Воробьёв Е.П.Интегральные микросхемы производства СССР и их зарубежные аналоги.1990

Е.П.Воробьев, К.В.Сенин


ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ПРОИЗВОДСТВА СССР И ИХ ЗАРУБЕЖНЫЕ АНАЛОГИ



СОДЕРЖАНИЕ:

Список сокращений.

1. Условные обозначения интегральных микросхем и их корпусов.

1.1. Условные обозначения интегральных микросхем производства СССР.

1.2. Условные обозначения интегральных микросхем производства
капиталистических стран.

1.3. Условные обозначения интегральных микросхем производства стран-
членов СЭВ.

1.4. Корпуса интегральных микросхем.

2. Интегральные микросхемы производства СССР.

2.1. Интегральные микросхемы производства СССР и их аналоги.

2.2. Интегральные микросхемы производства капиталистических стран и их
аналоги производства СССР.

2.3. Функциональное назначение интегральных микросхем производства СССР.

2.4. Интегральные микросхемы ТТЛ серий производства СССР и их аналоги
производства капиталистических стран.

2.4. Интегральные микросхемы ТТЛ серий производства капиталистических
стран и их аналоги производства СССР.

3. Интегральные микросхемы производства стран-членов СЭВ и их аналоги.

3.1. Интегральные микросхемы производства стран-членов СЭВ и их аналоги
производства капиталистических стран, а также производства СССР.

3.2. Интегральные микросхемы производства стран-членов СЭВ.

3.3. Интегральные микросхемы производства СССР и их аналоги производства
стран-членов СЭВ.

3.3. Интегральные микросхемы производства капиталистических стран и их
аналоги производства стран-членов СЭВ.





СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ:

АЛУ - арифметико-логическое устройство
АМ - амплитудная модуляция, амплитудно-модулированный
АПЧ - автоматическая подстройка частоты
АПЧиФ - автоматическая подстройка частоты и фазы
АРУ - автоматическая регулировка усиления
АРУЗ - автоматическая регулировка уровня записи
АЦП - аналого-цифровой преобразователь
АЧХ - амплитудно-частотная характеристика
БИС - большая интегральная схема
ВПЛ - высокопороговая логика
ВЧ - высокая частота, высокочастотный
ДМОП - диффузионная МОП-структура
ДТЛ - диодно-транзисторная логика
ЖКИ - жидкокристаллический индикатор
ЗУ - запоминающее устройство
ИКМ - импульсно-кодовая модуляция
ИИЛ - интегральная инжекционная логика
ИС - интегральная микросхема
КЗ - короткое замыкание
КМОП - комплементарная МОП-структура
МОП - структура металл-окисел-полупроводник
МНОП - структура металл-нитрид-окисел-полупроводник
МПН - микропроцессорный набор
НГМД - накопитель на гибком магнитном диске
НМД - накопитель на магнитном диске
НМЛ - накопитель на магнитной ленте
НЧ - низкая частота
ОЗУ - оперативное запоминающее устройство
ОК - открытый коллектор
ОУ - операционный усилитель
ОЭ - общий эмиттер
ПЗС - прибор с зарядовой связью
ПЗУ - постоянное запоминающее устройство
ПЛМ - программируемая логическая матрица
ППЗУ - перепрограммируемое ПЗУ
ПЧ - промежуточная частота
ПЭВМ - персональная ЭВМ
РЭА - радиоэлектронная аппаратура
СДИ - светодиодный индикатор
ТС - три состояния
ТТЛ - транзисторно-транзисторная логика
ТТЛШ - транзисторно-транзисторная логика с диодами Шотки
УВЧ - усилитель высокой частоты
УЗЧ - усилитель звуковой частоты
УКВ - ультракороткие волны, ультракоротковолновый
УНЧ - усилитель низкой частоты
УПЧ - усилитель промежуточной частоты
УПЧЗ - усилитель промежуточной частоты звука
УПЧИ - усилитель промежуточной частоты изображения
УРЧ - усилитель радиочастоты
УФ - ультрафиолетовый
ЦАП - цифро-аналоговый преобразователь
ЦПОС - центральный процессор обработки сигналов
ЧМ - частотная модуляция, частотно-модулированный
ЭКВМ - электронная клавишная вычислительная машина
ЭМИ - электромузыкальный инструмент
ЭППЗУ - ППЗУ с электрическим стиранием информации
ЭСЛ - эмиттерно-связанная логика
n-МОП - МОП-структура с каналом n-типа
p-МНОП - МНОП-структура с каналом p-типа
p-МОП - МОП-структура с каналом p-типа


1. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ИХ КОРПУСОВ

1.1. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРОИЗВОДСТВА СССР

Условное обозначение ИС производства СССР представляет собой
цифро-буквенный код, содержащий информацию о функциональном назначении
микросхемы, числе подобных типов и типономиналов ИС в серии, номере серии,
технологии изготовления, материале и корпусе, и состоит из следующих
частей :
1. Буквенный префикс, первая буква которого К обозначает ИС широкого
применения, а вторая - материал и тип корпуса или его отсутствие :
А - пластмассовый типа 4;
Б - бескорпусная ИС (в конце условного обозначения ИС через дефис
добавляется цифра от 1 до 5, указывающая на конструктивное
исполнение бескорпусной ИС);
Е - металлополимерный типа 2;
И - стеклокерамический типа 4;
М - керамический, металлокерамический типа 2;
Н - керамический микрокорпус;
Р - пластмассовый типа 2;
С - стеклокерамический типа 2;
Ф - пластмассовый микрокорпус.
Вторая буква в префиксе может отсутствовать. Типы и типоразмеры
корпусов ИС приведены в ГОСТ 17467-79.
2. Трех-четырехзначное число, первая цифра которого обозначает
конструктивно-технологическое исполнение ИС (например, 1 и 5 -
полупроводниковые, 2 - гибридные), остальные - условный порядковый
номер серии.
3. Двухбуквенный индекс, первая буква которого обозначает подгруппу, а
вторая - вид ИС по их функциональному назначению. Индексы и
соответствующее им функциональное назначение ИС приведены в таблице
1.1.
4. Одно-, двух- или трехзначный условный номер ИС в данной серии по
функциональному признаку.
Иногда после условного номера добавляется буквенное обозначение,
характеризующее эксплуатационные параметры ИС.

Таблица 1.1
______ _________________________________________________________________
| | |
|Индекс| Функциональное назначение |
|______|_________________________________________________________________|
| | |
| | Генераторы : |
| ГС | гармонические сигналов |
| ГГ | прямоугольных сигналов (мультивибраторы, блокинг-генераторы) |
| ГЛ | линейно-изменяющихся сигналов |
| ГФ | сигналов специальной формы |
| ГМ | шума |
| ГП | прочие |
| | Фоточувствительные схемы с зарядовой связью : |
| ЦМ | матричные |
| ЦЛ | линейные |
| ЦП | прочие |
| | Детекторы : |
| ДА | амплитудные |
| ДИ | импульсные |
| ДС | частотные |
| ДФ | фазовые |
| ДП | прочие |
| | Коммутаторы и ключи : |
| КТ | тока |
| КН | напряжения |
| КП | прочие |
| | Логические элементы : |
| ЛИ | элементы И |
| ЛН | элементы НЕ |
| ЛЛ | элементы ИЛИ |
| ЛА | элементы И-НЕ |
| ЛЕ | элементы ИЛИ-НЕ |
| ЛС | элементы И-ИЛИ |
| ЛБ | элементы И-НЕ/ИЛИ-НЕ |
| ЛР | элементы И-ИЛИ-НЕ |
| ЛК | элементы И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ |
| ЛМ | элементы ИЛИ-НЕ/ИЛИ |
| ЛД | расширители |
| ЛП | прочие |
| | Многофункциональные схемы : |
| ХА | аналоговые |
| ХЛ | цифровые |
| ХК | комбинированные |
| ХМ | цифровые матрицы (в том числе программируемые) |
| ХН | аналоговые матрицы |
| ХТ | комбинированные матрицы |
| ХП | прочие |
| | Модуляторы : |
| МА | амплитудные |
| МС | частотные |
| МФ | фазовые |
| МИ | импульсные |
| МП | прочие |
| | Наборы элементов : |
| НД | диодов |
| НТ | транзисторов |
| НР | резисторов |
| НЕ | конденсаторов |
| НК | комбинированные |
| НФ | функциональные |
| НП | прочие |
| | Преобразователи сигналов : |
| ПС | частоты (в том числе перемножители аналоговых сигналов) |
| ПД | длительности |
| ПН | напряжения (тока) |
| ПМ | мощности |
| ПУ | уровня (согласователи) |
| ПВ | аналого-цифровые |
| ПА | цифро-аналоговые |
| ПР | код-код |
| ПЛ | синтезаторы частоты |
| ПИ | делители частоты аналоговые |
| ПЦ | делители частоты цифровые |
| ПЕ | умножители частоты аналоговые |
| ПП | прочие |
| | Схемы вторичных источников питания : |
| ЕВ | выпрямители |
| ЕМ | преобразователи |
| ЕН | стабилизаторы напряжения непрерывные |
| ЕК | стабилизаторы напряжения импульсные |
| ЕТ | стабилизаторы тока |
| ЕУ | схемы управления импульсными стабилизаторами напряжения |
| ЕС | системы вторичных источников питания |
| ЕП | прочие |
| | Схемы задержки : |
| БМ | пассивные |
| БР | активные |
| БП | прочие |
| | Схемы сравнения : |
| СК | амплитудные (уровня сигнала) |
| СВ | временные |
| СС | частотные |
| СА | компараторы напряжения |
| СП | прочие |
| | Триггеры : |
| ТВ | универсальные (типа JK) |
| ТР | с раздельным запуском (типа RS) |
| ТМ | с задержкой (типа D) |
| ТТ | счетные (типа T) |
| ТД | динамические |
| ТЛ | Шмитта |
| ТК | комбинированные |
| ТП | прочие |
| | Усилители : |
| УВ | высокой частоты |
| УР | промежуточной частоты |
| УН | низкой частоты |
| УК | широкополосные |
| УИ | импульсных сигналов |
| УЕ | повторители |
| УЛ | считывания и воспроизведения |
| УМ | индикации |
| УТ | постоянного тока |
| УД | операционные усилители |
| УП | прочие |
| | Фильтры : |
| ФВ | верхних частот |
| ФН | нижних частот |
| ФЕ | полосовые |
| ФР | режекторные |
| ФП | прочие |
| | Формирователи : |
| АГ | импульсов прямоугольной формы |
| АФ | импульсов специальной формы |
| АА | адресных токов |
| АР | разрядных токов |
| АП | прочие |
| | Схемы запоминающих устройств : |
| РМ | матрицы ОЗУ |
| РВ | матрицы ПЗУ |
| РУ | ОЗУ |
| РТ | ПЗУ с возможностью однократного программирования |
| РЕ | ПЗУ масочные |
| РР | ЭППЗУ |
| РФ | ПЗУ с УФ-стиранием и электрической записью информации |
| РП | прочие |
| | Схемы цифровых устройств : |
| ИР | регистры |
| ИМ | сумматоры |
| ИЛ | полусумматоры |
| ИЕ | счетчики |
| ИВ | шифраторы |
| ИД | дешифраторы |
| ИК | комбинированные схемы |
| ИА | АЛУ |
| ИП | прочие |
| | Схемы вычислительных средств : |
| ВЕ | микроЭВМ |
| ВМ | микропроцессоры |
| ВС | микропроцессорные секции |
| ВУ | схемы микропрограммного управления |
| ВР | функциональные расширители |
| ВБ | схемы синхронизации |
| ВН | схемы управления прерыванием |
| ВВ | схемы управления вводом-выводом (схемы интерфейса) |
| ВТ | схемы управления памятью |
| ВФ | функциональные преобразователи информации |
| ВА | схемы сопряжения с магистралью |
| ВИ | времязадающие схемы |
| ВХ | микрокалькуляторы |
| ВГ | контроллеры |
| ВК | комбинированные схемы |
| ВЖ | специализированные схемы |
| ВП | прочие |
|______|_________________________________________________________________|






