч/з ЭДП наз-ся прямым. При противополож полярн-ти U оно наз-ся обратным. При подкл прямU к ЭДП U на нем ↓ и стан-ся = φ. φ= φ_к-U.

↓ U на ЭДП приводит к увел велич-ны Iдиф, а Iдр ост-ся const.Ток ч/з ЭДП уже не =0 ,т.е ч/з ЭДП протекает прямой ток, образ осн носителями, который завис от U.

I_пр=I_нас(е^qU/(kT)-1)=I_нас(е^U/φ -1)-ур-е явл-ся уравн-ем прямой ве-тви ВАХ ЭДП, где I_нас-ток насышения.

Если приложено обратное U, тоφ=φ_к+U..

Область объемн заряда расшир-ся поэтому Iдиф ↓, а Iдр ост const.Направл тока изм и ч/з ЭДП будет протекать обр ток.

I_обр=I_нас(е^-qU/(kT)-1)=I_нас(е^-U/φ-1)

Идеальная ВАХ ЭДП:

6.Пробой p-n-перехода.Виды пробоев

При занчит ↑ U_обр возн-ет быстр рост I_обр. Это явл-е наз-ся пробоем ЭДП. Различают тепловой и эл пробой,а эл пробой разд на лавинный и туннельный.

Тепл пробой возн-ет за счет интенсивн термогенер-ации носителей в p-n-перех при недопуст повышении t. Про-цес развив-ся лавинообразно, т.к. ↑ числа носителей заряда вызывает рост I_обр и еще разогрев участка ЭДП.Процесс заканчив-ся расплавл этого участка и выходом прибора из строя(участок В-Г)

Лавинный проб обусловл лавинным размнож ности-телей в p-n-перех, в рез-те ударн ионизации атомов быстрыми носителями заряда под действ-ем высокого U_обр.Лав проб (участок АБ) возн в толстых p-n-переходах где е-ны успевают разогнаться и в тоже время встре-тится с больш кол-вом атомов.

Туннельный проб хар-ся отрывом валентных е-ов от атомов п/п под действ сильного эл поля. Тун проб разв в тонких p-n-перех,где при небольш U_обр имеет место высокая направленность поля(участок АВ).

Л и Т пробои явл обратимыми процессами.

7.Емкость p-n-перехода

Емкость p-n-перех образуется барьерной и диффузионной емкостями.

Барьерная емк С_б хар-ся сосредоточением по обе стороны границы раздела р и n слоев объемных зар-ядов, создаваемых ионами примес. Наличие бар емк обуславл протекание тока ч/з ЭДП при изм U на нем. С_б=dQ/dU.

Вел-на С_б завис от площади р-n-перех и м/б до 10-ов и 100-тен пФ.Это физ явл, т.е. завис-ость С_б отU_обр исп-ся в варикапах,прим-ся в качестве конденс-ов перем емк.

Дифф емк С_диф обуславливается изм суммарных зарядов нерав-новесных е-ов и дырок в р и n обл в рез-те изм U на ЭДП.Эти заряды созд-ся за счет дифф нос-ителей ч/з ЭДП,поэтому С_диф обр при U_пр на нем. Величина С_диф завис от протек ч/з перех I_пр и может со-ставл 100-ни и 1000-чи пФ,т.е. С_диф>>С_б Т.о.при пря-мом смещении ЭДП его емк опр в основном С_диф, а при обр, когда С_диф=0,-барьерной емк С_б.

8.П/п.диоды, схема замещ, классиф, УГО.

П/п.диодом наз-ся двухэлектродный прибор, осно-ву которого сост p-n-структура с р и n обл-ми раздел-ми ЭДП. При произв-ве диодов,одну из обл легируют >,и она имеет > конц осн носит заряда (обычно p-обл) и обозн как р⁺. Эту обл наз-ют- эмиттером,а другую – базой.

р-n-перех с неодинак-ой конц примесей наз-ся несимметричным и обозн (р⁺-n).

