Вопросы к экзамену по ФОЭТ (очники)

Вопросы к экзамену по «ФОЭТ и ППП» (для очного отделения).

Вопросы к экзамену совпадают с вопросами к коллоквиумам.

Студенты, защитившие вовремя все лабораторные работы имеют возможность автоматически получить оценку за экзамен в соответствии с набранными в течении семестра баллами.

Билет на экзамене будет состоять из 5-и вопросов. После получения билета студент готовится к ответу (не более 40 минут). Ответы пишутся на листах бумаги, сверху в строчку пишется номер по списку, фамилия, группа и порядковый номер листа (в правом верхнем углу). Вопросы записывать НЕ обязательно. Ответы на листах студенты пишут для себя. Преподаватель их читать не будет. Во время сдачи экзамена отвечать на вопросы билета преподавателю необходимо устно, при необходимости пользуясь сделанными во время подготовки рисунками.

При ответе на вопрос нужно отвечать только на него (не нужно выдавать мне ВСЮ информацию, которую Вы можете вспомнить). Ответ должен быть кратким, но достаточным. На рисунках ВАХ и схем не забывайте обозначать оси, напряжения и токи.

Вопросы к экзамену по «ФОЭТ и ППП»

В данном списке номер вопроса состоит из двух цифр, первая из которых – номер лекции (пункты с одинарной нумерацией – это не вопросы, а номер и тема лекции).

1. Вводная

2. Краткие сведения, модель атома, постулаты Бора.

   1. Постулаты Бора.

3. Зоны, генерация и рекомбинация.

   1. Что в теории полупроводников принято называть дыркой?

   2. Зонная теория.

   3. Что такое генерация? Объясните принцип.

   4. Объясните механизм образования электронной и дырочной составляющих тока в собственном полупроводнике.

   5. Что такое n-полупроводник и как его получают?

   6. Что такое p-полупроводник и как его получают?

   7. Как образуется дрейфовый ток в полупроводнике?

4. Типы рекомбинации, устройство р-n перехода.

   1. Объясните сущность процессов инжекции и экстракции неосновных носителей заряда в р-n переходе.

   2. Объясните в чем сущность динамического равновесия в p-n-переходе при отсутствии внешнего напряжения.

   3. Что такое рекомбинация? Типы рекомбинации.

   4. Что такое электронно-дырочный переход?

   5. Какое включение p-n-перехода называют прямым? Что представляет собой прямой ток через p-n-переход?

   6. Изобразите и объясните энергетическую диаграмму p-n-перехода без внешнего напряжения.

   7. Какое включение p-n-перехода называют обратным? Что представляет собой обратный ток через p-n-переход?

   8. Как и почему изменяется потенциальный барьер при прямом и обратном включениях р-n перехода.

   9. Что такое потенциальный барьер? Как он возникает?

5. Пробой, импульсные свойства перехода.

   1. Типы пробоев. Какие из них являются обратимыми.

   2. В чем сущность лавинного пробоя полупроводника?

   3. В чем сущность туннельного пробоя перехода?

   4. Изобразите ВАХ p-n-перехода (реального) при обратном включении.

   5. Что такое стабилитрон?

   6. Нарисуйте форму напряжения на диоде при скачкообразной подаче на диод прямого тока (для режима с высоким уровнем инжекции).

   7. Нарисуйте форму тока через диод при скачкообразной подаче на него обратного напряжения после протекания прямого тока.

   8. Нарисуйте, какое соединение диодов применяют, если выпрямляемое напряжение больше, чем допустимое обратное напряжение диода.

   9. Как по ВАХ диода найти его статическое сопротивление?

   10. Как по ВАХ диода найти его дифференциальное сопротивление?

6. Линия нагрузки, Транзистор.

   1. Определите ток и напряжение на диоде в цепи последовательного соединения диода и нагрузочного резистора (нарисуйте ВАХ и линию нагрузки).

   2. В каком направлении смещены переходы транзистора в активном режиме?

   3. В каком направлении смещены переходы транзистора в режиме насыщения?

   4. В каком направлении смещены переходы транзистора в режиме отсечки?

   5. В каком направлении смещены переходы транзистора в инверсном режиме?

7. Схемы включения транзистора.

   1. Нарисуйте схему включения транзистора с ОБ в активном режиме. Усиливает ли данная схема по току, по напряжению, по мощности?

   2. Нарисуйте схему включения транзистора с ОЭ в активном режиме. Усиливает ли данная схема по току, по напряжению, по мощности?

   3. Нарисуйте схему включения транзистора с ОК в активном режиме. Усиливает ли данная схема по току, по напряжению, по мощности?

   4. Что такое входные и выходные характеристики (зависимость чего от чего и при каком условии)

   5. Приведите входную статическую характеристику транзистора включенного по схеме с ОБ.

   6. Приведите выходную статическую характеристику транзистора включенного по схеме с ОБ.