1.2. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ МИКРОСХЕМ ПРОИЗВОДСТВА КАПИТАЛИСТИЧЕСКИХ СТРАН

Каждая фирма-изготовитель ИС в капиталистических странах имеет свой
способ обозначения продукции. Обычно, условное обозначение ИС состоит из
префикса, указывающего на изготовителя или тип прибора, цифробуквенного
обозначения типа ИС и суффикса, уточняющего модификацию прибора, условия
эксплуатации и тип корпуса. Многие фирмы, покупая лицензию на изготовление
той или иной ИС, либо оставляют ей прежнее условное обозначение, либо
заменяют префикс фирмы, разработавшей ИС, на собственный, поэтому
однозначно определить изготовителя ИС по ее условному обозначению довольно
трудно. Однако, зная систему условных обозначений ИС различных фирм, можно
найти аналог ИС другой фирмы для имеющейся и косвенным путем получить
необходимую информацию.
В таблице 1.2 приведены условные обозначения и полные наименования фирм
капиталистических стран, встречающихся в настоящем справочнике. Системы
условных обозначений ИС, выпускаемых этими фирмами, представлены ниже :

Таблица 1.2
______ _________________________________________________________________
| | |
| Код | Полное наименование |
|______|_________________________________________________________________|
| | |
| ALGG | Telefunken Electronic GmbH |
| AMD | Advanced Micro Devices |
| AMI | American Microsystems Inc. |
| ANA | Analog Devices Inc. |
| BUB | Burr-Brown Corp. |
| DEC | Digital Equipment Corp. |
| DIO | Dionics Inc. |
| EXR | Exar Integrated Systems Inc. |
| FCAJ | Fujitsu Ltd. |
| FSC | Fairchild Instrument & Camera Corp. |
| GIC | General Instrument Corp. |
| HAS | Harris Semiconductor |
| HITJ | Hitachi Ltd. |
| INL | Intersil Inc. |
| IOS | Inmos Corp. |
| ITL | Intel Corp. |
| ITTG | ITT Semiconductors Intermetal |
| LAM | Lambda Semiconductor |
| LTI | Linear Technology Corp. |
| MAB | Mitsubishi Electric Corp. |
| MATJ | Matsushita Electronics Corp. |
| MMI | Monolithics Memories Inc. |
| MOS | Mostek Corp. |
| MOTA | Motorola Semiconductor Products Inc. |
| MTO | Monsanto Commercial Products |
| MUL | Mullard Ltg. |
| NECJ | Nippon Electric Corp. |
| NSC | National Semiconductor Corp. |
| PHIN | Phillips |
| PLSB | Plessey Semiconductors Ltd. |
| PMI | Precision Monolithics Inc. |
| RCA | RCA Corp. |
| SGL | Silicon General Inc. |
| SGS | SGS-Semiconductor Corp. |
| SIC | Signetics Corp. |
| SIEG | Siemens Aktiengesellschaft |
| SIX | Siliconix Inc. |
| SMC | Standard Microsystems Corp. |
| SONY | Sony Corp. |
| SPR | Sprague Electric Corp. |
| SSS | Sprague Solid State |
| THEF | Thomson-CSF/EFCIS |
| TII | Texas Instruments Inc. |
| TOSJ | Toshiba Corp. |
| TRW | TRW LSI Products |
| TSA | Tokyo Sanyo Electric Corp. |
| WDC | Western Digital Corp. |
| ZIL | Zilog |
|______|_________________________________________________________________|



Advanced Micro Devices

Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки AM 25 S 05 D M
Назначение и технология________| | | | |
Тип ИС________________________________| | | |
Номер прибора____________________________| | |
Корпус____________________________________________| |
Температурный диапазон______________________________|

Назначение и технология :
21 - МОП-ИС памяти
25, 54, 74 - ИС средней степени интеграции
26 - ИС интерфейсов ЭВМ
27 - биполярные ИС памяти и ПЗУ с УФ-стиранием
60, 61, 66 - аналоговые биполярные ИС
79 - ИС для устройств связи
80 - МОП-микропроцессоры
81, 82 - МОП- и биполярные периферийные ИС
90, 92, 94 - МОП-ИС
91 - МОП-ОЗУ
93 - биполярные ИС - логические и памяти
95 - периферийные МОП-ИС
98 - ППЗУ с электрическим стиранием информации
99 - КМОП-ИС памяти
104, 1004 - ЭСЛ-ИС памяти

Тип ИС :
отсутствие знака - стандартные
L - с пониженной потребляемой мощностью
S - с диодами Шотки
LS - с диодами Шотки и пониженной потребляемой мощностью

Корпус :
D - пластмассовый герметичный DIL
F - плоский
L - безвыводной кристаллодержатель
P - формованный пластмассовый
X - кристалл

Температурный диапазон :
C - коммерческий
M - военный



American Microsystems Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки S 2561 P
Корпус_____________________________________________|

Префикс :
S - стандартная серия

Корпус :
C - керамический
E - керамический DIL
P - пластмассовый
После обозначения корпуса возможно указание числа выводов



Analog Devices Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки A D 7520 A J N
Общая информация_________________________________| | |
Температурный диапазон_____________________________| |
Корпус_______________________________________________|

Префикс :
AD - аналоговые приборы
HA - гибридные АЦП
HD - гибридные ЦАП

Обозначение :
условный номер прибора, содержащий три или четыре цифры

Общая (дополнительная) информация :
A, B, C - промышленный (-25... +85C)
I, J, K, L, M - коммерческие (0...+70C)
S, T, U - военный (-55...+125C)

Корпус :
D - керамический или металлокерамический герметичный DIL
E - безвыводной кристалл
F - керамический плоский
G - с матричным расположением выводов
H - металлический герметизированный
M - металлический герметизированный DIL
N - пластмассовый DIL
Q - керамический DIL
CHIPS - кристаллы на пластине



Burr-Brown Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки ADC 803 A K P Q
Модификация_____________________________________| | | |
Температурный диапазон____________________________| | |
Корпус______________________________________________| |
Отработка_____________________________________________|

Префикс :
ADC - АЦП
DAC - ЦАП
OPA - усилители, умножители
VFC - преобразователи частота-напряжение

Модификация :
A - улучшенный вариант
L - снабженный D-триггерами-защелками
Z - напряжение питания +12, -12В
HT - широкий температурный диапазон

Температурный диапазон :
A, B, C - промышленный (-25...+85С)
H, J, K, L - коммерческий (0...+70C)
R, S, T, V - военный (-55...+125C)

Корпус :
G - керамический
H - керамический герметичный
L - безвыводной кристаллодержатель
M - металлический герметичный
P - формованный пластмассовый

Отработка :
IQM - в соответствии с военным стандартом MIL-STD-883
Q - повышенная надежность



Fujitsu Ltd.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M B 8116 L P
Модификация_______________________________________| |
Корпус______________________________________________|

Префикс :
MB - микроблок
MBM - микроблок модифицированный

Модификация :
L - с пониженной потребляемой мощностью

Корпус :
C - керамический
P - пластмассовый
Z - керамический DIL



Fairchild Instrument & Camera Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки m A 7 4 1 A H M
Электрические параметры__________________________| | |
Корпус_____________________________________________| |
Температурный диапазон_______________________________|

Префикс :
F - ИС производства фирмы Fairchild
SH - гибридные ИС
mA - линейные ИС

Электрические параметры :
использование необязательно

Корпус :
D - керамический герметизированный DIL
E - пластмассовый транзистороподобный
F - плоский герметизированный
H - металлический транзистороподобный
J - металлический для больших мощностей типа T060
K - металлический для больших мощностей типа T03
P - пластмассовый формованный DIL
R - 8-выводной керамический герметизированный мини-DIL
S - керамический DIL для ИС серии F6800
T - 8-выводной литой пластмассовый DIL
U - типа T0220 для больших мощностей
W - пластмассовый типа T092

Температурный диапазон :
C - коммерческий (0...+70C)
M - военный (-55...+125C)
V - промышленный (-25...+85C)



General Instrument Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки AY-5 9151 A
Назначение___________________| | |
Температурный диапазон_________| |
Корпус_____________________________________________|

Назначение :
AY - матричные ИС
ER - ППЗУ с электрическим стиранием информации
KB - интерфейсы - шифраторы клавиатуры
LA - логические матричные ИС
PIC - микропроцессоры, микроЭВМ
RA - ОЗУ
RO - ПЗУ
SP - ИС для синтезаторов речи
SPR - ПЗУ для синтезаторов речи

Температурный диапазон :
1 - 0....+70C
2, 3 - -55...+125C
4, 5 - -40....+85C
6 - -40...+110C



Harris Semiconductor
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки HA 1 2425 A S
Назначение___________________| | | |
Корпус_________________________| | |
Модификация_______________________________________| |
Температурный диапазон______________________________|

Назначение :
C - ИС систем связи
D - цифровые ИС
HA - аналоговые ИС
I - интерфейсы
M - ИС памяти
PC - программируемая логика
S - КМОП-ИС
V - высоковольтные ИС
Y - многокристальные ИС

Корпус :
0 - бескорпусной
1 - керамический DIL
1B - герметизация пайкой
2 - металлостеклянный цилиндрический типа T05
3 - пластмассовый DIL
4 - безвыводной кристаллодержатель
4P - пластмассовый кристаллодержатель с выводами
5 - керамическая подложка
7 - мини-DIL
9 - плоский


Обозначение :
0xxx - диодные матрицы
61xx - микропроцессоры
63xx - КМОП-ПЗУ
64xx - КМОП-интерфейсы
65xx - КМОП-ОЗУ
6600 - мощные импульсные ИС
66xx - КМОП-ПЗУ
76xx - КМОП-ППЗУ с УФ-стиранием
77xx - ПЛМ