Схема замещ п\п диода:

Элем схемы зам явл-ся:

С_д-емк диода, завис от режима работы, С_д=С_б+С_диф; Rn-интегр сопр перех,опр по ВАХ диода в рабочей точке А. Rn=Ua/Ia/

r_б-распределенное эл сопр базы д ,его электродов и выводов.В точных расчетах учитыв-ся емк м/у выв-одами С_в,их индуктивность L_в,входн С_вх и выходн С_вых емк-ти д относ-но общей шины устр-ва.

Типы диодов: выпрямительные, высокочастотные, импульсные, стабилитроны и стабисторы, варикапы, туннельные, обращенные, двухбазовые, диоды Шотки, светодиоды, фотодиоды.

УГО: -высокочаст и выпрямит. -стабилитрон.-варикап.-туннельный диод.-диод Шоттки.-обращенный диод.

-двухбазовые.

Букв цифр маркировка д состоит из неск эл-ов:

1)Буква или цифра обозн материал:

Г или 1-Ge, К или 2-Si, А или 3-соед Ga, И или 4-In.

2)Буква обозн подкласс д.

Д-выпрям,импульсн,магнитодиоды

Ц-выпрям столбы и блоки,мосты.

С-стабилитроны и стабисторы

В-варикапы, Л-светодиоды, И-туннельные

А-СВЧ диоды.

3)Цифра обозн подкл по частоте раб и расс мощн-ти

4)5)6)Цифры и буквы обозн № разработки,а для ста-билитр и стабисторов U стабилизации и последов-ть разработки.

7)Буква опр-ая различия в параметрах

Пример: КД202А

9.Выпрямительные диоды.

П/п.д.,предназн для выпр перем тона низк частоты наз-ся выпрям.д. В них исп-ся асимметрия ВАХ р-n-перехода. Выпр.д. по мощн подразд на:

1)малой(I_пр до 300 мА, U_обр до 1,2 кВ)

2)средней(I_пр=0,3…10А, U_обр=1,2кВ)

3)большой мощн(I_пр до 3кА, U_обр до 3,5кВ)

Параметрами выпр.д. явл-ся:

1)Допустимый выпрямленный ток(средн знач-е Iпр), определ как допустимое среднее за период, знач-е тока sin-соидальной формы при работе цепи с част 50 Гц в заданном диапаз-не температур.

2)Прямое падение U(U_пр на диоде при токе I_пр).

3)Max U_обр, классифицир при max раб t-ре.

4)I_обр, опр-ся при max раб t-ре и U_обр

Кремниевые д имеют по стравн с герм более высо-кую раб t-ру и U_обр, более низк цену и I_обр, но больш-ее Uпр.

Схема замещ имеет 2 эл-та: R_n и r_б.

10.Высокочастотные диоды.

Всч.д. предн-ны для раб-ты в цепях с част тока до сотен МГц, они подр-ся на :

1)Детекторные-исп-е для выпрям-я высокочастотного I и выд-я низкочастотного сигнала из модулированного колебания.

2)Смесительные-предназн для изм несущей частоты модулированного колебания.

3)Модуляторные-использ для модуляции высокочастотн колеб.

Для изготовл всч.д. исп-ся спец технологии позвол-е ↓ емкость д-да C_д.Параметрами этих диодов, кроме указ для выпрям диодов явл-ся предельная раб час-тота.

Схема замещ:R_n, r_б, С_д, С_б, L_в.

11.Импульсные диоды.

Они предназн для работы в качестве ключа с двумя состояниями: открыт- когда R д мало,закрыт – когда R д велико.Время перехода из одного сост в другое опр-ся быстродействием аппаратуры с этими д-ми.

Длительность проц-са перекл имп.д. из закр сост в откр опр временем накопл необх конц неравновесн-ых носителей в близких к p-n-переходу слоях за счет их дифф ч/з переход. В рез-те Uпр на д при его отпирании U_примп имеет > вел-ну, чем в установ режиме U_пр.Это наз-ся имульсн прям напряж-ем д-а, а интервал времени в теч которого U на д-де уст от U_примп до 1,1U_пр наз-ся временем установления,t_уст.

