Карякин методичка для лб
.pdfИнформационные технологии анализа и синтеза ГВВ
Модель VBIC транзистора технологии BJT в инструментальной среде AWR MWO
(см. Help MWO)
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
080 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|
Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ
Биполярный транзистор HBT на гетеропереходах, обладает рядом преимуществ по сравнению биполярным плоскостным транзистором BJT.
Модель Анхольта биполярного транзистора технологии HBT
(см. Help MWO)
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
081 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|
Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ
Комбинация широкозонного эмиттера и узкозонной базы, малая толщина базы и высокая подвижность электронов в транзисторах технологии HBT обуславливают хорошие высокочастотные характеристики.
В настоящее время область применения биполярных транзисторов разнообразна – мощные высокочастотные (ВЧ) усилители и автогенераторы в передающих устройствах, малошумящие усилители приемников, широкополосные усилители для мобильных беспроводных систем связи и т.д.
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
082 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|
Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ
Модели полевых транзисторов
В базе данных инструментальной среды проектирования AWR MWO имеются сведения о моделях следующих полевых транзисторов:
-с управляющим переходом JFET (junction field-effect transistor);
-на основе перехода металл-полупроводник (полевой транзистор с затвором на основе барьера Шотки) MESFET (metal semiconductor field-effect transistor);
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
083 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|
Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ
-на основе перехода металл-оксид-полупроводник, МОП-
транзистор MOSFET (metal-oxide semiconductor field effect transistor);
-с высокой подвижностью электронов HEMT (high electron mobility transistor);
-на гетероструктурах HFET (heterostructure field-effect transistor).
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
084 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|
Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ
JFET - полевой транзистор с управляющим переходом является самым простым и дешевым прибором.
Транзисторы JFET находят применение на частотах до нескольких сотен МГц.
Подача смещения между затвором и стоком приводит к изменению размера области пространственного заряда перехода затвор-канал (управляющий p-n переход). При этом изменяется сечение проводящего канала для носителей заряда, соответственно, изменяется проводимость канала.
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
085 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|
Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ
Модель полевого транзистора технологии JFET в инструментальной среде AWR MWO
(см. Help MWO)
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
086 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|
Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ
MESFET - полевой транзистор на основе перехода металлполупроводник (полевой транзистор с затвором на основе барьера Шотки).
Технология изготовления барьера Шотки позволяет уменьшать межэлектродные расстояния вплоть до субмикронных размеров, что позволяет существенно повысить граничную частоту усиления.
Мощные полевые транзисторы с барьером Шотки превосходят биполярные транзисторы по уровню мощности и КПД на высоких частотах.
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
087 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|
Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ
Модель полевого транзистора технологии MESFET в
инструментальной среде AWR MWO
(см. Help MWO)
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
088 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|
Информационные технологии анализа и синтеза ГВВ
MOSFET - полевой транзистор на основе перехода металл- оксид-полупроводник (МОП-транзистор).
МОП структура, наиболее широко используемая технология производства транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделенных слоем оксида SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). Вся современная цифровая техника основана на транзисторах, созданных по технологии МДП.
В передатчиках МДП-транзисторы находят применение при построении автогенераторов и усилителей мощности.
Карякин В.Л. Информационные технологии анализа и синтеза |
089 |
РТ, ТВ и Т устройств |
|