Модификация :
отсутствие буквы - стандартная ИС
для КМОП ИС
A - напряжение питания 10В
B - низкая потребляемая мощность, высокая рабочая частота
D - для коммерческого потребления
для биполярных ИС
A - усовершенствованный тип, два уровня металлизации
P - пониженная потребляемая мощность
R - выход-защелка
RP - пониженная потребляемая мощность, выход-защелка

Температурный диапазон, отработка :
1 - -55...+200C
2 - -55...+125C
4 - -25....+85C
5 - 0....+70C
6 - 100%-ная проверка кристаллов при 25C
7 - высокая надежность
8 - высокая надежность, термотренировка
9 - -40....+85C
9+ - -40....+85C, термотренировка
RH - повышенная радиационная стойкость



ИС серии 8xCxx
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M D 82C59A-5 /B
Температурный диапазон______| | | |
Корпус________________________| | |
Рабочая частота____________________________| |
Отработка__________________________________________|

Температурный диапазон :
С - коммерческий (0...+70C)
I - промышленный (-40...+85C)
M - военный (-55...+125C)
X - -25C

Корпус :
D - керамический DIL
P - пластмассовый
R - безвыводной кристаллодержатель
S - пластмассовый кристаллодержатель с выводами
X - бескорпусной

Обозначение :
80Cxx - микропроцессоры
82Cxx - периферийные ИС

Рабочая частота :
для микропроцессоров
2 - 8МГц
отсутствие - 5МГц
для периферийных ИС
5 - 5МГц
отсутствие - 8Мгц

Отработка :
8 - повышенная надежность, термотренировка
+ - промышленный температурный диапазон, термотренировка
883 - полный цикл испытаний в соответствии с военным стандартом
MIL-STD-883



Hitachi Ltd.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки H M 427114 A P
Модификация_______________________________________| |
Корпус______________________________________________|

Префикс :
HA - аналоговые ИС
HD - цифровые ИС
HM - ОЗУ
HN - ПЗУ

Корпус :
P - пластмассовый DIL
C - керамический DIL
CG - безвыводной керамический кристаллодержатель герметизированный стеклом
CP - кристалл с выводами в пластмассовом держателе
FP - плоский пластмассовый
G - керамический DIL
PG - плоский с матричным расположением выводов
SO - малогабаритный с конфигурированными выводами
S - малогабаритный пластмассовый DIL



Inmos Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки IMS 1 4 2 0 S 45 M
Тип__________________________________| | | | | | |
Емкость памяти_________________________| | | | | |
Организация______________________________| | | | |
Разновидность______________________________| | | |
Корпус__________________________________________| | |
Быстродействие_____________________________________| |
Отработка____________________________________________|

Тип :
1 - статическое ОЗУ
2 - динамическое ОЗУ

Емкость памяти :
4 - 16К
5 - 32К
6 - 64К
и т.д.

Организация (в битах) :
0 - x1
1 - x2
2 - x4
и т.д.

Разновидность :
0 - стандартные ИС
1 - дополнительные функции

Корпус :
P - пластмассовый DIL
S - керамический DIL
W - керамический кристаллодержатель

Быстродействие (время выборки):
45 - 45нс
55 - 55нс
12 - 120нс
14 - 140нс
и т.д.

Отработка :
отсутствие знака - коммерческое применение
E - расширенный температурный диапазон
L - пониженная потребляемая мощность
M - в соответствии с военным стандартом MIL-STD-883C



Intel Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M D 2114A L-3
Исполнение__________________| | |
Корпус________________________| |
Модификация________________________________________|

Исполнение :
I - промышленное
M - в соответствии с военным стандартом

Корпус :
B, C, D - герметичный
G - герметичный с матричным расположением выводов
J - кристаллодержатель
M - металлический
P - пластмассовый
R - безвыводной герметичный кристаллодержатель
X - бескорпусной

Модификация :
До трех знаков, указывающих на различные варианты исполнения, в том числе
потребляемую мощность, быстродействие и т.д.



Intersil Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки ICL 8 0 8 3 C C P D /HR
Назначение____________________| | | | | |
Электрические параметры________________________| | | | |
Температурный диапазон___________________________| | | |
Корпус_____________________________________________| | |
Число выводов корпуса________________________________| |
Отбраковка_______________________________________________|

Назначение :
AD - ИС разработки фирмы Analog Devices Inc.
D - преобразователи уровня
DG - гибридные аналоговые переключатели разработки фирмы Siliconix Inc.
DGM - монолитные ИС, разработанные для замены гибридных аналоговых
переключателей типа DG
ICH - гибридные ИС
ICL - аналоговые ИС
ICM - периферийные ИС
IM - контроллеры
LH - гибридные ИС разработки фирмы National Semiconductor Corp.
LM - ИС разработки фирмы National Semiconductor Corp.
MM - высоковольтные аналоговые переключатели
NE, SE - ИС разработки фирмы Signetics Corp.

Электрические параметры :
дополнительно до двух знаков

Температурный диапазон :
для ИС типа D и DG
A - -55...+125C
B - -20....+85C
C - 0....+70C
для остальных типов ИС
C - 0....+70C
I - -20....+85C
M - -55...+125C

Корпус :
A - транзисторный типа T0237
B - пластмассовый плоский
C - транзисторный типа T0220
D - керамический DIL
E - транзисторный типа T08
F - керамический плоский
H - транзисторный типа T066
I - 16-выводной герметичный гибридный DIL
J - керамический DIL
K - транзисторный типа T03
L - керамический безвыводной
P - пластмассовый DIL
S - транзисторный типа T052
T - транзисторный типа T05
U - транзисторный типа T072
V - транзисторный типа T039
Z - транзисторный типа T092
/D - разрезанные кристаллы
/W - кристаллы на пластине

Число выводов корпуса :
A - 8 B - 10 C - 12 D - 14 E - 16 F - 22 G - 24 H - 42
I - 28 J - 32 K - 35 L - 40 M - 48 N - 18 P - 20 Q - 2
R - 3 S - 4 T - 6 U - 7 V - 8 W - 10 Y - 8 Z - 10

Отбраковка :
/883B - в соответствии с военным стандартом MIL-STD-883B
/BI - термотренировка в процессе производства
/BR - недорогие высоконадежные ИС
/HR - высоконадежные ИС



ITT Semicondustors Intermetal

Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro Electron.



Lambda Semiconductor
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки LAS 1 4 12
Назначение____________________| |
Напряжение_________________________________________|

Назначение :
L - регулятор напряжения
LAS - регулятор
PMR - двойной выпрямитель



Linear Technology Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки LT 1001A C N
Температурный диапазон____________________________| |
Корпус______________________________________________|

Префикс :
LT - ИС разработки фирмы Linear Technology Corp.
LF, LH, LM - ИС разработки фирмы National Semiconductor Corp.
OP - ИС разработки фирмы Precision Monolithics Inc.
SG - ИС разработки фирмы Silicon General Inc.
UC - ИС разработки фирмы Unitrode

Температурный диапазон :
C - коммерческий (0...+70C)
M - военный (-55...+125C)

Корпус :
H - транзисторный типа T05, T046
J - 14-, 16-, 18-выводной керамический DIL
JB - 8-выводной керамический DIL
K - металлический транзисторный типа T03
N - 14-, 16-, 18-выводной формованный DIL
N8 - 8-выводной формованный DIL
S8 - 8-выводной пластмассовый плоский
T - 3-, 5-выводной формованный транзисторный типа T0220
Z - 2-, 3-выводной формованный транзисторный типа T092



Matsushita Electronics Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки D N 74LS00
Префикс :
AN - аналоговые ИС
DN - цифровые биполярные ИС
NN - МОП-ИС



Mitsubishi Electric Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M 5 89 81 S-45
Обозначение фирмы___________| | | | | |
Температурный диапазон________| | | | |
Назначение и технология________________| | | |
Номер_____________________________________| | |
Корпус___________________________________________| |
Электрические параметры_____________________________|

Температурный диапазон :
5 - промышленно-коммерческий (-20...+75C)
9 - высоконадежные ИС

Назначение и технология :
01...09 - КМОП
1 - аналоговые ИС
3 - ТТЛ
10...19 - аналоговые ИС
32, 33 - ТТЛ (эквивалент серии SN74 фирмы Texas Instruments Inc.)
41...47 - ТТЛ
48, 49 - ИИЛ
84 - КМОП
85 - p-МОП с кремниевым затвором
86 - p-МОП с алюминиевым затвором
87 - n-МОП с кремниевым затвором
88 - n-МОП с алюминиевым затвором
89 - КМОП
9 - ДТЛ
S0...S2 - ТТЛ с диодами Шотки (эквивалент серии SN74S фирмы Texas
Instruments Inc.)

Номер :
Две цифры условного номера ИС

Корпус :
B - керамический с герметизацией пластмассой
F - пластмассовый плоский
K - керамический с герметизацией стеклом
L - пластмассовый с однорядным расположением выводов
P - пластмассовый DIL
S - металлокерамический
SP - пластмассовый малогабаритный DIL
T - металлостеклянный цилиндрический типа T05
Y - металлический типа T03

Для обозначения ИС других фирм применяется цифровое обозначение
фирмы-разработчика, перед которым добавляется буква, указывающая на эту
фирму :
C - серия MC фирмы Motorola Semiconductor Products Inc.
G - ИС разработки фирмы General Instrument Corp.
K - серия MK фирмы Mostek Corp.
L - ИС разработки фирмы Intel Corp.
T - серия TMS фирмы Texas Instruments Inc.
W - ИС разработки фирмы Western Digital Corp.