Переключение д-да из откр сост в закрытое сост хар-ся резким увел обр тока до вел-ны I_обримп и наличием интервала t изм Iоб до низк знач-я. Это обусл-но втягиванием неосн носит-ей зар-да обратно в р-n-переход под действ Uобр и их рекомбинацией с осн носителями з-да.Временем восст-я аппаратно-го сопр-я t_вос наз-ся интервал времени от момента прохождения тока ч/з 0 после перекл диода с задан-ного I_пр на заданное U_обр до мом-та достиж-я I_обр зад-анного низкого значения.По t_вос имп. диоды дел на:

-высокого быстродействия t_вос<10нс

-среднего быстродействия 10нс<t_вос<100нс

-низкого быстродействия t_вос>100нс

12.П/п стабилитроны и стабисторы.

Д-ды в кот исп св-во незначительного изм Uобр на p-n-пререходе при электр(лавинном или туннельном) пробое наз-ся п/п стабилитроном. ВАХ:

Рабочим участком ВАХ п/п.стаб. явл-ся уч-к 1-2 обр ветви хар-ки.Осн парам-ми явл :1)U стабилизац U_ст 2)Min ток стабилиз I_{ст min} 3)Мах ток стаб I_{ст мах} 4)Динамическое или дифференц-е сопротивл-е R_д 5)Прямое сопр R_пр 6)Темпер коэфф напряж стаб (ТКН).

Uст в совр стабилитроне и стабисторе лежит в пределе от 0,7 до 180 В. I_{ст min} может изм от 10-х долей до 180В. I_{ст max} огр-ся допус-тимой мощностью рассеинья и м/б от 2мА до 1,5мА

R_д хар-ет наклон раб учс-тка.(1-2): R_д=dU/d(I)≈∆U_ст/∆I_ст

Прямое сопр в раб точке А: R_п=U_aI_а

ТКН хар-ет измен U_cт в % при изм t-ры окр среды на 1⁰С. ТКН=ΔUст/(Uст*ΔТ)

Стабилитроны прим в схемах || стабилизаторов:

Раб точка п/п. стабистора обычно выбир в сер уч-ка 1-2: I_ст=(I_{cт min}+I_{ст мах})/2. Для данной схемы можно сост Ур-е Кирх-гофа.(по 2 з-ну):

Е=R_б(I_н+I_уст)+U_ст.

найдем изм Uст при изм напр ист пит-я:

∆Е=∆U_ст+R_б(∆Iн+∆I_cт)=∆U_cт+R_б(∆U_cт/R_н+∆U_ст/R_д)

∆U_ст=∆Е/(1+R_б/R_н+R_б/R_д); R_б/R_д>>1, ∆U_ст<<∆Е. При измен R_н измен I_н на вел-ну ∆I_н; тогда при Е=const ∆I₀=∆Iн-∆I_ст при этом: ∆U_ст=R_б(∆I_н-∆I_ст)=R_б(∆I_н-∆U_ст/R_д), ∆U_ст=R_бI_н/(1+ R_б/R_д). Чем ↑ отклонение R_б/R_д тем ↑стабилиз-ция напр на нагр-ке. Однако при очень >R_б расс мощн на нем также увел, падает КПД. устр-ва. Стабилитр исп для стабил низк напр.Они раб на пря-мой ветви ВАХ. ЭДП.

13.Туннельные диоды.

Т.д.-это п/п д-ды в принц-пе раб которых исп тунн эф переноса носителей з-да ч/з потенц барьер р-n-перех .

Т.д. отлич-ся высокой конц примесей (10¹⁹ атом/см³). Благодаря чему обедненный слой диода станов очень тонким это прив-т к появл тун эфф прох носит зар-да ч/з р-n-перех.

ВАХ:

Т .эфф действ-ет от отриц напр до U_min, ч/з тун д-д протекает Iдиф, экспоненциально зависящий от прилож напр. Наклон падающ участка ВАХ опр вел-ну дифф отриц сопр тунн д-да: R_д=dU/dI≈∆U/∆I

Другими параметрами явл-ся: I_max ,U_max , I_min , U_min ,отношение К_i= I_max /I_min ,U_н-мах напр допуст при работе т.д. в схеме гене-ра, С_д-емк диода.

