Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Метод_вк_КП

.pdf
Скачиваний:
7
Добавлен:
17.05.2015
Размер:
698.53 Кб
Скачать

1.1.5Формування часу спаду колекторного струму

Ваналізованому випадку транзистор працює в нормальному активному режимі, як і у випадку формування фронту. Отже, тут справедлива еквівалентна схема, яка була використана раніше (рис.2). Проте, ця схема справедлива доти, доки значення струму колектора не

стане дорівнювати нулю. Коли струм бази витікає, а t→ ∞, то струм

колектора наближається до значення βIб2 , що реально не здійснимо.

 

 

6.0

 

 

 

 

6.0

 

 

 

 

 

 

 

 

с[B]4.8

 

 

 

 

4.8

[B]

ль

 

 

 

 

 

3.6

ь с

у

3.6

 

 

 

 

л

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

і м п у

імп2.4

 

 

 

 

2.4

 

 

 

 

 

ий

 

 

 

 

 

1.2

й

1.2

 

 

 

 

 

н и

дн

 

 

 

 

 

 

і

0.0

 

 

 

 

0.0

д

вх

 

 

 

 

х і

 

 

 

 

 

 

 

tз

tф

tp

 

tсп

 

в и

з і [B]

6.0

 

 

 

 

3.0

[мА]

4.8

 

 

 

 

2.2

 

 

 

 

 

 

б а

3.6

 

 

 

 

1.4

з и

н а

 

 

 

 

б а

2.4

 

 

 

 

0.6

а

 

 

 

 

м

ру г

1.2

 

 

 

 

- 0.2

т р у

п

 

 

 

 

 

 

с

а

0.0

 

 

 

 

- 1.0

 

н

 

 

 

 

 

 

14

28

42

56

70

 

 

 

 

 

 

 

 

Час [нс]

 

 

 

Рисунок 3 – Епюри напруг та струмів у характерних точках біполярного

 

 

цифрового ключа при його перемиканні

 

Після того, як струм колектора стане дорівнювати нулю, необхідно повернутися до еквівалентної схеми, яку зображено на рис.1. Процес формування часу спаду колекторного струму істотно складніший за процес формування фронту через те, що струм бази непостійний. Детально аналізувати тут процес спаду не будемо. Зазначимо тільки підсумковий вираз для наближеного розрахунку часу цього процесу:

tс п = [τβ + R k (Сн + (1 + β)Cк )]ln

βIб2 + Ik н

.

(4)

 

 

 

βIб2

 

Звернемо увагу читача на те,

що значення бар'єрної колекторної

ємності Ck треба помножити на

(1+β). Тут

доречно нагадати

про

ефект Міллера (див. підрозділ 3.2.1.) [3].

Графічна ілюстрація процесів переключення біполярного цифрового ключа наведена на рис. 3.

Стислі висновки:

1.Час вмикання і вимикання біполярного цифрового ключа за інших рівних умов (в однакових схемах) визначається значеннями і співвідношенням струмів, що вмикає (втікає в n-р-n транзистор) і, що вимикає (витікає) з n-р-n транзистора.

2.Зменшення часу вмикання пов'язано зі збільшенням (форсуванням) струму, що вмикає транзистор. Відзначимо, що форсування струму, що вмикає, веде до зростання насичення транзистора.

3.Зменшення часу вимикання визначається не тільки збільшенням струму, що вимикає, але значенням струму, що вмикає транзистор. Цей зв'язок виключає можливість підвищення швидкодії ключа простим форсуванням струму, що вмикає, і вимагає вибору оптимального співвідношення струмів керування біполярного ключа.

4.У силу того, що гранична напруга звичайно менше половини напруги живлення, значення струму, що вмикає,

I

б

1

=(U"1"–U

)/(R +R

дж

), завжди більше струму, що вимикає,

 

 

бе

б

 

I

б2

=(U

–U"0")/(R +R

 

).

 

 

бе

 

б дж

 

 

1.2 Приклад розрахунку найпростішого цифрового ключа

Нехай необхідно реалізувати цифровий ключ із часом перемикання не більше 50 нс і коефіцієнтом розгалуження 10. Напруга живлення 5В. Можуть бути висунуті й інші вимоги, які розглянемо нижче.