Monolithics Memories Inc.
Логические матрицы
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки PAL 14 L 4 M J 883B
Назначение____________________| | | | | | |
Число входов матрицы________________| | | | | |
Тип выходов___________________________| | | | |
Число выходов___________________________| | | |
Температурный диапазон____________________| | |
Корпус______________________________________| |
Отбраковка_________________________________________|

Назначение :
HAL - запрограммированные логические матрицы
PAL - ПЛМ

Тип выходов :
A - регистровый арифметический
C - комплементарный
H - активный высокий
L - активный низкий
R - регистровый
X - закрытый или регистровый

Температурный диапазон :
C - коммерческий
N - военный

Корпус :
J - керамический DIL
N - пластмассовый DIL

Отбраковка :
883B - согласно военному стандарту MIL-STD-883B, метод 5004 и 5005,
уровень B
883C - согласно военному стандарту MIL-STD-883B, метод 5004 и 5005,
уровень С

Цифровые ИС
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки S N 54 LS 373 J 883B
Температурный диапазон______________| | | |
Серия__________________________________| | |
Корпус_______________________________________| |
Отбраковка_________________________________________|

Температурный диапазон :
54 - военный
74 - коммерческий

Серия :
LS - с диодами Шотки и пониженной потребляемой мощностью
S - с диодами Шотки

Корпус :
D - керамический DIL с паяной крышкой
F - плоский
J - широкий керамический DIL
JS - керамический DIL
L - безвыводной
N - широкий пластмассовый DIL
NS - пластмассовый DIL
T - керамический DIL с паяной крышкой

Отбраковка :
аналогично маркировке логических матриц

ПЗУ и ППЗУ
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки 5 341 - I J 883B
Температурный диапазон_______| | | | |
Тип ИС________________________________| | | |
Серия_____________________________________| | |
Корпус______________________________________| |
Отбраковка_________________________________________|

Температурный диапазон :
5 - военный
6 - коммерческий

Тип ИС
0 - генераторы символов с ОК
1 - генераторы символов с ТС
2 - ПЗУ
3 - ППЗУ

Серия :
1 - ППЗУ с диодами Шотки
2 - улучшенные параметры

Тип корпуса и отбраковка - аналогично маркировке цифровых ИС

Высокоэффективные ППЗУ
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки 5 3 S 2 4 0 A J 883B
Температурный диапазон_______| | | | | | | | |
Тип ИС____________________________| | | | | | | |
Серия_______________________________| | | | | | |
Емкость памяти________________________| | | | | |
Разрядность выходов_____________________| | | | |
Тип выходов_______________________________| | | |
Работоспособность___________________________| | |
Корпус________________________________________| |
Отбраковка_________________________________________|

Температурный диапазон, тип ИС, тип корпуса и отбраковка - аналогично
маркировке ПЗУ и ППЗУ

Серия :
DA - с диагностикой
LS - с диодами Шотки и пониженной потребляемой мощностью
RA - с регистрами
S - с диодами Шотки

Емкость памяти :
0 - 256бит
1 - 1024бит (1К)
2 - 2К
4 - 4К
и т.д.

Разрядность выходов :
4 - 4бит
8 - 8бит

Тип выходов :
0 - ОК
1 - ТС
3 - два состояния

Работоспособность :
отсутствие знака - стандартная
A - повышенная



Mostek Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M K 4027 J - 3
Корпус___________________________________________| |
Модификация__________________________________________|

Префикс :
MK - стандартный
MKB - отбраковка согласно военному стандарту MIL-STD-883, уровень B для
расширенного диапазона температур
MKI - отбраковка для промышленного диапазона температур (-40...+85C)

Обозначение :
1xxx или 1xxxx - сдвиговые регистры и ПЗУ
2xxx или 2xxxx - ПЗУ, ЭППЗУ
3xxx или 3xxxx - ПЗУ, ЭППЗУ
38xx - компоненты микроЭВМ
4xxx или 4xxxx - ОЗУ
5xxx или 5xxxx - счетчики, ИС систем связи и промышленного применения
7xxx или 7xxxx - ИС для микроЭВМ

Корпус :
D - для ОЗУ большой емкости
E - керамический безвыводной кристаллодержатель
F - плоский
J - керамический DIL
K - керамический DIL, пайка оловом
N - пластмассовый DIL
P - керамический DIL, пайка золотом
T - керамический DIL с прозрачной крышкой

Модификация :
одна или две цифры, характеризующие особенности работы ИС



Motorola Semiconductor Products Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки M С 1458 P
Корпус_____________________________________________|

Префикс :
MC - ИС в корпусе
MCC - бескорпусной кристалл
MCH - гибридные ИС в герметичном корпусе
MCM - ИС памяти
MCP - гибридные ИС в пластмассовом корпусе
MLM - аналог ИС фирмы National Semiconductor Corp.
MMS - системы памяти

Обозначение :
после цифрового индекса ИС может быть буква, указывающая на отличие по
характеристикам

Корпус :
F - керамический плоский
G - металлостеклянный цилиндрический типа T05
K - металлический для больших мощностей типа T03
L - керамический DIL
P - пластмассовый
PQ - пластмассовый с четырехрядным расположением выводов
R - металлический для больших мощностей типа T066
T - пластмассовый типа T0220
U - керамический



Mullard Ltd.

Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro Electron.



National Semiconductor Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки L M 301A N
Назначение и технология______| |
Корпус_____________________________________________|

Назначение и технология :
ADC - АЦП
AF - активные фильтры
AH - аналоговые переключатели (гибридные)
CD - КМОП (только серия 4000)
COP - микроконтроллеры
DAC - ЦАП
DH - цифровые гибридные ИС
DM - цифровые монолитные ИС
DP - интерфейсы (микропроцессоры)
DS - интерфейсы
HS - гибридные ИС
IDM - микропроцессоры серии 2901
INS - микропроцессоры серий 4004 и 8080A
LF - аналоговые биполярные и КМОП-ИС
LH - аналоговые гибридные ИС
LM - аналоговые монолитные ИС
LMC - аналоговые монолитные КМОП-ИС
LP - аналоговые с малой потребляемой мощностью
MCA - матрицы логические
MM - КМОП
NMC - МОП-ИС памяти
NS - микропроцессорные компоненты (ИС памяти)
NS32- микропроцессорные компоненты серии 32000
NSC - микропроцессоры серии 800
PAL - ПЛМ
PL - программируемая логика
SCX - матрицы логические
SD - специальные цифровые ИС
SL - специальные аналоговые ИС
SM - специальные МОП-ИС
SN - цифровые ИС разработки других фирм

Обозначение :
Номер конкретной ИС состоит из трех-пяти цифр, может быть дополнен
следующими буквами :
A - улучшенные электрические характеристики
C - коммерческий диапазон температур (для ИС разработки других фирм)

Для аналоговых ИС собственной разработки первая цифра в обозначении
указывает на температурный диапазон :
1 - военный (-55...+125C)
2 - промышленный (-25...+85C)
3 - коммерческий (0...+70C)
Таким образом, обозначения LM101, LM201, LM301 принадлежат
схемотехнически тождественным ИС, отличающимся допустимым температурным
диапазоном и в некоторой степени электрическими параметрами. Исключение из
этого правила - ИС серии LM1800, некоторые гибридные ИС с дополнительной
буквой C в обозначении и ИС разработки других фирм, сохраняющие
оригинальное обозначение.
Для цифровых ИС применяются следующие обозначения диапазона
температур: Серия CDxxxx, дополнительное обозначение в суффиксе :
C - -40....+85C
M - -55...+125C
Серия DM54xx - все ИС, обозначение которых начинается с цифры 5, имеют
температурный диапазон -55...+125C
Серия DM74xx - все ИС, обозначение которых начинается с цифр 74, имеют
температурный диапазон 0...+70C
Серия DM7xxx - все остальные ИС, обозначение которых начинается с цифры
7, имеют температурный диапазон -55...+125C
Серия DM8xxx - все ИС, обозначение которых начинается с цифры 8, имеют
температурный диапазон 0...+70C.

Корпус :
D - металлостеклянный DIL
F - металлостеклянный плоский
H - металлостеклянный цилиндрический типа T05 (T099, T0100, T046)
J - стеклянный DIL
K - металлический (стальной) для больших мощностей типа T03
KC - металлический (алюминиевый) для больших мощностей типа T03
N - пластмассовый DIL
P - транзисторный типа T0202
S - DIL для мощных ИС
T - транзисторный типа T0220
W - стеклянный плоский
Z - транзисторный типа T092




Nippon Electric Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки mPD 7220 D
Назначение и технология_______| |
Корпус_____________________________________________|

Назначение и технология :
A - совмещенная технология
B - цифровые биполярные ИС
C - аналоговые биполярные ИС
D - цифровые КМОП-ИС

Корпус :
A - металлостеклянный цилиндрический типа T05
B - керамический плоский
C - пластмассовый DIL
D - керамический DIL
G - пластмассовый плоский
H - пластмассовый с однорядным расположением выводов
J - пластмассовый типа T092
K - керамический безвыводной кристаллодержатель
L - пластмассовый безвыводной кристаллодержатель
V - вертикальный DIL



Phillips
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки MA B 5400 A DP
Назначение и технология_____| | | |
Температурный диапазон________| | |
Версия___________________________________________| |
Корпус______________________________________________|

Назначение :
Для серий цифровых ИС - обозначение серии

Для отдельных ИС - вторая буква не несет смыслового значения за
исключением буквы H, обозначающей гибридные ИС, первая буква означает :
S - отдельные цифровые ИС
T - аналоговые ИС
U - совмещенные аналоговые и цифровые ИС

Для микропроцессоров :
MA - процессоры
MB - микропроцессорные секции
MD - управляющая память
ME - остальные периферийные ИС

Температурный диапазон :
A - иной, чем указано ниже
B - 0....+70C
C - -55...+125C
D - -25....+70C
E - -25....+85C
F - -40....+85C
G - -50....+85C

Корпус :
Первая буква обозначает тип корпуса :
C - цилиндрический
D - DIL
E - мощный DIL с креплениями для внешнего радиатора
F - плоский, выводы с двух сторон
G - плоский, выводы с четырех сторон
K - типа T03
M - многорядное расположение выводов (кроме двух-, трех-, четырехрядного)
Q - четырехрядное расположение выводов
R - четырехрядное расположение выводов с креплениями для внешнего
радиатора
S - однорядное расположение выводов
T - трехрядное расположение выводов

Вторая буква обозначает материал корпуса :
C - металлокерамический
G - стеклокерамический
M - металлический
P - пластмассовый



Plessey Semiconductors Ltd.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки SP 8735B DG
Назначение и технология_______| |
Корпус_____________________________________________|

Назначение и технология :
MJ - n-МОП
ML - аналоговые МОП-ИС с защищенным затвором
MN - цифровые МНОП-ИС
MP - цифровые МОП-ИС
MT - аналоговые МОП-ИС
MV - КМОП
NJ - n-МОП
NOM - МНОП-ИС памяти и матрицы
TAA, TBA, TCA, TDA - ИС разработки других фирм
SL - аналоговые биполярные ИС
SP - цифровые биполярные ИС

Корпус :
CM - многовыводной типа T05
DC - пластмассовый DIL
DG - керамический DIL
DP - пластмассовый DIL
EP - для мощных ИС
FM - 10-выводной плоский
GC - безвыводной кристаллодержатель
GM - 14-выводной плоский
KM - типа T03
QG - керамический с четырехрядным расположением выводов
QP - пластмассовый с четырехрядным расположением выводов
PP - DIL для мощных ИС с радиатором
SP - пластмассовый с однорядным расположением выводов



Precision Monolithics Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки DAC 0 8 BI E Q
Назначение и технология_______| | | |
Термотренировка__________________________________| | |
Электрические параметры____________________________| |
Корпус_______________________________________________|