Ток в т.д. созд-ся осн носит, поэтому прибор обл высоким быстродейств и может раб на частотах до сотен ГГц.

Т.д. хар-ся малой потр мощн, массой и габарит, уст-ю к радиации, малым темп коэфф напр и тока.

Схема замещ и генератор на его осн-ве:

14.Диоды Шоттки.

Кроме п/п переходов сущ также перех мет-п/п, которые обозн как m-p и m-n, в завис-ти от типа п/п.

Основные матем-ие соотн-я получил для них нем-ий ученый Шоттки, поэтому они названы в его честь, а потенц барьер на перех мет-п/п наз барьером Шоттки.

В них обр-ся перех не инжекирующий неосн-ые носители в базовую обл-ть. Поэтому в д.Ш. нет процессов накопл и рассеив нео-сн носит, и они обладают очень малой С_б≈1пФ и r_б.

За счет этого, предельн частота работы сост 10-ки ГГц. Их исп-ют в качестве быстродейств логарифм-их эл-ов. Д.Ш. имеот U_обр до 500В, I_пр до 10-в А,U_пр≈0,3В, высокий КПД; технология их пр-ва дешевая.

15.Общие сведения от тр-рах.Маркировка.УГО.

Неполярн тр наз-ся 3-х электродный п/п прибор, имеющий 2 ЭДП и предназн для усил электр-их сигналов по мощности.

В завис-ти от чередов-я обл различ p-n-p и n-p-n. Их п/п структ-ра и УГО:

р-n-p n-p-n

Одну из крайних обл п/п структ-ры легируют сильнее чем другую.Ее исп для инжектирования носит заряда в средн обл и наз-ют эмиттером. Другая крайн обл наз-ся коллектором, функц которого яв-ся сбор носит заряда, пошедших ч/з базовую обл. Пластина п/п явл основ-ем конструкции и наз-ся базой. Переходы обр с базой наз-ся соотв эмиттерный(Э) и коллекторый(К).В обоих типах тр функции слоев и принцип действ аналог.Отличие их в том что измен тип носит заряда, приход в базу.В p-n-p –дырки,в n-p-n – эл-ны.Букв-цифр маркировка аналогична марк диодов:

1) Буква-материал п\п

2)Буква Т-биполярные П-полевые

3)Цифра указ мощн и частотн св-ва :

Мал 1-низк част с f_гр=3 МГц

мощн 2-средн част с f_гр от 3 до 30 МГц

Р_к<0,3Вт 3-выс част с f_гр>30 МГц

Сред 4-низк част с f_гр=3 МГц

мощн 5-средн част с f_гр от 3 до 30 МГц

Рк=0,3-1,5Вт 6-выс част с f_гр>30 МГц

Больш 7-низк част с f_гр=3 МГц

мощн 8-средн част с f_гр от 3 до 30 МГц

Рк>1,5Вт 9-выс част с f_гр>30 МГц

16.Принцип действия тр и его стат парам.

Рассм тр типа p-n-p при подкл к нему ист питания и распр потенциала вдоль структуры. При подкл кол. к напр U_к происх обр смещ-е кол-го перехода и в цепи кол поя-вл слабый ток – это обр ток кол I_кбо.Этот ток явл-ся одним из важн парам тр и представ собой ток ч/з кол перех при заданном обр напр U_кб и разомкн выводе эмиттера.