Простої методики розрахунку біполярного цифрового ключа,

виходячи із заданої швидкодії, не існує. По суті кажучи, це класична обернена задача, розв’язування якої потребує застосування спеціальних прийомів. На практиці при наближеному ручному розрахунку використовують широко відомий метод "проб і помилок". Звичайно, у цьому випадку оптимального рішення відшукати не вдається. Ця ситуація характерна для всіх цифрових схем, якщо метою розрахунку є реалізація заданої швидкодії в схемі з дискретними компонентами. При розрахунках реальних інтегральних цифрових схем використовують точні описи нелінійних схем, що реалізовані в спеціалізованих комп'ютерних програмах.

1.2.1 Вибір транзистора

Центральний пункт у розрахунку біполярного цифрового ключа - вибір транзистора. Оскільки в цифрових елементах споживану потужність завжди прагнуть зробити мінімальною, а швидкодію максимальною, то необхідні малопотужні транзистори (максимальна потужність, що розсіюється – 30÷100 мВт) із гранично допустимою колекторною напругою 10 ÷ 15 В (чим нижча напруга живлення, тим вища, за інших рівних умов, швидкодія) і невисоким (звичайно менше

100) коефіцієнтом передачі за струмом β. У таких транзисторів повинна бути висока (до декількох гігаГерц) гранична частота підсилення і малі (0.5 - 2 пФ) розміри колекторних і емітерних ємностей. Параметри транзисторів, що використовуються для ІС фірмами-виробниками, широко не публікуються, проте уяву про типові транзистори для цифрової електроніки надає табл.1, де наведені параметри деяких малопотужних транзисторів. Нагадаємо, що цифри після букви, які позначають технологічну групу, вказують на конструктивне виконання транзистора в безкорпусному варіанті, орієнтованому на використання транзисторів у гібридних ІС. Всі транзистори виконано в інтегральній планарній технології. Для нашого прикладу візьмемо транзистор 2Т366В-1, у якого β=50÷200, максимальне значення колекторної ємності 1,8 пФ, гранична частота підсилення 1000 мГц, максимально допустима напруга колектора 15 В, максимально допустимий струм колектора 50 мА.

Таблиця 1

Назва

Тип

β

Rб

Ск

Uкмакс

Iкмакс

Fго

Аналог

транзистора

 

 

[Ом]

[пФ]

[В]

[мА]

[МГц]

 

2Т324А-1

npn

40

800

2.5

10

30

1000

 

2Т324Б-1

npn

80

1000

2.5

10

30

1000

 

2Т324В-1

npn

160

1200

2.5

10

30

800

 

Продовження табл. 1

Назва

Тип

 

β

Rб

Ск

Uкмакс

Iкмакс

Fго

Аналог

 

транзистора

 

 

 

[Ом]

[пФ]

[В]

[мА]

[МГц]

 

 

2Т355

npn

 

180

1300

2.0

10

200

1000

2N5851

 

2Т366А-1

npn

 

120

1100

1.1

15

50

1500

 

 

2Т366В-1

npn

 

120

1100

1.8

15

50

1500

 

 

2Т367А

npn

 

220

2000

1.5

15

50

1800

 

 

2Т372А

npn

 

50

800

1.0

25

30

2000

2N5652

 

2Т381А-1

npn

 

50

600

1.0

25

30

2000

 

 

2Т381Б-1

npn

 

40

500

1.0

25

30

2000

 

 

2Т381В-1

npn

 

30

400

1.0

25

30

2000

 

 

2Т381Г-1

npn

 

20

200

1.0

25

30

2000

 

 

2Т382А

npn

 

18

300

2.0

15

30

1200

 

 

2Т384А-2

npn

 

10

200

4.0

30

30

600

 

 

2Т385А-2

npn

 

90

800

4.0

60

30

600

 

 

2Т396А-2

npn

 

140

1200

1.5

15

30

1800

 

 

2Т397А-2

npn

 

150

100

1.3

25

30

2000

 

 

2Т3115А2

npn

 

15

600

0.6

10

50

2500

 

 

2Т3117А

npn

 

120

1000

10

60

200

500

2N3301

 

2Т3120А

npn

 

40

600

2.0

15

100

1000

2N3302

 

1.2.2 Вибір значення колекторного струму насичення

 

 

Існують два можливих шляхи вирішення цієї проблеми:

 

 

– якщо

задано

значення

допустимої споживаної потужності,то

колекторний струм насичення визначається за співвідношенням

Iкн = Рмакс(Едж Uкен );

– якщо значення допустимої споживаної потужності не задано, то колекторний струм насичення визначається за допустимим струмом колектора Iкн 0,7Iкдоп .