Назначение :
ADC - АЦП
AMP - инструментальные усилители
BUF - буферы (повторители напряжения)
CMP - компараторы
DAC - ЦАП
DMX - демультиплексоры
GAP - аналоговые процессоры общего назначения
MUX - мультиплексоры
OP - ОУ
PKD - пиковые детекторы
PM - ИС разработки других фирм
REF - источники опорного напряжения
SMP - схемы выборки и хранения сигнала с усилителем
SW - аналоговые переключатели

Корпус :
H - 6-выводной типа T078
J - 8-выводной типа T099
K - 10-выводной типа T0100
P - пластмассовый DIL
Q - 16-выводной керамический DIL
R - 20-выводной керамический DIL
T - 28-выводной керамический DIL
V - 24-выводной керамический DIL
X - 18-выводной керамический DIL
Y - 14-выводной керамический DIL
Z - 8-выводной керамический DIL



Pro Electron - система обозначения Европейской ассоциации изготовителей
электронных компонентов
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TE C 1033 D
Назначение__________________| | |
Температурный диапазон________| |
Корпус_____________________________________________|

Назначение :
Первая буква :
S - цифровые ИС
T - аналоговые ИС
U - аналого-цифровые ИС

Вторая буква не несет смысловой нагрузки

Температурный диапазон :
A - иной, чем указано ниже
B - 0...+125C
C - -55...+125C
D - -25....+70C
E - -25....+85C
F - -40....+85C
G - -55....+85C

Корпус :
Первая буква обозначает форму корпуса :
C - цилиндрический
D - DIL
E - DIL для мощных ИС с выводами для радиатора
F - плоский с выводами с двух сторон
G - плоский с выводами с четырех сторон
K - типа T03
M - многорядное расположение выводов, за исключением 2-, 3- и 4-рядных
Q - четырехрядное расположение выводов
R - четырехрядное расположение выводов для мощных ИС с выводами для
радиатора
S - однорядное расположение выводов
T - трехрядное расположение выводов

Вторая буква обозначает материал корпуса :
C - металлокерамический
G - стеклокерамический
M - металлический
P - пластмассовый

Серии цифровых ИС
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки FS J 12 1
Серия_______________________| | |
Назначение____________________| |
Температурный диапазон___________________|

Серия :
две буквы FA...FZ, GA...GZ и т.д.

Назначение :
H - вентили, матрицы вентилей или подобные им ИС
J - бистабильные или мультистабильные ИС (триггеры, регистры, счетчики)
K - моностабильные ИС
L - преобразователи уровня
Y - прочие

Температурный диапазон :
1 - 0....+70C
2 - -55...+125C
6 - -40....+85C



RCA Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки CD 4070 B D
Назначение___________________| | |
Модификация_______________________________| |
Корпус_____________________________________________|

Назначение :
CA - аналоговые ИС
CD - цифровые КМОП-ИС
CDM, CDP, CMM, MWS - КМОП-БИС
LM - аналоговые ИС
PA - логические матрицы

Модификация :
A - модифицированная версия ИС, полностью заменяющая прототип
B - модифицированная версия ИС, полностью заменяющая версию A
C - модифицированная версия

Корпус :
D - керамический DIL
E - пластмассовый DIL
EM - модифицированный пластмассовый DIL с теплорастекателем
F - керамический DIL
H - кристалл
J - трехслойный керамический безвыводной кристаллодержатель
K - плоский керамический
L - однослойный керамический безвыводной кристаллодержатель
M - типа T0220
P - пластмассовый DIL с теплорастекателем
Q - пластмассовый с четырехрядным расположением выводов
QM - модифицированный пластмассовый с четырехрядным расположением выводов
S, T, V1 - типа T05
W - пластмассовый с четырехрядным зигзагообразным расположением выводов



SGS - Semiconductor Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TDA 1200

Префикс :
Определяется в соответствии с системой обозначения Pro Electron :
H - высокоуровневая логика
HB, HC - КМОП-ИС
L, LS - профессиональные аналоговые ИС
M - МОП-ИС
TAA, TBA, TCA, TDA - аналоговые ИС для товаров широкого потребления



Siemens Aktiengessellschaft
Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro Electron.



Signetics Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки N 8x02 N
Температурный диапазон_______| |
Корпус_____________________________________________|

Температурный диапазон :
N, NE - 0....70C
S, SE - -55...125C
SA - -40....85C
SU - -25....85C
55 - -55...125C
75 - 0....70C

Для ИС разработки других фирм префикс может обозначать фирму-
разработчика, например :
AM - Advanced Micro Devices
DS - National Semiconductor Corp.
MC - Motorola Semiconductor Products Inc.
ULN - Sprague Electric Corp.
mA - Fairchild Instrument & Camera Corp.
или назначение и технологию ИС, например :
CA, DS, LF, LM, MC, OM, SG, TAA, TCA, TDA, TDB, TEA, UA - аналоговые ИС
DAC - ЦАП
HEF, MB, MJ, PCD, PCE - КМОП
SAA, SAB, SAF - цифровые ИС
SCN - n-МОП-микропроцессоры
SCB - биполярные микропроцессоры
SCC - КМОП-микропроцессоры

Корпус :
D - 8-, 14-, 16-выводной миниатюрный пластмассовый DIL
EC - 4-выводной типа T046
EE - 4-выводной типа T072
F - 14-, 16-, 18-, 20-, 22-, 24-, 28-выводной керамический DIL
FE - 8-выводной керамический DIL
G - 20-, 28-, 44-выводной плоский квадратный
H - 4-, 8-, 10-выводной типа T05
I - 8-, 10-, 14-, 16-, 18-, 20-, 22-, 24-, 28-, 40-выводной керамический
DIL
K - 2-выводной типа T03
N - 8-, 14-, 16-, 18-, 20-, 22-, 24-, 28-, 40-выводной пластмассовый DIL
N14- 14-выводной пластмассовый DIL для ИС, выпускаемых как в 8-, так и в
14-выводном корпусе
Q - 10-, 14-, 16-, 24-выводной керамический плоский
R - 16-, 18-, 24-, 28-, 40-выводной плоский из бериллиевой керамики
TA - 8-выводной типа T05
U - 9-, 13-выводной с однорядным расположением выводов
Y - 24-выводной керамический квадратный плоский с выводами круглого
сечения
W - 10-, 14-, 16-, 24-выводной керамический



Silicon General Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки SG 152 A J
Модификация_______________________________| |
Корпус_____________________________________________|

Модификация :
A - улучшенные электрические характеристики
C - уменьшенный температурный диапазон

Корпус :
F - плоский металлостеклянный
J - 14-, 16-выводной керамический DIL
K - типа T03
L - безвыводной кристаллодержатель
M - 8-выводной пластмассовый DIL
N - 14-, 16-выводной пластмассовый DIL
P - пластмассовый типа T0220
R - 3-, 8-выводной типа T066
S - для мощных ИС
T - металлостеклянный типа T05
W - 16-выводной керамический DIL
Y - 8-выводной керамический DIL



Siliconix Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки DG 303 A B P
Назначение___________________| | | |
Модификация______________________________________| | |
Температурный диапазон_____________________________| |
Корпус_______________________________________________|

Назначение :
D - ИС управления МОП-ключами
DF - цифровые ИС
DG - аналоговые переключатели и мультиплексоры
L - аналоговые ИС
LD - комбинированные аналого-цифровые ИС
PWM- ИС широтно-импульсной модуляции
SD - ДМОП-ИС
SI - ИС разработки других фирм

Температурный диапазон :
A - -55...+125C
B - -20....+85C
C - 0....+70C
D - -40....+85C

Корпус :
A - металлический цилиндрический герметичный
J - пластмассовый DIL
K - керамический DIL
L - плоский
P, R - DIL, герметизированный пайкой
Y - малогабаритный с однорядным расположением выводов

Мощные МОП-ИС-коммутаторы
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки V N 6 7 A B
Вертикальный мощный МОП_____| | | | | |
Тип подложки__________________| | | | |
Напряжение коммутации__________________| | | |
Условный номер___________________________| | |
Модификация_______________________________________| |
Корпус______________________________________________|

Корпус :
A - типа T03
B - типа T039
D - типа T0220
E - типа T052
F - типа T0202
G - типа T018
J - пластмассовый DIL
L - типа T092
M - типа T0237
P - DIL, герметизированный пайкой
V - типа T0218



Sprague Electric Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки UL N 2111 A
Назначение__________________| | |
Температурный диапазон________| |
Корпус_____________________________________________|

Назначение :
UC - КМОП-ИС
UD - цифровые ИС
UG - ИС на эффекте Холла
UL - аналоговые ИС
UT - тиристорные матрицы

Температурный диапазон :
N - ограниченный (-20...+85C)
Q - промышленный (-40...+85C)
S - военный (-55...+125C)
X - ИС-полуфабрикаты

Корпус :
A - пластмассовый DIL
B, P - пластмассовый DIL с теплорастекателем
C - кристалл
CW - отбракованные кристаллы на пластине
D - 3-выводной металлический цилиндрический
E - безвыводной кристаллодержатель
H - герметичный DIL
J - 14-выводный плоский герметичный
L - пластмассовый малогабаритный
M - 8-выводной пластмассовый DIL
Q - 16-выводной пластмассовый с четырехрядным расположением выводов
R - керамический DIL
S - 4-выводной с однорядным расположением выводов
T - 3-выводной с однорядным расположением выводов
U - 3-выводной с однорядным расположением выводов, тонкий
V - типа T03
W - 12-выводной с однорядным расположением выводов
Y - типа T092
Z - 5-выводной типа T0220

Интерфейсы
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки UL P 400
Назначение-интерфейс________| |
Корпус________________________|

Корпус :
C - металлостеклянный герметичный плоский
D - металлостеклянный герметичный DIL
K - кристалл
P - пластмассовый DIL



Sprague Solid State
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки SCL 4000B C
Назначение и отбраковка______| |
Корпус_____________________________________________|

Назначение и отбраковка :
BCL - высоконадежная логика
BCM - высоконадежная память
BPL - высоконадежная программируемая логика
SCL - стандартная логика
SCM - стандартная память
SPL - стандартная программируемая логика
SS - стандартная надежная логика

Корпус :
C - керамический DIL
E - пластмассовый DIL
F - пластмассовый плоский
HN - кристалл
HW - кристалл на пластине
Q - керамический DIL с кварцевым окном
T - пластмассовый малогабаритный



Standard Microsystems Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки COM 5016 T X P
Назначение___________________| | | |
Функциональное отличие___________________________| | |
Индекс маски_______________________________________| |
Корпус_______________________________________________|

Назначение :
CCC - контроллеры кассетных НМЛ
COM - ИС систем связи
CRT - контроллеры дисплея
FDC - контроллеры НГМД
HDC - контроллеры НМД
HYC - гибридные ИС систем связи
KP - кодировщики клавиатуры
MPU - микропроцессоры
SR - сдвиговые регистры

Функциональное отличие :
A, B, C - быстродействие
BI - проведение термотренировки
H - высокое быстродействие
SI - ПЗУ
T - вход синхронизации совместимый с ТТЛ-уровнями

Индекс маски :
Одно-, трехзначный код, определяющий маску ПЗУ

Корпус :
отсутствие знака - керамический
CD - керамический DIL
LI - пластмассовый кристаллодержатель с выводами
LL - безвыводный керамический кристаллодержатель
P - пластмассовый



Telefunken Electronic GmbH
Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro Electron.