При подкл U_э происх прям смещ э-го перех-да и в цепи появл ток I_э который в осн опр-ся Iдиф и имеет эл и дырочн составл-е. Технол изготов тр та-кова что э имеет ↑ конц осн носит(в p-n-p –дырок), а в базе таковых мало,то дырочная сост Iэ у тр >> эл сост (I_{э дыд}>>I_эп). I_эп замык ч/з цепь базы и не участв в созд Iк. Дифф е-нов из базы в э восполн прито-ком к базе е-нов из внешн цепи, что и опр-ет напр Iэп. Для цепи базы I_эп явл одной из сост тока базы.Инжектированные из э в б дырки под действ дифф, стремящиеся выровн их конц по всему объем базы перем в напр к. Приближ к обратоно-смещ-му кол перех дырки как неосн носители безпреп проходят из б в к увел-я Iк.Некоторое кол-во дырок при их движ к базе рекомбинирует с е-ми что вызывает доп приток е-ов в базу из внешн цепи т.е. наличие рекомбинир-ой сост-ей I_эрек Iэ, также явл-ся сост тока базы.За счет соотв констр тр на к попадоет больш инжектированных в базу дырок поэтому I_эрек>>I_кр Вел-на, α_инт=I_кр/I_э=0,95-0,99 (1) наз-ся статич или интегр коэфф передачи тока э. Он показывает какая часть тока э замыкается ч/з кол це-пь.По 1 з-ну Кирх I_э=I_k+I_б (2),где I_э=I_эп+I_эрек+I_кр , I_б=I_эп+I_эрек+I_кбо; I_k=I_kp+I_кбо; исп (1) и(2) получим: I_k= α_интI_э+ I_кбо наряду с α_инт часто исп статический(интегр) коэфф передачи тока базы β_и=I_кр/(I_эп+I_эрек)=(I_к-I_кбо)/(I_б+I_кбо)(3)

Статит параметры измер в стат режиме при неизм токах и напр.

17.Схемы включения тр и дифференц парам-ры.

В завис от того какой электрод явл общим для вх и вых цепей разл 3 схемы вкл тр: с ОК,ОБ,ОЭ.

ОБ ОЭ ОК

Согласно (I_э=I_k+I_б (1)) при возр I_э на вел-ну ∆ I_э возр также и ост токи. I_э+∆ I_э= I_k+∆I_k+I_б+∆I_б (2)

Вычтем (1) из (2) : ∆I_э=∆I_k+∆I_б

отношение приращ вых тока к вызывающему его приращ вх тока при неизм U вых цепи наз-ся коэф (диффренц) прямой передачи по току.Для сх с ОБ: ток вх- I_э, вых-I_к поэтому для сх с ОБ коэфф пр предачи по току α=∆I_k/∆I_э при U_к=const (3)

В усил режиме в схеме с ОБ α_и ≈ α. Из (3) можно найти приращ I_к: ∆I_k= α*∆I_э(4). ∆I_б=∆I_э- ∆I_k подставим сюда (4): ∆I_б=∆I_э- α*∆I_э= ∆I_э(1± α)(5)

В схеме с ОЭ вых током явл I_к, вх-I_б, поэтому коэфф прям перед по току: β=∆I_к/∆I_б при U_к=const

Коэфф β можно выр-ть ч/з α: β= α*∆I_э/(∆I_э(1± α))=α/(1- α)≈1/(1- α) т.к. α≈1 (6)

Отсюда видно что чем ближе α к 1 тем больше коэф β. Из (6)=> β(1- α)= α; β- β *α= α ; α= β/( β+1) (7)

В схеме с ОК вых ток –I_э вх-I_б , коэфф пр перед по току в сх с Ок ≈1 и опр по ф-ле:

∆I_э/∆I_б=∆I_б/(∆I_б(1- α))=1/(1- α) =1/(1- β/(β+1))= (β+1)/( β+1- β)= β+1≈ β т.к. β>>1.

При работе тр-ра в линейном реж-ме на практике исп след равентсва: α≈ α_и=I_к/I_э (8) β≈ β_и= I_к/I_б (9)

I_к>> I_б>> I_кбо. Зная α и β по (8) и (9) можно опр токи

I_к ;I_б ; I_э

I_к≈ α I_э

I_э= I_к/ α

I_б≈ I_к/ β

I_б≈ I_э(1- α)

В схеме с ОЭ при отсутствии I_б ч/з тр протекает сквозн ток I_кэс, аналогично току I_кбо в сх с ОБ. По-дставим (1) в выр-е I_к= α I_э+ I_кбо при I_б=0 и получим

I_кэс= I_кбо/(1- α)= I_кбо(β+1)