В аналізованому прикладі приймемо Iкн =35 мА.

1.2.3 Розрахунок колекторного резистора

При відомому значенні колекторного струму насичення колекторний резистор визначається за уже відомим співвідношенням:

R к=(Едж Uкен )Iкн .

В аналізованому прикладі Rк = 140 Ом.

Необхідно пам'ятати, що значення напруги живлення може бути

задано з деяким технологічним допуском δдж. Як правило, δдж = ±5%.

Задане значення колекторного струму повинно бути забезпечено навіть при мінімальній напрузі живлення. Отже, розрахункова формула для визначення колекторного резистора повинна включати і технологічне

відхилення напруги живлення Rк = (Едж (1 + δдж )Uкен )Iкн . У цьому

випадку Rк=126 Ом.

Резистори в електронних схемах реалізуються також із деяким

технологічним допуском δR. Залежно від функціональних задач вузла, що розраховується, можна дотримуватися або заданого технологічного допуску, що звичайно істотно збільшує вартість виробу, або примиритися з технологічними похибками, що існують при виготовленні резисторів і забезпечити необхідне значення колекторного струму в найгіршому

випадку. Тоді опір Rк може змінюватися від номінально до максимально допустимого значення Rк.макс

Rк =(1δR )Rкмакс .

Якщо планується виготовлення цифрового вузла у вигляді ІС (гібридної або напівпровідникової), то технологом може бути задане розрахункове значення Rк. Якщо буде виготовлятися дискретна конструкція електронного вузла, то номінальне значення колекторного резистора треба вибрати зі стандартного ряду резисторів із відомим

відхиленням δR.

1.2.4 Розрахунок резистора в ланцюзі бази

Цей резистор повинен забезпечити необхідний ступінь насичення (при відомому струмі колектора). Отже, необхідно визначити ступінь насичення транзистора. Якщо задано коефіцієнт розгалуження, то ступінь

насичення визначається зі співвідношення S=βмін/(βмін-N), де N - ступінь розгалуження. Нехай у нашому випадку S=1,25. Тепер можна визначити номінал резистора бази

R б = (U"1" U бе

макс

)β SI к

н

.

вхмiн

 

 

У цьому виразі треба пояснити змінну U"1"вхмiн . Це значення визначається

за виразом U"1"

=Е

(1+δ

)-КI R .,

вхмiн

дж

дж

б к

де К≈2÷5-коефіцієнт, який визначається типом транзистора.

У нашому випадку U"1"

=3.5 В. Тоді мінімальне значення R =3 кОм.

вхмiн

б

1.2.5 Визначення часу вмикання і вимикання ключа

Розрахунок проводиться за формулами 1 ÷4 з урахуванням технологічних відхилень. Тут допускається, що значення колекторної та емітерної ємностей однакові, а ємність навантаження відсутня.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

"0"

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

зф

= R

б

(1+

δ )C

вх

ln

Uбe U

 

 

 

, t

зф

=12 нс,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R

 

 

 

0,1Uбe

н

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t

ф

=(τ

+R

k

(1

 

)(C

 

 

+(1))С )

ln

 

 

βIб1

 

,t

ф

=35нс,

 

 

 

βI

І

 

 

 

β

 

 

R

 

н

 

 

 

 

 

 

 

к

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б

к

н

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

τ

 

н

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

β

 

 

 

І

б1

І

б2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

τ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

р

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

t р

τр ln

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

, t р = 16 нс,

 

 

 

 

 

 

0,9І

кн − βI б2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

tсп = [τβ + Rk (1R )(Сн +(1)Cк)]ln

βIб2 + Ikн

, tсп = 32 нс.