Texas Instruments Inc.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки SN 74 S188 J
Назначение__________________| | |
Температурный диапазон_________| |
Корпус_____________________________________________|

Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TMS 4256 -15 N L
Назначение___________________| | | |
Быстродействие___________________________________| | |
Корпус______________________________________________| |
Температурный диапазон________________________________|

Назначение :
AC - биполярные ИС улучшенные
SBP - биполярные микропроцессоры
SMJ - МОП-ИС памяти и микропроцессоры
SN - стандартные ИС
TAC - КМОП-логические матрицы
TAL - ТТЛШ-логические матрицы с пониженной потребляемой мощностью
TAT - ТТЛШ-логические матрицы
TBP - биполярные ИС памяти
TC - формирователи видеосигналов для ПЗС
TCM - ИС для телекоммуникации
TIBPAL - биполярные ПЛМ
TIED - детекторы инфракрасного излучения
TIL - оптоэлектронные ИС
TL - аналоговые ИС
TLC - аналоговые КМОП-ИС
TMS - МОП-ИС памяти и микропроцессоры
TM - модули микроЭВМ
VM - ИС памяти речевого синтеза

Корпус :
FG, FE - многослойный прямоугольный кристаллодержатель
FH - однослойный керамический квадратный кристаллодержатель
FK - многослойный квадратный кристаллодержатель
FM - прямоугольный кристаллодержатель для динамических ОЗУ
FN - однослойный пластмассовый квадратный кристаллодержатель
J, JD, JG, JT - керамический DIL
KA, KC, KD, KF - пластмассовый с теплорастекателем
LP - 3-выводный пластмассовый
NT, NF, N, NE - пластмассовый DIL
T - металлический плоский
U, W, WA, WC - керамический плоский
8D, 14D, 16D - малогабаритный


Температурный диапазон :
при обозначении в префиксе :
54, 55 - -55...+125C
74, 75, 76 - 0...+70C
при обозначении в суффиксе :
отсутствие знака - 0...+70C
C - 0....+70C
E - -40....+85C
I - -25....+85C
L - 0....+70C
M - -55...+125C
S - специальный диапазон

Быстродействие (время выборки) :
15 - 150нс
17 - 170нс
2, 20 - 200нс
25 - 250нс
3, 35 - 350нс
4, 45 - 450нс

При маркировке различных вариантов цифровых ТТЛ-серий и совместимых с
ними серий первые знаки в обозначении соответствуют сериям :
54, 74 - стандартная ТТЛ
54H, 74H (High) - быстродействующая
74F (Fast) - сверхбыстродействующая
54L (Low-power) - с пониженной потребляемой мощностью
54LS, 74LS (Low-power Schottky) - ТТЛШ с пониженной потребляемой мощностью
54S, 74S (Schottky) - ТТЛШ
55, 75 - стандартные интерфейсы
54AS, 74AS (Advanced Schottky) - улучшенная ТТЛШ
54HC, 54HCT, 74HC, 74HCT (High-speed CMOS) - быстродействующие на основе
КМОП-структур
54ALS, 74ALS (Advanced Low-power Schottky) - улучшенная ТТЛШ с пониженной
потребляемой мощностью
76 - улучшенные ИС



Thomson - CSF/EFCIS
Маркировка производится в соответствии с системой обозначения Pro Electron.



Tokyo Sanyo Electric Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки LA 1230
Назначение и технология______|

Назначение и технология :
LA - аналоговые биполярные ИС
LB - цифровые биполярные ИС
LC - КМОП
LM - p-МОП и n-МОП



Toshiba Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TA 7173 AP
Назначение и технология______| |
Корпус_____________________________________________|

Назначение и технология :
TA - аналоговые биполярные ИС
TC - КМОП
TD - цифровые биполярные ИС
TMM - n-КМОП

Корпус :
Первая буква обозначает материал корпуса :
A - усовершенствованный тип
C - керамический
M - металлический
P - пластмассовый

Вторая буква обозначает тип корпуса :
D - DIL
F - плоский
J - малогабаритный
T - безвыводной кристаллодержатель
Z - с зигзагообразным расположением выводов



TRW LSI Products
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки TDC 1016 J C 10
Назначение и технология______| | | |
Корпус__________________________________________| | |
Температурный диапазон____________________________| |
Электрические параметры______________________________|

Назначение и технология :
MPY - биполярные умножители
TDC - биполярные ИС
TMC - КМОП

Корпус :
B - керамический DIL
C - керамический кристаллодержатель
F - плоский
J - керамический DIL
L - кристаллодержатель с выводами
После буквы может стоять число, указывающее на количество выводов

Температурный диапазон :
A, F, N - -55...+125C
C, G, S - 0... +70C



Western Digital Corp.
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки WD 1943 P D 00
Корпус__________________________________________| | |
Число выводов_____________________________________| |
Дополнительные параметры_____________________________|

Корпус :
A - керамический с паяной крышкой
C - керамический DIL
D - керамический безвыводной кристаллодержатель
H - пластмассовый безвыводной кристаллодержатель
G - керамический кристаллодержатель с выводами
J - пластмассовый кристаллодержатель с выводами
P - пластмассовый DIL

Число выводов :
A - меньше 14 ; B - 14; C - 16; D - 18; E - 20; F - 22; G - 24
H - 28; L - 40; M - 44; N - 48; S - 64; T - 68



Zilog
Префикс Обозначение Суффикс
Пример маркировки Z80 A CRU P S
Особенности___________________________| | | |
Назначение_______________________________| | |
Корпус____________________________________________| |
Температурный диапазон______________________________|

Префикс :
Z - ИС производства Zilog
Z80 - ИС серии Zilog-80

Особенности :
отсутствие буквы - тактовая частота 2,5МГц
A - тактовая частота 4МГц
B - тактовая частота 6МГц
H - тактовая частота 8МГц
L - пониженное потребление мощности

Назначение :
CPU - процессор
CTC - таймер
DMA - схема прямого доступа к памяти
PIO - параллельный интерфейс
SIO - последовательный интерфейс

Корпус :
C - керамический
D - керамический DIL
P - пластмассовый
Q - керамический с четырехрядным расположением выводов

Температурный диапазон :
E - -40....+85C
M - -55...+125C
S - 0....+70C






1.3. УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ПРОИЗВОДСТВА
СТРАН-ЧЛЕНОВ СЭВ

Болгария

Для ИС производства Болгарии (РБ) приняты две системы обозначения.
Одна из них, более старая, строится по принципу, сходному с применяемым в
СССР : условное обозначение ИС, начинающееся с цифры 1 означает
полупроводниковую ИС, отсутствие цифры указывает на гибридную или
специальную ИС, следующие две буквы обозначают функциональное назначение
ИС, например УО - операционные усилители, УМ - усилители мощности, РН -
регуляторы (стабилизаторы) напряжения, СА - компараторы напряжения, а цифр
обычно соответствуют цифровой части условного обозначения зарубежного
аналога.
Другая система, более новая и простая : условное обозначение ИС
состоит из букв СМ и условного кода из трех-пяти цифр, который может в
какой-то степени соответствовать условному индексу зарубежного аналога.

Венгрия

Интегральные микросхемы производства Венгрии (ВР) изготавливаются, как
правило, по лицензиям и имеют те же условные обозначения, что и прототип.
При этом в условных обозначениях цифровых и интерфейсных ИС буквенный
индекс префикс аналога отсутствует.

ГДР

Условные обозначения интегральных микросхем производства ГДР состоят
из буквенного префикса, цифрового обозначения и буквенного суффикса.
Префикс, как правило, состоит из одной буквы :
A, B - аналоговые ИС
C - интерфейсные (цифро-аналоговые) ИС
D, E - цифровые биполярные ИС (ТТЛ)
U - ИС памяти и микропроцессорные ИС
Префикс может быть и двухбуквенным, вторая буква служит для уточнения
характеристик серии, например DL - ТТЛШ с пониженной потребляемой
мощностью, DS - ТТЛШ.
Трех- или четырехзначное цифровое обозначение представляет собой
условный порядковый номер или в случае воспроизведения зарубежного аналога
соответствует цифровому индексу последнего.
Суффикс служит для обозначения корпуса :
C - керамический DIL
D - пластмассовый DIL
E - пластмассовый DIL с теплорастекателем
H, V - транзисторный типа T03



1.4. КОРПУСА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Большинство производителей ИС в той или иной форме вводит в маркировку
ИС обозначения их корпусов, Это вызвано, во-первых, тем, что один и тот же
кристалл ИС во многих случаях может быть помещен в различные корпуса, и
пользователю необходимо знать, в каком корпусе он получит необходимую ИС.
Во-вторых, корпус ИС во многом определяет ее устойчивость к внешним
воздействиям: механическую прочность, температурный диапазон, воздействие
климатических и биологических факторов, радиационную устойчивость. От
корпуса, также, зависит допустимая рассеиваемая мощность ИС. Наконец,
корпус предопределяет возможность автоматизированной установки ИС на плату
и ее распайки.
Стремление производителей ИС добиться наилучших показателей при
использовании ИС приводит к увеличению числа типоразмеров корпусов ИС. Так
в СССР производятся ИС в корпусах более чем 200 типоразмеров. Сдерживающим
фактором, препятствующим росту числа типоразмеров корпусов ИС, является
автоматизация процессов производства радиоэлектронной аппаратуры,
приводящая не только к ограничению их числа, но и к соблюдению жестких
стандартов на корпуса ИС.
Все многообразие корпусов ИС, можно разделить на ряд типов. В таблице
1.3 приведены типы корпусов ИС, встречающиеся в настоящем справочнике, в
соответствии с принятыми за рубежом сокращенными обозначениями.