   7. Приведите входную статическую характеристику транзистора включенного по схеме с ОЭ.

   8. Приведите выходную статическую характеристику транзистора включенного по схеме с ОЭ.

   9. Объясните, как по характеристикам транзистора определить β (h_21Э)

8. Усиление, влияние температуры, схемы замещения транзистора.

   1. Объясните влияние температуры на выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

9. Четырехполюсники, система статических парамеров

   1. Нарисуйте четырехполюсник и обозначьте токи и напряжения

10. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом

    1. Изобразите структуру полевого транзистора с управляющим p-n переходом.

    2. Изобразите выходную (стоковую) характеристику полевого транзистора с управляющим p-n переходом

    3. Изобразите передаточную (стоко-затворную) характеристику полевого транзистора с управляющим переходом

    4. Изобразите графическое обозначение полевого транзистора с управляющим p-n переходом и обозначте его электроды. Основные параметры полевого транзистора

11. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)

    1. Изобразите структуру полевого транзистора с изолированным затвором (МДП-транзистора) с индуцированным каналом, обозначте электроды.

    2. Изобразите структуру полевого транзистора с изолированным затвором (МДП-транзистора) с собственным (встроенным) каналом, обозначте электроды.

    3. Приведите условное графическое изображение МДП-транзистора с индуцированным каналом, обозначте электроды

    4. Работа МДП-транзистора в режиме обеднения

    5. Работа МДП-транзистора в режиме обогащения

    6. Изобразите выходную характеристику МДП-транзистора со встроенным каналом

    7. Изобразите выходную характеристику МДП-транзистора с индуцированным каналом

    8. Изобразите характеристику управления МДП транзистора с индуцированным каналом

    9. Изобразите характеристику управления МДП транзистора со встроенным каналом

12. Тиристоры

    1. Нарисуйте структуру тиристора (тринистора), обозначьте электроды

    2. Нарисуйте прямую ВАХ тиристора

    3. Что нужно сделать, чтобы а) открыть; б) закрыть тиристор (Нарисуйте условное обозначение тиристора и обозначьте электроды).

    4. Нарисуйте эквивалентную схему тиристора в виде двух транзисторов

    5. Принцип действия и условное графическое изображение динистора

    6. Изобразите ВАХ симистора

    7. Процесс выключения тиристора подачей на него обратного напряжения (изобразите диаграмму тока)

13. Светоизлучающие диоды (СИД)

    1. Напишите формулу для нахождения длинны волны фотона, излученного светодиодом

    2. Излучательная рекомбинация

    3. Структура и принцип действия светоизлучающего диода

    4. Нарисуйте спектральную характеристику светодиода

14. Фотоэлементы

    1. Устройство и принцип действия фоторезистора

    2. Структура и принцип действия фотодиода в фотодиодном режиме

    3. Структура и принцип действия фотодиода в фотогальваническом режиме

    4. ВАХ фотодиода (обозначить на них фотодиодный и фотогальванические режимы и темновой ток)

    5. Нарисуйте схему включения фотодиода в фотодиодном режиме (обозначте полярность)

    6. Нарисуйте схему включения фотодиода в фотогальваническом режиме (обозначте полярность)

    7. Структура фототранзистора. Чем он отличается от обычного биполярного.

    8. Нарисуйте выходную характеристику фототранзистора

    9. Структура фототиристора. Чем он отличается от обычного тиристора.

    10. Что такое оптрон, оптопара. Изобразите структурную схему оптопары.

    11. Нарисуйте схематическое изображение диодной и трарзисторной оптопар

15. Усилители

    1. Что такое точка покоя, напряжение и ток смещения

    2. Изобразите нагрузочные линии для постоянного и переменного режимов. какая точка для них является общей.

16. Усилители

    1. Сквозная характеристика усилителя (что это такое, изобразите)

17. ОС, режимы

    1. Изобразите структурную схему усилителя с ОС. Чем отличается ООС от ПОС и как они влияют на результирующий коэффициент усиления

    2. Способы подключения ОС к выходу усилителя (изобразите и опишите, схему для комбинированного способа рисовать не обязательно)

    3. Способы подключения ОС ко входу усилителя (изобразите и опишите, схему для комбинированного способа рисовать не обязательно)

    4. Режим работы транзистора А. (Опишите и изобразите импульс напряжения на входной ВАХ для режима А)

    5. Режим работы транзистора В. (Опишите и изобразите импульс напряжения на входной ВАХ для режима В)

18. ОУ

    1. Изобразите инвертирующий усилитель на ОУ, чему равен его коэф. усиления

    2. Изобразите неинвертирующий усилитель на ОУ, чему равен его коэф. усиления

    3. Изобразите интегратор на ОУ, чему равно его выходное напряжение

    4. Изобразите дифференциатор на ОУ, чему равно его выходное напряжение