βI

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б2

 

 

 

 

 

Отже, у нашому розрахунку час вмикання

47 нс і час вимикання

48 нс. Отримані результати перевіряємо шляхом моделювання за допомо-

гою програм MicroCap 7, PSpice або Microsim.

1.3 Варіанти завдань

Для засвоєння методів аналізу перехідних процесів пропонується відповідно до даних варіантів, наведених в таблиці 2, проаналізувати роботу найпростішого ключа на біполярному транзисторі, виконати розрахунок складових часу затримки і промоделювати перехідні характеристики.

Варіанти завдання студент вибирає таким чином: згідно з номером групи

1 КС

з 1

по 30

варіант;

2 КС

з 31

по 60

варіант;

3 КС

з 61

по 90

варіант;

4 КС

з 91 по 120 варіант,

і порядкового номера під яким значиться прізвище студента в журналі

академгрупи, тобто:

 

студент гр. 1КС, порядковий номер №19 -

варіант № 19;

студент гр. 2КС, порядковий номер № 15 -

варіант №45;

студент гр. 3КС, порядковий номер № 23 -

варіант № 83;

студент гр. 4КС, порядковий номер № 17 -

варіант № 107,

Таблиця 2

Номер

Напруга

Споживана

Технологі-

Коефіцієнт

Емність

варіан-

живлення,

потужність,

чний

розгалуже-

наванта-

та

В

мВт

допуск, %

ності

ження,

 

 

 

 

виходу

пФ

1

4

10

5

2

10

2

5

11

10

3

9

3

6

12

15

4

8

4

7

13

20

5

7

5

8

14

25

6

6

6

9

15

30

7

5

7

10

16

5

8

4

8

11

17

10

9

3

9

12

18

15

10

2

10

4

19

20

2

10

11

5

20

25

3

9

12

6

21

30

4

8

13

7

22

5

5

7

14

8

23

10

6

6

15

9

24

15

7

5

16

10

25

20

8

4

17

11

26

25

9

3

18

12

27

30

10

2

19

4

28

5

2

10

20

5

29

10

3

9

21

6

30

15

4

8

22

7

31

20

5

7

23

8

32

25

6

6

24

9

33

30

7

5

25

10

34

5

8

4

26

11

35

10

9

3

27

12

36

15

10

2

28

4

37

20

2

10

29

5

38

25

3

9

30

6

39

30

4

8

31

7

40

5

5

7

32

8

10

10

6

6

33

9

11

15

7

5

34

10

12

20

8

4

35

11

13

25

9

3

36

12

14

30

10

2

37

4

15

5

2

10

38

5

16

10

3

9

39

6

17

15

4

8

40

7

18

20

5

7

41

8

19

25

6

6

42

9

20

30

7

5

43

10

21

5

8

4

Продовження таблиці 2

Номер

Напруга

Споживана

Технологі-

Коефіцієнт

Емність

варіан-

живлення,

потужність,

чний

розгалуже-

наванта-

та

В

мВт

допуск, %

ності

ження,

 

 

 

 

виходу

пФ

44

11

22

10

9

3

45

12

23

15

10

2

46

4

24

20

2

10

47

5

25

25

3

9

48

6

26

30

4

8

49

7

27

5

5

7

50

8

28

10

6

6

51

9

29

15

7

5

52

10

30

20

8

4

53

11

31

25

9

3

54

12

32

30

10

2

55

4

33

5

2

10

56

5

34

10

3

9

57

7

36

20

5

7

58

6

35

15

4

8

59

8

37

25

6

6

60

9

38

30

7

5

61

10

39

5

8

4

62

11

40

10

9

3

63

12

28

15

10

2

64

4

29

20

2

10

65

5

30

25

3

9

66

6

31

30

4

8

67

7

32

5

5

7

68

8

33

10

6

6

69

9

34

15

7

5

70

10

35

20

8

4

71

11

36

25

9

3

72

12

37

30

10

2

73

4

38

10

4

7

74

5

39

15

5

6

75

6

40

20

6

5

76

7

38

5

6

10

77

8

39

10

7

9

78

9

40

15

8

8

79

10

28

20

9

7

80

11

29

25

10

6

81

12

30

30

2

5

82

4

31

5

3

4

83

5

32

10

4

3

84

6

33

15

5

2

85

7

34

20

6

7

Продовження таблиці 2

Номер

Напруга

Споживана

Технологі-

Коефіцієнт

Емність

варіан-

живлення,

потужність,

чний

розгалуже-

наванта-

та

В

мВт

допуск, %

ності

ження,

 