Таблица 1.3
________ _______________________________________________________________
| | |
| Тип | Полное наименование |
|________|_______________________________________________________________|
| | |
| CERD | Ceramic Dual In Line Package (CERDIP) |
| | Керамический с двухрядным расположением выводов |
| DIC | Dual In Line Package, Metal-Ceramic |
| | Металлокерамический с двухрядным расположением выводов |
| DIP | Dual In Line Package, Plastic |
| | Пластмассовый с двухрядным расположением выводов |
| FLWIRE | Capsulated Chips With The Flexible Gold Wires |
| | Кристалл ИМС с гибкими золотыми выводами в упаковке |
| FP | Flat-Package, Plastic |
| | Пластмассовый плоский |
| FPC | Flat-Package, Ceramic |
| | Керамический плоский |
| FPMG | Flat-Package, Metal-Glass |
| | Металлостеклянный плоский |
| QUIC | Quadro in Line Package, Ceramic |
| | Керамический с четырехрядным расположением выводов |
| QUIP | Quadro in Line Package, Plastic |
| | Пластмассовый с четырехрядным расположением выводов |
| SIP | Single in Line Package, Plastic |
| | Пластмассовый с однорядным расположением выводов |
| SOP | Small Outline Package, Plastic |
| | Пластмассовый малогабаритный |
| T03 | Металлический цилиндрический для больших мощностей с двумя |
| | изолированными выводами |
| T05 | Металлостеклянный цилиндрический с круговым расположением |
| | выводов |
| T018 | Металлостеклянный цилиндрический малогабаритный с тремя |
| | выводами |
| T046 | Металлостеклянный цилиндрический с тремя выводами |
| | |
| T092 | Пластмассовый цилиндрический малогабаритный с тремя выводами |
| | |
| T0220 | Пластмассовый плоский с тремя выводами с металлическим |
| | теплорастекателем для крепления к радиатору |
| WAFER | Not Divided Chips On The Wafers |
| | Неразрезанная пластина с кристаллами ИС |
|________|_______________________________________________________________|


Типы корпусов можно разделить на ряд групп :
1. Корпуса типа DIL (Dual In Line) или, как их часто обозначают, DIP
(Dual In Line Package) с двухрядным расположением выводов: керамические
(CERD), металлокерамические (DIC) и пластмассовые (DIP) корпуса. В
настоящее время получили наибольшее распространение для аппаратуры
широкого применения. Они предоставляют возможность широкого выбора числа
выводов (от 4 до 64), обеспечивают достаточную механическую прочность,
хорошую защиту от внешних воздействий, возможность автоматической
установки на плату и пайки различными способами.
2. Плоские корпуса (Flat-Package): пластмассовые (FP), керамические
(FPC) и металлостеклянные (FPMG). Получили распространение в основном в
специальной аппаратуре.
3. Корпуса типа QUIL (Quadro In Line) с четырехрядным расположением
выводов: керамические (QUIC), металлокерамические и пластмассовые (QUIP).
Широкого распространения не получили.
4. Корпуса типа SIP используются в основном для ИС, применяемых в
бытовой радиоэлектронной аппаратуре. К их недостаткам следует отнести
сравнительно ограниченное число выводов и невысокую механическую прочность.
5. Корпуса типа SOP, относительно новый тип, получающий в настоящее
время все большее распространение для технологии поверхностного монтажа
печатных плат и представляющий собой гибрид корпусов DIL и FP.
6. Транзистороподобные корпуса типа T0..., имеющие ограниченное
применение в производстве ИС из-за небольшого числа выводов. Наиболее
применимы корпуса типа T05 - в ОУ и других несложных аналоговых схемах и
типа T03 и T0220 - для ИС, имеющих повышенную мощность рассеивания,
например, в мощных стабилизаторах.
В таблице 1.3 также указаны два варианта бескорпусного исполнения ИС,
имеющих ограниченное применение в практике производства радиоэлектронной
аппаратуры.
В дальнейшем, при указании конкретного корпуса после его обозначения,
приведенного в таблице 1.3, будет добавляться число выводов (для корпусов
типа T05 перед его обозначением), например, DIP14 - корпус типа DIP с 14
выводами; 8T05 - корпус типа T05 с 8 выводами.





2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ПРОИЗВОДСТВА СССР

В настоящей главе приведены ИС производства СССР и их аналоги
производства капиталистических стран. Строго говоря, ни одна ИС
производства СССР не является 100%-ным аналогом ИС производства других
стран. Во-первых, это связано с тем, что ИС производства СССР являются
собственной разработкой и выпускаются по ГОСТам и ТУ, установленным в СССР
и не совпадающим с принятыми в других странах. Различия же в топологии
схем, технологии производства, методах измерения параметров неизбежно
приводят к отличию от аналогов. Во-вторых причиной отличия является
несовпадение габаритных размеров. Общепринятым в мире является стандарт,
по которому шаг между выводами ИС составляет 1/20 или 1/10 дюйма (1,27 или
2,54 мм соответственно). В СССР принят метрический шаг выводов в 1,25 или
2,5мм. При числе выводов с одной стороны корпуса до 8 (для корпусов с
шагом 2,5 мм) разница в шаге не вызывает затруднений даже при
автоматизированной установке ИС на плату. При дальнейшем увеличении числа
выводов автоматизированная установка становится невозможной, а при числе
выводов с одной стороны более 14, требуется переработка печатной платы.
Поэтому, во всех случаях замены ИС на аналог необходима тщательная оценка
возможности применения конкретной ИС в конкретной радиоэлектронной схеме.
Из практики применения ИС следует отметить, что наиболее близки по
своим параметрам к аналогам ИС серий КР1005, КР1021, К1102, КР140, К1500,
КР1531, КР1533, К155, КМ155, КР1561, К176, КМ1804, КР1804, КС1804, КМ1810,
КР1810,К500, КМ531, К555, КМ555, КР556, К561, КР565, К573, КР580, К589,
т.е. в основном цифровые ИС. Интегральные микросхемы указанных серий во
многих случаях допускают прямую замену на аналоги без изменений
электрической схемы.




2.1. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ПРОИЗВОДСТВА СССР И ИХ АНАЛОГИ

Основные данные о ИС производства СССР приведены в таблице 2.1.
Интегральные микросхемы расположены по сериям в алфавитно-цифровом
порядке. Для отдельных серий, когда это представляется целесообразным,
дано назначение серии и (или) технология изготовления, а также наиболее
важные параметры ИС, относящиеся ко всей серии (напряжение питания,
тактовая частота, быстродействие, разрядность). Внутри серий ИС также
расположены в алфавитно-цифровом порядке, за исключением серий К1500,
КМ1810, КР1810, К500, КР580, у которых ИС расположены в порядке
возрастания условного номера внутри серии.
В таблице 2.1 для каждой ИС производства СССР приведен, если он
существует, один, наиболее характерный аналог производства фирмы
капиталистической страны, а также кодовое обозначение фирмы изготовителя
этого аналога. Кодовые обозначения даны в таблице 1.2.
В графе "Корпус, аналог" указаны обозначения корпусов ИС производства
СССР в соответствии с ГОСТ 17467-79 и их аналоги в общепринятых
обозначениях, приведенных в таблице 1.3.
В графе "Функциональное назначение" дана краткая информация о
назначении ИС, а также наиболее важные характеристики и параметры ИС
(напряжение питания, быстродействие, потребляемая мощность или ток,
рабочая частота, емкость ИС памяти и их организация и др.).
Используя таблицу 2.1 можно осуществить поиск аналога производства
капиталистической страны по известному типу ИС производства СССР,
определить тип корпуса ИС производства СССР, узнать функциональное
назначение ИС производства СССР.

Таблица 2.1
____________ ____________ ____ ____________ ______ ________________________________________________________________________
| | | | | | |
| Тип ИС | Аналог |Фирма Корпус |Аналог| Функциональное назначение |
|____________|____________|____|____________|______|________________________________________________________________________|
| | | | | | |
| Серия КА1001 | | | | |
|КА1001ИК1 | | |405.24-7 |FP24 |Схема синхрогенератора |
| Серия К1002 | | | | |
|К1002ИР1 |CD40105BE |RCA |405.24-7 |FP24 |Регистровое ЗУ емкостью 32x8; +5В; 0,1мВт |
|К1002ХЛ1 |TR1602 |WDC |429.42-3 |FPC24 |Приемопередатчик оконченной аппаратуры |
| Серия КМ1002 | | | | |
|КМ1002КП1 | | |210А.22-1 |DIC22 |8-канальный мультиплексор-конвертор |
| Серия К1003 Схемы для бытовой радиоэлектронной аппаратуры |
|К1003КН1А |SAS580 |SIEG|2104.18-3 |DIC18 |Сенсорный переключатель телевизионных программ |
|К1003КН1Б |SAS580 |SIEG|2104.18-3 |DIC18 |Сенсорный переключатель телевизионных программ |
|К1003КН2А |SAS590 |SIEG|2104.18-3 |DIC18 |Сенсорный переключатель телевизионных программ |
|К1003КН2Б |SAS590 |SIEG|2104.18-3 |DIC18 |Сенсорный переключатель телевизионных программ |
|К1003ПП1 |UAA180 |SIEG|2104.18-3 |DIC18 |Схема управления светодиодной шкалой непрерывного типа |
| Серия КМ1003 | | | | |
|КМ1003ПП2 |UAA170 |SIEG|210.16-5 |CERD16|Схема управления светодиодной шкалой дискретного типа |
| Серия КБ1004 Схемы для электронных часов | |
|КБ1004ХЛ5-4 |N200F | |Бескорпусная|WAFER |Многофункциональная схема для электронных часов |
|КБ1004ХЛ6-4 |TS8208 |ALGG|Бескорпусная|WAFER |Многофункциональная схема для электронных часов |
|КБ1004ХЛ7-4 | | |Бескорпусная|WAFER |Схема музыкального синтезатора |
|КБ1004ХЛ8-4 |5729 | |Бескорпусная|WAFER |Схема для электронных наручных часов с увеличенным объемом информации |
|КБ1004ХЛ9-4 | | |Бескорпусная|WAFER |Схема индикации времени и управления ЖКИ |
|КБ1004ХЛ10-4|AMCC1270 |AMD |Бескорпусная|WAFER |Схема для электронных наручных часов с цифровой подстройкой частоты |
|КБ1004ХЛ11-4|AMCC1270 |AMD |Бескорпусная|WAFER |Схема для электронных наручных часов с 8-разрядным ЖКИ |
|КБ1004ХЛ13-4| | |Бескорпусная|WAFER |Схема для часовых модулей |
|КБ1004ХЛ14-4| | |Бескорпусная|WAFER |Схема для вычисления показателей времени |
|КБ1004ХЛ16-4| | |Бескорпусная|WAFER |Схема для электронных наручных часов с цифровой подстройкой частоты |
|КБ1004ХЛ17-4| | |Бескорпусная|WAFER |Схема для электронных наручных часов с 8-разрядным индикатором |
|КБ1004ХЛ19-4| | |Бескорпусная|WAFER |Схема для часовых модулей |
| Серия К1005 | | | | |
|К1005ПЦ5 |AN6353 |MATJ|1102.8-1 |SIP8 |Формирователь опорной частоты |
| Серия КБ1005 | | | | |
|КБ1005ПЦ3-1 | | |Бескорпусная|FLWIRE|Делитель частоты с коэффициентом деления 2-18 |
| Серия КМ1005 | | | | |
|КМ1005УР1А |AN304 |MATJ|201.14-8 |CARD14|Усилитель-ограничитель ЧМ-сигнала |
|КМ1005УР1Б |AN304 |MATJ|201.14-8 |CARD14|Усилитель-ограничитель ЧМ-сигнала |
| Серия КР1005 Схемы для видеомагнитофонов | |
|КР1005ВЕ1 |MN1405 |MATJ|2123.40-1 |DIP40 |Микропроцессор |
|КР1005ВИ1 |MN1435 |MATJ|2123.40-1 |DIP40 |Таймер |
|КР1005ПС1 |AN6371 |MATJ|238.16-2 |DIP16 |Схема формирователя опорных частот |
|КР1005ПЦ1 |M54819L |MATJ|1102.8-1 |SIP8 |Делитель частоты синхросигналов с программируемым коэффициентом деления |
|КР1005ПЦ2 |AN6342 |MATJ|1101Ю.7-1 |SIP7 |Схема формирователя опорной частоты кадров |
|КР1005ПЦ4 |AN6345 |MATJ|238.16-2 |DIP16 |Делитель частоты с программируемым коэфф. деления и входным усилителем |
|КР1005УД1 |AN6551 |MATJ|1102.9-4 |SIP9 |Сдвоенный ОУ |
|КР1005УЛ1А |AN6320N |MATJ|2102.14-1 |DIP14 |Предварительный усилитель, корректировка АЧХ, коммутатор блока головок |
|КР1005УЛ1Б |AN6320N |MATJ|2102.14-1 |DIP14 |Предварительный усилитель, корректировка АЧХ, коммутатор блока головок |
|КР1005УН1А |AN262 |MATJ|238.16-5 |DIP16 |Предварительный усилитель записи и воспроизведения звука |
|КР1005УН1Б |AN262 |MATJ|238.16-5 |DIP16 |Предварительный усилитель записи и воспроизведения звука |
|КР1005ХА1 |AN6341N |MATJ|238.16-5 |DIP16 |Автоматический регулятор электропривода ведущего вала |
|КР1005ХА2 |AN6350 |MATJ|2121.28-1 |DIP28 |Автоматический регулятор электропривода блока вращающихся головок |
|КР1005ХА3 |AN6677 |MATJ|2120.24-3 |DIP24 |Коммутатор двигателя блока вращающихся головок |
|КР1005ХА4 |AN6310 |MATJ|2120.24-5 |DIP24 |Схема записи видеосигнала |
|КР1005ХА5 |AN6332 |MATJ|2121.29-1 |DIP29 |Схема воспроизведения видеосигнала |
|КР1005ХА6 |AN6360 |MATJ|238.18-3 |DIP18 |Схема обработки сигнала цветности |
|КР1005ХА7 |AN6362 |MATJ|238.18-3 |DIP18 |Схема селекции синхроимпульсов |
|КР1005ХА8А |XR-S200 |EXR |2120.24-5 |DIP24 |Многофункциональная универсальная схема |
| Серия КР1006 | | | | |
|КР1006ВИ1 |LM555CN-8 |NSC |2101.8-1 |DIP8 |Программируемый таймер |
| Серия КР1008 Схемы для телефонии | | |
|КР1008ВЖ1 |AY5-9151A |GIC |210А.22-3 |DIP22 |Электронный номеронабиратель |
|КР1008ВЖ2 |S5262 |AMI |2205.48-1 |QUIP48|Электронный номеронабиратель |
|КР1008ВЖ3 |SAA6002 |ITTG|2205.48-1 |QUIP48|Схема управления индикацией |
|КР1008ВЖ4 |S2561 |AMI |2102.14-4 |DIP14 |Формирователь тонального вызывного сигнала |
| Серия К1009 | | | | |
|К1009ЕН1А |TAA550 |SGL |КТ1-2 |TO18 |Термокомпенсированный источник опорного напряжения |
|К1009ЕН1Б |TAA550 |SGL |КТ1-2 |TO18 |Термокомпенсированный источник опорного напряжения |
|К1009ЕН1В |TAA550 |SGL |КТ1-2 |TO18 |Термокомпенсированный источник опорного напряжения |
| Серия КМ1010 | | | | |
|КМ1010КТ1 |SN75494 |TII |201.16-5 |CERD16|Переключатели тока для согласования МОП-ИС с мощной нагрузкой |
| Серия КР1010 | | | | |
|КР1010КТ1 |SN75494N |TII |238.16-2 |DIP16 |Переключатели тока для согласования МОП-ИС с мощной нагрузкой |
| Серия КМ1012 Схемы для ЭМИ; +3В | | |
|КМ1012ГП1 |ММ5555 |NSC |201.16-5 |CERD16|Генератор высшей октавы (7 полутонов) |
|КМ1012ГП2 | | |201.16-5 |CERD16|Генератор высшей октавы (6 полутонов) |
|КМ1012ГП3 | | |201.16-5 |CERD16|Генератор верхних тонов темперированной шкалы |
|КМ1012ИК1 | | |201.16-5 |CERD16|Октавный делитель с цифровой фильтрацией сигнала |
|КМ1012ИК2 |MM5824 |NSC |201.16-5 |CERD16|Октавный делитель с большой скважностью |
|КМ1012ИК3А | | |201.16-5 |CERD16|Октавный делитель с модулятором |
|КМ1012ИК3Б | | |201.16-5 |CERD16|Октавный делитель с модулятором |
|КМ1012ИК4А |TDA1008 |PHIN|201.16-5 |CERD16|Октавный делитель с модулятором |
|КМ1012ИК4Б |TDA1008 |PHIN|201.16-5 |CERD16|Октавный делитель с модулятором |
|КМ1012ИП1 | | |201.16-5 |CERD16|Схема синтеза команд |
| Серия КР1012 Схемы для ЭМИ; +3В | | |
|КР1012ГП1 |MM5555N |NSC |238.16-2 |DIP16 |Генератор высшей октавы (7 полутонов) |
|КР1012ГП2 | | |238.16-2 |DIP16 |Генератор высшей октавы (6 полутонов) |
|КР1012ГП3 | | |238.16-2 |DIP16 |Генератор верхних тонов темперированной шкалы |
|КР1012ИК1 | | |238.16-2 |DIP16 |Октавный делитель с цифровой фильтрацией сигнала |
|КР1012ИК2 |MM5824N |NSC |238.16-2 |DIP16 |Октавный делитель с большой скважностью |
|КР1012ИК3А | | |238.16-2 |DIP16 |Октавный делитель с модулятором |
|КР1012ИК3Б | | |238.16-2 |DIP16 |Октавный делитель с модулятором |
|КР1012ИК4А |TDA1008 |PHIN|238.16-2 |DIP16 |Октавный делитель с модулятором |
|КР1012ИК4Б |TDA1008 |PHIN|238.16-2 |DIP16 |Октавный делитель с модулятором |
|КР1012ИП1 | | |238.16-2 |DIP16 |Схема синтеза команд |
| Серия КР1014 | | | | |
|КР1014КТ1А |VN2410 |SIX |2101.8-1 |DIP8 |Переключатели тока на двух полевых транзисторах; 75 В; 110 мА |
|КР1014КТ1Б |VN2410 |SIX |2101.8-1 |DIP8 |Переключатели тока на двух полевых транзисторах; 75 В; 110 мА |
|КР1014КТ1В |VN2410 |SIX |2101.8-1 |DIP8 |Переключатели тока на двух полевых транзисторах; 75 В; 110 мА |
| Серия КР1015 | | | | |
|КР1015ХК2А |mPD2819C |NECJ|238.18-3 |DIP18 |Схема управления частотой настройки |
|КР1015ХК2Б |mPD2819C |NECJ|238.18-3 |DIP18 |Схема управления частотой настройки |
|КР1015ХК3А |mPD2819C |NECJ|238.18-3 |DIP18 |Схема управления частотой настройки |
|КР1015ХК3Б |mPD2819C |NECJ|238.18-3 |DIP18 |Схема управления частотой настройки |
| Серия КА1016 | | | | |
|КА1016ХЛ1 | | |405.24-7 |FP24 |Схема для настольных и автомобильных часов с будильником и секундомером |
| Серия КР1016 | | | | |
|КР1016БР1 |MN3011 |MATJ|2120.24-3 |DIP24 |Дискретно-аналоговая линия задержки до 166,4 мс; 0...11 кГц |
|КР1016ВИ1 |MN1435 |MATJ|2121.28-5 |DIP28 |Программируемый таймер для бытовой техники; -12 В; 1,8 мА |
| Серия КР1017 | | | | |
|КР1017ХА1 |TCA105 |SIEG|2102.14-1 |DIP14 |Многофункциональный преобразователь для бесконтактных датчиков |
| Серия К1019 | | | | |
|К1019ЕМ1 |LM235 |NSC |КТ1-10 |TO46 |Термочувствительный элемент с линейной зависимостью напряжения от темп. |
| Серия КБ1020 | | | | |
|КБ1020УП1-4 | | |Бескорпусная|WAFER |Логарифмический усилитель фототока фотодиода |
| Серия К1021 | | | | |
|К1021УН1 |TDA2611A |PHIN|1102.9-5 |SIP9 |УНЧ |
|К1021ХА5 |TDA3562Q |PHIN|БЛИК | |Схема кадровой развертки |
| Серия КР1021 Схемы для бытовой радиоэлектронной аппаратуры |
|КР1021ПП1 |SAA5030 |PHIN|239.24-2 |DIP24 |Преобразователь сигналов для видеопроцессора "Телетекст" |
|КР1021УР1 |TDA3541 |SIEG|238.16-2 |DIP16 |УПЧИ |
|КР1021ХА1А |TDA2582 |SIC |238.16-2 |DIP16 |Схема управления ключами для источников питания цветных телевизоров |
|КР1021ХА1Б |TDA2582 |SIC |238.16-2 |DIP16 |Схема управления ключами для источников питания цветных телевизоров |
|КР1021ХА2 |TDA2578А |SIC |2104.18-7 |DIP18 |Схема процессора синхронизации |
|КР1021ХА3 |TDA3591 |PHIN|239.24-2 |DIP24 |Трансдекодер SECAM/PAL |
|КР1021ХА4 |TDA3562А |PHIN|2121.28-5 |DIP28 |Декодер PAL, NTSC |
| Серия КР1023 | | | | |
|КР1023ХА1А |M51721L |MATJ|2130.24-3 |DIP24 |Схема управления для двухсекционного двигателя постоянного тока |
|КР1023ХА1Б |M51721L |MATJ|2130.24-3 |DIP24 |Схема управления для двухсекционного двигателя постоянного тока |
| Серия КМ1025 | | | | |
|КМ1025КП1 | | |2103.16-3 |CERD16|Схема емкостного реле |
| Серия КР1027 | | | | |
|КР1027ХА1 |M51720P |MAB |238.16-2 |DIP16 |Стабилизатор частоты вращения электрод