 

 

 

виходу

пФ

86

8

35

25

7

6

87

9

36

30

8

5

88

10

37

5

9

8

89

11

38

10

10

7

90

12

39

15

4

6

91

4

10

5

2

10

92

8

14

25

6

6

93

4

19

20

2

10

94

9

24

15

7

5

95

5

29

10

3

9

96

10

34

5

8

4

97

6

39

30

4

8

98

11

13

25

9

3

99

7

18

20

5

7

100

12

23

15

10

2

101

8

28

10

6

6

102

4

33

5

2

10

103

9

38

30

7

5

104

5

30

25

3

9

105

10

35

20

8

4

106

6

40

20

6

5

107

11

29

25

10

6

108

7

34

20

6

7

109

12

39

15

4

6

110

5

11

10

3

9

111

10

16

5

8

4

112

6

21

30

4

8

113

11

26

25

9

3

114

7

31

20

5

7

115

12

36

15

10

2

116

8

10

10

6

6

117

4

15

5

2

10

118

9

20

30

7

5

119

7

36

20

5

7

120

6

35

15

4

8

2 РЕАЛІЗАЦІЯ ЛОГІЧНИХ ФУНКЦІЙ

2.1 Теоретичні відомості і розрахункові співвідношення

Математичною базою цифрової техніки є алгебра логіки, яка оперує зі змінними, які набувають тільки два значення, умовно позначеними 0 і 1,тобто з двійковими змінними. Функції двійкових змінних називаються логічними. Вони також можуть набувати тільки два значення. Логічна функція від n змінних є повністю визначеною, якщо вказані її значення для всіх двійкових наборів її аргументів. Число таких наборів залежить від

числа змінних n і дорівнює 2n. Якщо логічна функція визначена не на всіх наборах, то вона є неповністю визначеною або невизначеною. На

невизначених наборах змінних значення функції позначається символом x і може бути довільно довизначена або нулем, або одиницею.

Логічна фукція може бути задана словесно, алгебраїчним виразом або таблицею, яка називається таблицею співвідношення, або таблицею істинності. Дії над двійковими змінними виконуються за правилами логічних операцій (законами алгебри логіки).

Логічну функцію для зручності запису і подальшого синтезу виражають у вигляді суми добутків змінних або у вигляді добутків їх сум.

Перший запис називається диз’юнктивною нормальною формою (ДНФ), другий запис – кон’юнктивною нормальною формою (КНФ).

Для кожної логічної функції може існувати декілька рівносильних диз’юнктивних і кон’юнктивних форм, але існує тільки один вид ДНФ і КНФ, в якому функція може бути записана єдиним чином (досконалі нормальні форми ДДНФ і ДКНФ). У ДДНФ функція записується у вигляді логічної суми констант одиниці (мінтермів), а в ДКНФ – у вигляді логічного добутку констант нуля (макстермів).

Конституенти одиниці і нуля – це комбінації змінних, при яких функція відповідно перетворюється в одиницю чи нуль.

Для зменшення числа логічних елементів, які реалізують функцію, застосовують різні методи мінімізації. Для мінімізації нескладних функцій використовують алгебраїчні перетворення. Для функцій, які мають велике число змінних (більше трьох) і велике число складових, існують спеціальні методи. Найбільш часто застосовують методи з використанням карт Вейча і карт Карно.

Для реалізації логічних операцій застосовують відповідні логічні елементи. Система елементів, яка дозволяє будувати на їх основі логічні функції будь–якої складності, називається функціонально повною системою або базисом. Базис утворюють логічні елементи АБО, І, НІ.

Крім цього, у практиці широко застосовуються логічні елементи, які реалізують найпростіші функції двох змінних АБО – НІ, І – НІ та деякі інші. Ці функції також називають операторами, а запис більш складних функцій у вигляді суперпозиції операторів логічних елементів називається її операторною формою.